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3/6/7.5GHz經(jīng)濟(jì)型矢量信號發(fā)生器
國產(chǎn)高端矢量信號發(fā)生器
SEL與增強(qiáng)調(diào)制帶寬和溫度范圍-調(diào)制性能與高溫操作調(diào)制性能由于光學(xué)諧振腔中的載流子和光子密度非常高，內(nèi)部調(diào)制行為表現(xiàn)出更高的阻尼，因此低寄生對VCSELs尤為重要。因此，VCSELs的特點(diǎn)是具有較小的松弛振蕩超調(diào)，可以補(bǔ)償寄生滾轉(zhuǎn)。在圖3中，可以在很寬的溫度范圍內(nèi)確定優(yōu)越的調(diào)制性能。如圖3(a)所示，3dB帶寬在25℃時超過12GHz，在55℃時為11GHz，在85℃時為10GHz，如圖3(b)所示。散點(diǎn)代表測量數(shù)據(jù)，而繪制的穿過線擬合到公式(1)，可以提取如圖4所示的內(nèi)在參數(shù)。在這里，我們展示了先前和改進(jìn)設(shè)計(jì)的阻尼率與共振頻率fR平方的關(guān)系，提取了-因子和阻尼偏移。通過速率方程分析，我們可以 ...
控制，泵浦源調(diào)制帶寬>100 kHz。激光器輸出光束被分成兩路，一路與1550nm赫茲量級線寬連續(xù)激光器拍頻，得到激光器某一個梳齒的相位噪聲信息；另一路用于載波包絡(luò)相位零頻探測，首先通過一個色散補(bǔ)償光纖(PM-DCF)，然后通過兩級功率放大和光柵對壓縮脈沖，產(chǎn)生脈寬260fs、平均功率3.3W激光脈沖。隨后脈沖被送入約30cm長ND-HNLF，根據(jù)FROG測量結(jié)果，其脈沖寬度小于70fs，平均功率1.8 W，峰值功率約為13kW。然后連接~ 30厘米長HNLF產(chǎn)生倍頻程頻譜，波長覆蓋從970~2200nm。用PPLN晶體對2000nm波段進(jìn)行倍頻后與1000nm基頻光一同輸入共線f-to ...
動態(tài)范圍和高調(diào)制帶寬。通過使用快、慢壓電傳感器（PZTs）或電光調(diào)制器（EOMss），用于控制的光學(xué)參考鎖相（ 穩(wěn)定性）方案顯然已經(jīng)成熟[20-24]，因此可以在超過10 kHz的頻率范圍內(nèi)抑制相位噪聲。該方案可以支持一個sub-MHz的響應(yīng)帶寬[23]。傳統(tǒng)的穩(wěn)定其他自由度的方法是通過泵浦電流調(diào)制[24-27]或腔外聲光調(diào)制器[20,28,29]反饋誤差信號來調(diào)節(jié)泵浦功率。可實(shí)現(xiàn)的帶寬已擴(kuò)展到100 kHz以上。受激壽命的長短主要取決于激光腔的增益和腔體的設(shè)計(jì)。然而，在許多應(yīng)用中，降低在高頻區(qū)域的快速相位波動是必要的，如標(biāo)準(zhǔn)傳輸[30,31]和高諧波產(chǎn)生[32,33]。為了抑制的快速相位波動 ...
i大限度利用調(diào)制帶寬。這是必要的，因?yàn)锳OD通常在升頻的次倍頻通帶上工作，以避免諧波干擾。用于驅(qū)動AOD的射頻頻率梳的直接數(shù)字合成（DDS）定義了每個像素的激發(fā)，而這是通過特定的射頻和相位決定的，從而導(dǎo)致射頻頻率梳與檢測信號之間的相位相干性。而這種相位相干性可以使用相敏數(shù)字鎖相放大器的并行陣列使得圖像多路分解，這可以在Matlab中實(shí)現(xiàn)。FIRE的并行讀出將導(dǎo)致zui大像素速率等于AODF的帶寬。圖2顯示了FIRE顯微鏡的典型輸出。檢測到的時域信號(圖2a)是來自一排像素的射頻標(biāo)記發(fā)射的傅里葉疊加。使用短時傅里葉變換計(jì)算的時間分辨頻譜(圖2b)揭示了樣本在水平行內(nèi)位置相關(guān)的頻率成分。而樣本的垂 ...
10THz的調(diào)制帶寬，實(shí)驗(yàn)表明調(diào)制速度接近1THz。電光調(diào)制器的頻率相關(guān)傳遞函數(shù)可由下式表達(dá)式中，l、ωRF、nRF、no分別為電光調(diào)制器長度、射頻頻率、射頻折射率、光學(xué)折射率。對于我們目前正在生產(chǎn)的使用鈮酸鋰厚度為600 nm的非好相位匹配器件，圖2顯示了不同長度器件的歸一化調(diào)制響應(yīng)∣TRF∣2作為調(diào)制頻率的函數(shù)。使用我們目前的600 μm長器件，理論帶寬接近600 GHz。圖2所示。計(jì)算了不同器件臂長TFLN(厚度為600 nm)調(diào)制器的調(diào)制帶寬。對于微環(huán)結(jié)構(gòu)，生產(chǎn)了兩種類型的器件。圖1(b)顯示了一個簡單的環(huán)形結(jié)構(gòu)耦合到波導(dǎo)。對間隙進(jìn)行了優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)臨界耦合。將激光波長調(diào)整到接近器件的共 ...
