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非富勒烯受體光電二極管的響應時間及器件穩定性非富勒烯受體eh-IDTBR為電子受體,選擇PC71BM作為對比的富勒烯受體,因為PC71BM是有機電子學中應用廣泛的富勒烯衍生物之一。通過測量電流、線性動態范圍和瞬態照片來評估它們的光電二極管特性。此外,研究了暗電流產生的陷阱密度和光致發光(PL)衰減曲線,以確定受體材料的暗電流抑制和快速光響應效應。圖1 a) 包含阻擋層的有機半導體器件結構示意圖。插圖:由電子受體材料(PC71BM 和 eh-IDTBR)組成的感光層的納米結構填充示意圖。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子結構。通過以6 mW cm-2的入射功 ...
以通過泵浦/載流子注入在標準III-V半導體系統中輕松實現。由于在空間、功耗和速度方面,改變增益-損耗系數比改變相位更有效,因此PT-ONN架構可潛在地需要更小的占用空間并以更低的功率加速片上訓練。(2)兩層宇稱時間對稱ONN。如圖2所示,在第一層,激光編碼N1個像素,光信號首先被發送到由(N1(N1-1)/2)個宇稱時間對稱耦合器組成的三角形陣列。然后,光經過N2個放大器/衰減器,隨后為由(N2(N2-1)/2)個宇稱時間對稱耦合器組成的第二個三角形陣列,然后是N2個非線性元件。第二層用星號表示,包含了相似的元件,但是有N2和N3值。該層終止于N3個光電探測器。值N1、N2、N3分別表示輸入 ...
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