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型硅上面構建N型半導體層，就形成了一個N+/P型的PN結。當太陽光照射到PN結時，能量大于等于硅半導體禁帶寬度的光能，被半導體吸收，產生電子-空穴對。在空間電荷區，產生的電子-空穴對在自建電場的作用下漂移，在外電路產生光電流（太陽能電池結構和原理如下圖）。硅太陽能電池結構示意圖太陽能電池工作原理圖除了半導體PN結材料本身，太陽能電池的制備工藝是極其復雜的，有許許多多道工序（如下圖），為了保證制備的太陽能電池的性能，減少缺陷，必須嚴格把控每一個步驟（下圖是硅太陽能電池制備工藝流程圖）。硅太陽能電池制備工藝流程圖通過太陽能電池制造工藝的流程可以發現，太陽能電池的制備和生產是一個非常復雜的過程，很容 ...
P型半導體和N型半導體組合而成。N型半導體：N型半導體是在純凈的硅晶體中摻入五價元素（磷和砷）組成的。雜質中四個價電子與硅組成共價鍵，剩余一個稱為自由電子（載流子）。因此N型半導體中載流子是自由電子。P型半導體：P型半導體是在硅中摻雜三價元素（硼）組成的。它和硅中價電子組成共價鍵時由于缺少一個價電子，從而形成空穴（載流子）。因此P型半導體中的載流子是空穴。將P型半導體與N型半導體結合之后，由于兩側存在濃度差（N區多自由電子，P區多空穴），就形成了PN結（阻擋層）。N區自由電子向P區擴散，P區空穴向N區擴散，N區就形成帶正電離子，P區就形成帶負電離子。于是PN結形成了由N區指向P區的內電場。這個 ...
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