紀(jì)錄高小信號調(diào)制帶寬和25Gb/s的數(shù)據(jù)速率。因此，這些設(shè)備可以很好地作為100G以太網(wǎng)解決方案中獨(dú)特的低成本和高數(shù)據(jù)速率激光源。更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器、光學(xué)測量設(shè)備、光學(xué)元件等，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫(yī)療、科學(xué)研究、國防、量子光學(xué)、生物顯微、物聯(lián)傳感、激光制造等；可為客戶提供完整的設(shè)備安裝，培訓(xùn)，硬件開發(fā)，軟件開發(fā)，系統(tǒng)集成等服務(wù)。您可以通過我們昊量光電的官方網(wǎng)站www.arouy.cn了解更多的產(chǎn)品信息，或直接來電咨詢4006-888-532。 ...
用于10G以太網(wǎng)的1.3μm InGaAsInP VCSEL在1.3μm波長范圍內(nèi)發(fā)射的垂直腔面發(fā)射激光器（VCSELs）已經(jīng)達(dá)到一定程度的成熟，可以進(jìn)入工業(yè)應(yīng)用。光通信模塊中更小的外形尺寸和更低的功耗標(biāo)準(zhǔn)增加了對新一代超低功率長波激光器的需求。在IEEE 802.3ae推薦中找到10GBASE-LR（遠(yuǎn)程）標(biāo)準(zhǔn)，描述了10G以太網(wǎng)在1.3μm的10G以太網(wǎng)，在10km的廣泛部署的標(biāo)準(zhǔn)單模光纖（SMF）的鏈路上。對于10GBASE-SR（短距離）標(biāo)準(zhǔn)，850nm VCSELs已經(jīng)被用作具有成本效益的光源。近年來，為了提高VCSEL在1.3μm波長下的性能，人們做了很多努力，包括晶圓熔接器件和含 ...
們首次進(jìn)行了調(diào)制帶寬超過10GHz的1.55um VCSEL陣列的數(shù)據(jù)傳輸實(shí)驗(yàn)，并提出了一種新的可擴(kuò)展帶寬升級的應(yīng)用方案。設(shè)備結(jié)構(gòu)本研究所采用分子束外延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。基本結(jié)構(gòu)是先前發(fā)表的高速1.55um VCSEL結(jié)構(gòu)，單片集成到一維陣列結(jié)構(gòu)中，光刻定義的間距為250um。對于高帶寬的電信應(yīng)用，保持較低的寄生電容是必不可少的。這導(dǎo)致如圖1所示的結(jié)構(gòu)，具有10um厚的低介電常數(shù)鈍化苯并環(huán)丁烯，市售名稱為Cyclotene 3022-57。該裝置本身只有30um寬。芯片的p側(cè)觸點(diǎn)可以在設(shè)備的頂部和底部進(jìn)行訪問，以實(shí)現(xiàn)各種安裝方式。在制造過程中，去除InP襯底，并集成電鍍金散 ...
.5GHz的調(diào)制帶寬。對于大于3mA的偏置電流，可以找到高于7ghz的平坦調(diào)制帶寬，足以以10Gb/s的速度傳輸數(shù)據(jù)。這些結(jié)果適用于VCSEL陣列中的所有激光器。請注意，對于4毫安以上的潛水電流，帶寬和輸出功率幾乎是平坦的。VCSEL陣列的頻率響應(yīng)和調(diào)諧特性在3mA偏置電流以上，帶寬足以達(dá)到10Gb/s測量了兩種波長分別為1550nm和1570nm的CWDMVCSEL陣列的調(diào)諧特性。圖4(a)顯示了在室溫下未冷卻得到的結(jié)果。帶寬升級的VCSEL特性：(a)兩個CWDMVCSEL陣列(b)高速VCSEL的諧振頻率與驅(qū)動電流高于閾值的平方根的調(diào)諧特性在圖4(b)中，共振頻率與高于閾值的驅(qū)動電流的平 ...
用。1.1 調(diào)制帶寬太赫茲頻率調(diào)制的關(guān)鍵技術(shù)是目前正在開發(fā)的薄膜鈮酸鋰技術(shù)。使用薄膜鈮酸鋰，可以完美地相位匹配太赫茲波信號和光信號，實(shí)現(xiàn)高達(dá)幾十太赫茲的調(diào)制速度是可行的。這種相位匹配之所以可能，是因?yàn)樘掌澬盘柕挠行д凵渎剩ㄓ捎谄洳ㄩL很長）不受亞微米厚的鈮酸鋰薄膜的影響。太赫茲波信號的有效折射率幾乎等于二氧化硅（或石英基底）的折射率。石英在太赫茲頻率下的折射率約為2。另一方面，對于波長較小的光信號(即1.55 um)，導(dǎo)模的有效折射率接近鈮酸鋰的光學(xué)折射率，也近似等于2。因此，在薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)調(diào)制器中實(shí)現(xiàn)太赫茲信號和光信號的相位匹配成為可能。圖1(a)顯示了薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)。薄膜鈮酸 ...
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