。它們具有高載流子遷移率、對可見光吸收率高和可調諧的帶寬使其成為低成本太陽能電池的選擇。但是鈣鈦礦卻有一個缺點，它們的穩定性是不穩定的，它們當前的壽命只有2000小時，遠遠小于硅的使用時間（52000小時）。如果想要將這一新的光伏之星推向市場，更好的理解光物理學和降解機制變的尤為重要。 Photon Etc.的IMA面成像高光譜顯微設備可解答研究人員關于為什么鈣鈦礦具有杰出性能的疑問。IMA可以通過光學測量快速表征二維和三維鈣鈦礦晶體以及完整的光伏器件的結構特性。該設備采用光譜掃描方式，在大面積區域(100 x 100μm2 - 1 x 1 mm2 )上獲得材料的熒光和透射圖譜成像圖，不需要 ...

高光譜成像在鈣鈦礦光譜和空間分析的應用一、鈣鈦礦器件光致發光和電致發光成像瓦倫西亞大學的Henk Bolink博士與IPVF（前身為IRDEP-法國光伏能源研究與發展研究所）的研究人員合作，研究了具有不同電子傳輸層（PCBM和C60）的混合有機-無機甲基碘化鉛鈣鈦礦（CH3NH3PbI3）太陽能電池的性能。用IMA獲得的發光高光譜數據有助于識別此類器件中的嚴重不均勻性（圖1）。這些空間不均勻性與載體提取問題有關，導致細胞的填充因子有限。圖1根據在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計算的當前傳輸效率fT圖。對于使用PCBM（a，c，器件A）或C60（b，d，器件B）作為電子傳輸 ...

理性能，如高載流子遷移率、可調帶隙、強光吸收率和柔韌性。其中，MoS2具有可調諧的帶隙，這使得它比石墨烯具有更廣泛的應用。隨著層數的減少，MoS2的帶隙從塊狀的1.29eV增加到單層的1.9eV，并變為直接帶隙。由于原子薄二硫化鉬的直接帶隙和強激子性質，觀察到強烈的光-物質相互作用。此外，這種材料在原子厚度上表現出優異的機械柔韌性。這些特性使二硫化鉬在光電應用，特別是光電探測器方面表現出巨大的優勢。近年來，人們利用微機械剝離和化學氣相沉積法（CVD）制備MoS2薄膜的光電探測器進行了大量的研究。然而，微機械剝離的成品率低和可擴展性差阻礙了MoS2光電探測器的實際應用。CVD被認為是合成大面積M ...

由于其優越的載流子遷移率和在原子尺度厚度上的有效靜電柵能控性，TMDs和Xene將是下一代電子領域很有前途的候選者。然而當前二維材料的合成技術依舊面臨技術挑戰（例如，晶片規模均勻性，可靠的批量生產和不影響結晶度的較低的合成溫度），高保質量合成和包括硅基其他2D材料的異質材料合成方法，是解鎖這些材料的潛力在科學和技術領域的必要途徑。目前原子層沉積（ALD）由于其特殊的厚度均勻性/可控性，廣泛應用于半導體制造中沉積非晶高k介質，，成為一種理想的薄膜生產技術。低溫制備，和優良的步驟能夠覆蓋任何的非平面幾何器件。因此，將ALD的技術成為制備2D vdW材料有前途的方法。然而，原子層沉積的2D（ALD- ...

諧帶隙、超高載流子遷移率和強烈的光物質相互作用。此外，二維vdW異質結構為研究拓撲結構、超晶格、和層間庫侖相互作用的影響提供了新的途徑。然而，與簡單的單層相比，二維vdW多層在相鄰層之間具有vdW間隙，擾亂了層間電荷效率，從而導致這些多層在平面內和平面外載流子輸運的各向異性。在存在靜電偏置相關的層間電阻的情況下，以往的研究通過考慮Thomas-費米電荷屏蔽長度和厚度相關的載流子遷移率，進而描述了二維多層膜的復雜載流子輸運。例如，在一個傳統的背柵結構，由于層間電阻和層依賴的平面內載流子遷移率之間的相互作用，層間電導率z高的層從底表面向頂表面移動。這就引發了載流子沿著厚度的空間再分布。此外，zui ...

、有效質量、載流子遷移率、飽和速度和臨界電場。由于這些優點，基于二維半導體的新型場效應晶體管（FETs）概念已經被提出和證明。以zui具代表性的二維半導體MoS2為例，這些晶體管原型包括超短通道（FETs）、隧道（FETs）、鐵電（FETs）、負電容（FETs）、狄拉克源或冷源（FETs）、相變（FETs）、絲狀（FETs）、自旋（FETs）、電子（FETs）、雙極（FETs）、反雙極（FETs）等。等離子體處理是一種可靠、兼容、有效的實現這些二維晶體管的特定功能，提高器件的性能方法。由電子組成，離子、激發分子和自由基、等離子體作為物質的第四態，可以通過不同的物理和化學機制與二維材料相互作用， ...