25cps，量子效率在650nm附近可高達到70%。但由于帶隙寬度的限制，硅APD對波長1微米以上的光沒有響應。在近紅外光波段（1100~1650nm），目前性能很好的是基于銦鎵砷（）APD的單光子探測器，其量子效率在1.55μm波長處能達約25%，暗計數約10^3cps左右。總體而言，不論光電倍增管還是基于APD的單光子探測器，其量子效率、暗計數等性能遠不能滿足量子信息計數發(fā)展的需要，特別是針對所謂的線性量子計算，對單光子探測器性能要求更高。即使在傳統的光纖通信和熒光光譜領域的應用，對單光子探測器的性能提高也非常迫切。可是傳統的單光子探測器的性能已基本達到極限，很難再有本質的提高。2001年 ...

太陽能電池的量子效率提升達到了瓶頸。為了不斷改進下一代CIS電池并打破這一限制，必須要清楚的理解制造工藝對太陽能電池性能的影響。 考慮到這一點，IRDEP（法國光伏能源研究院）的研究人員利用光致發(fā)光（PL）成像對多晶CuInS2太陽能電池進行了表征。高光譜顯微成像平臺（IMA Photon）可提供2nm的光譜分辨率和優(yōu)于2μm的空間分辨率。該設備采用532nm的激發(fā)光在顯微鏡整視場下均勻的激發(fā)。如圖 1為 圖 2中選擇的不同研究區(qū)域的PL光譜。 圖 2 顯示的是整個器件的PL成像圖譜[3]。全局成像可快速獲得樣品的不均一性。通過這種技術研究人員可以在空間上監(jiān)控多個屬性。的確，PL最大限度詳盡的 ...

CIGS設備量子效率超過20%，并且有較好的重復性。但是這種效率依舊低于Shockley-Queisser的理論計算值。這在一定程度上歸因于由于多晶性質引起的太陽能電池的不均一性，這也使材料性能和整體性能的關系模糊。為了量化形態(tài)對太陽能電池量子效率的影響，研究不同性質在空間上的變化將變的至關重要。 考慮到這一點，IRDEP（法國光伏能源研究院）的研究人員對CIGS微型太陽能電池（直徑為35μm）進行了光致發(fā)光PL和電致發(fā)光EL光譜成像進行了探究[1]。實驗采用了高光譜成像設備（IMATM），該設備擁有2nm的光譜分辨率和亞微米的空間分辨率。電致發(fā)光實驗采用Vapp = 0.95 V 的源表。 ...

隨著有機金屬鈣鈦礦太陽能電池的快速發(fā)展，過去幾年，尋求靈活、廉價且易于加工的光伏材料取得了新的發(fā)展。這些新型太陽能電池很可能很快就會替代目前硅基太陽電池的王者地位。它們具有高載流子遷移率、對可見光吸收率高和可調諧的帶寬使其成為低成本太陽能電池的選擇。但是鈣鈦礦卻有一個缺點，它們的穩(wěn)定性是不穩(wěn)定的，它們當前的壽命只有2000小時，遠遠小于硅的使用時間（52000小時）。如果想要將這一新的光伏之星推向市場，更好的理解光物理學和降解機制變的尤為重要。 Photon Etc.的IMA面成像高光譜顯微設備可解答研究人員關于為什么鈣鈦礦具有杰出性能的疑問。IMA可以通過光學測量快速表征二維和三維鈣鈦 ...

000nm，量子效率不超過10%，甚至更低）。針對這個兩個問題，我們的解決辦法就是采用近紅外增強型CCD相機。近紅外增強型CCD相機在950nm附近量子效率高達約50%，在1000nm附近量子效率超過20%，紅外探測能力遠遠超過普通的CCD相機，適合用于太陽能電池EL檢測。ELSE xxx DD NIR是德國greateyes公司研發(fā)的近紅外增強型CCD相機，應用于近紅外波段的光譜及影像相機。ELSE xxx DD NIR集成了目前最前沿的低噪聲電子系統和超低溫制冷技術，同時保持了緊湊小巧的設計，被用于EL/PL檢測、天文觀測、光譜分析、活體生物熒光成像等領域。Greateyes相機示意圖近紅 ...

高的靈敏度和量子效率，一般會選深度制冷型CCD來提高信噪比，由于只需要光譜和強度兩個信息，光譜信息由光譜儀決定，只需要不同波數上的強度信息，所以出于成本考慮都會使用線陣CCD。法國GreatEyes深度制冷寬譜CCD相機 ...

了級聯，并使量子效率大于單位成為可能，從而產生比半導體激光二極管輸出更高的功率。D1個QCL是在GaInAs/AlInAs材料系統中制作的，晶格匹配于InP襯底這種特殊的材料系統的導帶偏移量(量子阱深度)為520 meV。這些基于InP的器件在中紅外光譜范圍內達到了非常高的性能水平，實現了高于室溫的高功率，連續(xù)的波發(fā)射。1998年，Sirtori等人實現了GaAs/AlGaAs QCLs，證明了QC概念并不局限于一個材料系統。這種材料系統的量子阱深度隨勢壘中鋁的含量而變化。雖然基于GaAs的QCL在中紅外波段的性能水平無法與基于InP的QCL相匹配，但它們已被證明在太赫茲頻段非常成功。QCLs ...

效率，即內部量子效率、電壓效率、電效率和光學效率。在四個次效率中，內部量子效率是重要的，它只能通過探索核心結構[16]的設計來提高。從圖1(b)可以看出，內部量子效率的提高幅度大。室溫QCL設計是[16]中報道的淺井設計。在室溫連續(xù)焊條件下，采用埋脊再生和脫膠下粘接的效果佳。此外，埋地脊構造的脊寬也很重要。需要在低損耗和高導熱方面做出妥協。詳細的討論可以在[3]中找到。WPE是一個重要的指標數字，代表了設備的整體質量。盡管過去幾年取得了令人矚目的進展，但要進一步改善性能仍面臨巨大挑戰(zhàn)。如果去除溫度限制，是否可以實現50%的WPE將是很有趣的。50%是一個重要的里程碑，因為它標志著光子產生戰(zhàn)勝了 ...

的光譜響應和量子效率取決于像元。填充因子是光敏面積對全部像敏面積之比，影響器件的有效靈敏度、噪聲、時間響應、傳遞函數。噪聲的來源有像元的光電二極管、用作放大器的場效應管、行列選址開關的場效應管。最后，對CMOS和CCD做一個簡單的比較：您可以通過我們昊量光電的官方網站www.arouy.cn了解更多的產品信息，或直接來電咨詢4006-888-532，我們將竭誠為您服務。 ...

98%的峰值量子效率，以確保最大的信號采集和1.25波數分辨率;適合5-200波數頻率范圍的分析。下圖4為上述系統測得的低波數拉曼光譜。圖4您可以通過我們昊量光電的官方網站www.arouy.cn了解更多的產品信息，或直接來電咨詢4006-888-532，我們將竭誠為您服務。 ...