A/cm2，斜率效率接近閾值2.16 W/ a。連續波和脈沖操作的RT和WPE分別為6%和10%。在3.3 ~ 3.6 μm范圍內，λ~3.56 μm和λ~3.39 μm處的大RT功率為437 mW，連續功率為403mW。λ~3.7 μm時，脊寬為3 μm，腔長為5mm的QCL在室溫下的連續波輸出功率為2.8 mW。對于任何QCL來說，3.02 μm的發射波長是顯示連續波運行的短波長。圖3.3-4 μm波長范圍內QCL的P-I-V性能4. λ~6-10 μm的寬帶QCL在5 ~ 11 μm的光譜范圍內，尤其富含NO、CH4、N2O、CO2、NH3等氣體的吸收譜線。要實現全范圍的中紅外光譜，需要 ...

的峰激光器和斜率效率1W/ a以及溫度性能T0=170 K與同類波長的z佳QC激光器然而，在T=295 K時，它們顯示出更高的閾值電流密度3.5 kA/cm2。我們將此歸因于早期的導通電壓和伴隨的泄漏電流，因為在耦合狀態和注入器狀態之間實現強隧穿之前，電子從耦合狀態躍遷到活性區域的較低狀態。對結構的進一步改進將優化增益以獲得較低的施加電壓并降低摻雜密度。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.arouy.cn/three-level-106.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產 ...

極化泵的調制斜率效率分別線性擬合為0.62 nJ和0.64 nJ。由于 1.38 um泵浦光子具有比QW帶隙更高的能量，因此由于不存在偏振依賴，預計TM和TE極化泵浦脈沖都將誘導帶間躍遷。因此，我們期望TM和TE泵都能產生相同的恢復壽命和調制效率。而圖2中兩種恢復曲線的微小差異可能是由實驗不確定性引起的，我們不能排除TM和TE偏振近紅外脈沖在QCL波導中不同模式尺寸的貢獻。由于TE極化泵浦的模式略大，與TM極化泵浦相比，TE極化泵浦與QCL波導的耦合效率更高，與中紅外脈沖的模式重疊也更好。為了證明泵浦能量依賴的調制深度和恢復壽命，我們比較了使用不同能量(340 pJ和595 pJ) TE極化泵 ...

cm2,和斜率效率/發電能力為1542兆瓦,114兆瓦時的總光輸出功率得到了在288 K的閾值電流密度0.755 kA / cm2,斜率效率1079 mW /,和一個閾值電流密度0.83 kA / cm2,斜率效率879 mW /,和總輸出功率74兆瓦的實現在298 K cw操作演示了303 K的溫度,總光功率為45 mW，斜率效率為612 mW/ a。在303 K時，閾值電流密度仍然只有0.874 kA/cm2。Jth隨測試溫度的變化曲線擬合為Jth=J0 exp T/T0的經驗指數函數。擬合結果J0= 0.08 kA/cm2，接近文獻中使用MBE生長構建的類似QCL的0.07 kA/cm ...

收功率中提取斜率效率，并注意到提高了20%，達到1.3 _x0005_ Ith。然而，此后光脈沖變得不穩定，導致斜率效率在1.3 _x0005_ Ith以上下降了60%。這表明蝕刻收縮引入的散射不足以完全抑制高功率水平下的不穩定性。圖4為了進一步增加高階橫向模所經歷的損耗，我們用Pt填充溝槽并重復相同的實驗。圖3顯示了FIB和Pt填充前后器件的光電流-電壓（LIV）特性。“前”曲線中的扭結和功率噪聲是由脈沖波動（見圖3底部插圖）和指向不穩定造成的，因為當光束轉向時，探測器上收集的光變少了。處理后得到的曲線沒有噪聲和扭結，從接收到的超過300個脈沖的平均輸出功率測量的斜率效率提高了65%，這是脈 ...

，z終提高了斜率效率，降低了閾值電流密度。有源區設計基于三個量子阱，采用兩個共振縱向光學（LO）聲子散射來減少低激光能級的填充。這種相對較低的電壓缺陷也有利于低溫下的WPE。圖2采用應變平衡的In0.66Ga0.34As/Al0.69In0.31As材料，通過金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）在InP襯底上生長了QCL結構，該結構由低損耗的InP基波導包層組成，包層位于43個重復的注入/活性區序列之上。每個注入區摻雜片密度為1*1011cm-1。采用傳統的III-V型半導體加工技術制備了脊寬為13.5 ~ 21.5 mm的脊波導激光器。采用等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）沉積0.3 m ...

對激光閾值和斜率效率都有貢獻，因此以不同的方式影響激光的操作。從脈沖和連續模式下閾值電流的比較[見圖4(c)]，我們可以估計相對于散熱器的活性區域溫度的增加約25 K，我們假設在低占空比（<1%）的脈沖模式下工作時，器件沒有發生明顯的加熱。分布式反饋激光器已經由與DFB-C工藝相同的材料制成。波導核心在有源區兩側包括InGaAs包層，以增加光約束。我們的dfb利用了波導的這一特性，在波導InGaAs包層中蝕刻一個周期圖案，隨后再生長InP低折射率層作為光波導的頂部包層。在另一種方案中，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一定距離的地方生長，中間有一個InP緩沖層。這使我們能夠使用選擇性蝕 ...