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光電導開關法圖1 光電導開關法輻射太赫茲原理圖如圖1，太赫茲光電導天線是在低溫生長的半導體表面上沉積兩片金屬電極，兩端電極之間保持一條微米量級寬度的空隙。在光電導開關兩端上施加偏置電壓后，當飛秒激光聚焦到天線縫隙表面時，基底材料中的電子吸收能量并從價帶躍遷到導帶，在天線表面瞬間（10-14 s）生成光生載流子（電子）。電子在偏置電場的加速作用下定向遷移生成瞬態光電流，進而向外輻射太赫茲波。理論上只要外加電場足夠強，太赫茲輻射就可以得到顯著的增強，但是實際實驗中過高的能量會導致光電導開關被損壞。另外半導體基底、金屬電極的幾何結構與泵浦激光脈沖持續時間共同影響著光電導天線（光電導開關）的性能。半導 ...
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