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光電導(dǎo)開關(guān)法圖1 光電導(dǎo)開關(guān)法輻射太赫茲原理圖如圖1，太赫茲光電導(dǎo)天線是在低溫生長的半導(dǎo)體表面上沉積兩片金屬電極，兩端電極之間保持一條微米量級寬度的空隙。在光電導(dǎo)開關(guān)兩端上施加偏置電壓后，當飛秒激光聚焦到天線縫隙表面時，基底材料中的電子吸收能量并從價帶躍遷到導(dǎo)帶，在天線表面瞬間（10-14 s）生成光生載流子（電子）。電子在偏置電場的加速作用下定向遷移生成瞬態(tài)光電流，進而向外輻射太赫茲波。理論上只要外加電場足夠強，太赫茲輻射就可以得到顯著的增強，但是實際實驗中過高的能量會導(dǎo)致光電導(dǎo)開關(guān)被損壞。另外半導(dǎo)體基底、金屬電極的幾何結(jié)構(gòu)與泵浦激光脈沖持續(xù)時間共同影響著光電導(dǎo)天線（光電導(dǎo)開關(guān)）的性能。半導(dǎo) ...
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