成了PN結（阻擋層）。N區自由電子向P區擴散，P區空穴向N區擴散，N區就形成帶正電離子，P區就形成帶負電離子。于是PN結形成了由N區指向P區的內電場。這個內電場會產生兩種性質：1.阻礙多子擴散運動（N區自由電子向P區擴散，P區空穴向N區擴散）2.促進少子漂移作用（由本征激發產生的自由電子和空穴，數量極少）由于內電場的這兩種性質，當給PN結加正向電壓時（P區接正極，N區接負極），形成的外電場會與內電場方向相反，外電場的引入促進了多子擴散，削弱了內電場，電流可以順利通過，形成較大的擴散電流。由于擴散電流遠大于漂移電流，則可以忽略漂移電流的影響，PN結呈現低阻性，PN結處于導通狀態。當PN結接反向電 ...

a) 包含阻擋層的有機半導體器件結構示意圖。插圖：由電子受體材料（PC71BM 和 eh-IDTBR）組成的感光層的納米結構填充示意圖。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子結構。通過以6 mW cm-2的入射功率密度打開和關閉 LED 來評估有機半導體器件的響應時間。如圖2所示，富勒烯受體有機半導體表現出 6.24 μs 的上升時間和 10.8 μs 的下降時間。由于OPD器件的響應時間受內部電容和電荷傳輸時間的影響，推測 PC71BM 具有較高的內部電容和較大的陷阱位點。非富勒烯受體OPD器件的上升和下降時間分別為2.72 μs和4.32 μs。圖2 a ...

之間穿過絕緣阻擋層的隧道電流依賴于磁層中磁化方向的相對方向。例如，這種效應目前應用于數字磁記錄的讀磁頭，并將用于目前正在開發的未來磁隨機存取存儲器。c自旋轉矩傳遞:由兩個鐵磁層組成的納米結構堆棧中，由自旋極化電子對其中一層磁化所施加的轉矩引起的鐵磁層磁化的電流感應開關。這是一種在磁阻器件中轉換磁化強度的方法，目前正在深入研究中。d自旋晶體管:三端器件，其中發射極(E)和集電極(C)之間的電流取決于發射極和基極(B)之間的電流，此外，還取決于兩個鐵磁層的相對方向。e帶隧道勢壘的自旋晶體管:像(d)一樣的三端器件，其中發射極偏置電壓可以用來調節注入集電極的電子的能量。zui后兩個裝置僅僅代表了所謂 ...

件中集成絕緣阻擋層，使實驗人員能夠靈活地在不同的偏置電壓下操作同一器件，從而注入不同能量的熱電子。對類似結構進行優化，在室溫下產生了3400%的磁阻效應。傳輸比，即這種器件的基極電流和集電極電流之間的比率，目前小于1(在10?6和10?4之間，因此不會獲得像實際晶體管那樣的放大。然而，通過磁性來編程或控制邏輯運算的想法是在開發更有效的自旋注入半導體方面，人們付出了巨大的努力。目前出現的另一種方法是通過電場來操縱多鐵性系統的磁化。多鐵性材料具有耦合的電、磁和結構序參數，從而同時具有鐵電性、鐵磁性和鐵彈性。在這種共存的情況下，磁化可以受到電場的影響，而電場的極化可以受到磁場的影響，這種特性被稱為“ ...

0.35As阻擋層以粗體標示，Ga0.32In0.68As井層以楷體標示，n摻雜2.11017 cm?3層以下劃線標示。我們計算了該結構的傳導能帶能量圖，作為施加電場從87到116 kV/cm的函數，得到預期的過渡頻率范圍從2137到2583 cm?1，如圖1b所示。計算由于“對角線”躍遷設計固有的線性斯塔克效應，頻率隨著外加電場的增加而增加偶極矩陣元表示光躍遷的強度，在103 kV/cm指定電場附近達到Max值，與防交叉場重合。由于發射頻率取決于工作閾值電壓，激光閾值電壓的變化可以實現增益譜的調諧。前者可以通過改變閾值電流密度來實現，而閾值電流密度又可以通過改變腔長來非常有效地改變。圖1為了 ...

為：從注入層阻擋層厚度開始，以納米為單位：4.0/1.26/ 1.3/ 4.40/ 1.3/3.87/ 1.4/3.72/ 2.3/2.88/ 1.8/2.58/ 1.9/2.29/ 2.0/ 2.19/ 2.2/2.09/ 2.2/1.86/ 2.9/1.86,Al0.64In0.36As層以正字體打印，Ga0.33In0.67As層以斜體字體交替打印。所有層都生長在n摻雜Si， 21017 cm?3 InP襯底上。活性區有30個活性/注入器堆棧，平均摻雜從原來的21016 cm - 3減少到標稱的1.61016 cm- 3。InGaAs波導層的厚度從0.3增加到0.4 um， InGaAs ...