A/cm2，斜率效率接近閾值2.16 W/ a。連續(xù)波和脈沖操作的RT和WPE分別為6%和10%。在3.3 ~ 3.6 μm范圍內(nèi)，λ~3.56 μm和λ~3.39 μm處的大RT功率為437 mW，連續(xù)功率為403mW。λ~3.7 μm時(shí)，脊寬為3 μm，腔長(zhǎng)為5mm的QCL在室溫下的連續(xù)波輸出功率為2.8 mW。對(duì)于任何QCL來(lái)說(shuō)，3.02 μm的發(fā)射波長(zhǎng)是顯示連續(xù)波運(yùn)行的短波長(zhǎng)。圖3.3-4 μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)QCL的P-I-V性能4. λ~6-10 μm的寬帶QCL在5 ~ 11 μm的光譜范圍內(nèi)，尤其富含NO、CH4、N2O、CO2、NH3等氣體的吸收譜線。要實(shí)現(xiàn)全范圍的中紅外光譜，需要 ...

的峰激光器和斜率效率1W/ a以及溫度性能T0=170 K與同類波長(zhǎng)的z佳QC激光器然而，在T=295 K時(shí)，它們顯示出更高的閾值電流密度3.5 kA/cm2。我們將此歸因于早期的導(dǎo)通電壓和伴隨的泄漏電流，因?yàn)樵隈詈蠣顟B(tài)和注入器狀態(tài)之間實(shí)現(xiàn)強(qiáng)隧穿之前，電子從耦合狀態(tài)躍遷到活性區(qū)域的較低狀態(tài)。對(duì)結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)將優(yōu)化增益以獲得較低的施加電壓并降低摻雜密度。了解更多詳情，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)上海昊量光電的官方網(wǎng)頁(yè)：http://www.arouy.cn/three-level-106.html更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn) ...

極化泵的調(diào)制斜率效率分別線性擬合為0.62 nJ和0.64 nJ。由于 1.38 um泵浦光子具有比QW帶隙更高的能量，因此由于不存在偏振依賴，預(yù)計(jì)TM和TE極化泵浦脈沖都將誘導(dǎo)帶間躍遷。因此，我們期望TM和TE泵都能產(chǎn)生相同的恢復(fù)壽命和調(diào)制效率。而圖2中兩種恢復(fù)曲線的微小差異可能是由實(shí)驗(yàn)不確定性引起的，我們不能排除TM和TE偏振近紅外脈沖在QCL波導(dǎo)中不同模式尺寸的貢獻(xiàn)。由于TE極化泵浦的模式略大，與TM極化泵浦相比，TE極化泵浦與QCL波導(dǎo)的耦合效率更高，與中紅外脈沖的模式重疊也更好。為了證明泵浦能量依賴的調(diào)制深度和恢復(fù)壽命，我們比較了使用不同能量(340 pJ和595 pJ) TE極化泵 ...

cm2,和斜率效率/發(fā)電能力為1542兆瓦,114兆瓦時(shí)的總光輸出功率得到了在288 K的閾值電流密度0.755 kA / cm2,斜率效率1079 mW /,和一個(gè)閾值電流密度0.83 kA / cm2,斜率效率879 mW /,和總輸出功率74兆瓦的實(shí)現(xiàn)在298 K cw操作演示了303 K的溫度,總光功率為45 mW，斜率效率為612 mW/ a。在303 K時(shí)，閾值電流密度仍然只有0.874 kA/cm2。Jth隨測(cè)試溫度的變化曲線擬合為Jth=J0 exp T/T0的經(jīng)驗(yàn)指數(shù)函數(shù)。擬合結(jié)果J0= 0.08 kA/cm2，接近文獻(xiàn)中使用MBE生長(zhǎng)構(gòu)建的類似QCL的0.07 kA/cm ...

收功率中提取斜率效率，并注意到提高了20%，達(dá)到1.3 _x0005_ Ith。然而，此后光脈沖變得不穩(wěn)定，導(dǎo)致斜率效率在1.3 _x0005_ Ith以上下降了60%。這表明蝕刻收縮引入的散射不足以完全抑制高功率水平下的不穩(wěn)定性。圖4為了進(jìn)一步增加高階橫向模所經(jīng)歷的損耗，我們用Pt填充溝槽并重復(fù)相同的實(shí)驗(yàn)。圖3顯示了FIB和Pt填充前后器件的光電流-電壓（LIV）特性。“前”曲線中的扭結(jié)和功率噪聲是由脈沖波動(dòng)（見(jiàn)圖3底部插圖）和指向不穩(wěn)定造成的，因?yàn)楫?dāng)光束轉(zhuǎn)向時(shí)，探測(cè)器上收集的光變少了。處理后得到的曲線沒(méi)有噪聲和扭結(jié)，從接收到的超過(guò)300個(gè)脈沖的平均輸出功率測(cè)量的斜率效率提高了65%，這是脈 ...

，z終提高了斜率效率，降低了閾值電流密度。有源區(qū)設(shè)計(jì)基于三個(gè)量子阱，采用兩個(gè)共振縱向光學(xué)（LO）聲子散射來(lái)減少低激光能級(jí)的填充。這種相對(duì)較低的電壓缺陷也有利于低溫下的WPE。圖2采用應(yīng)變平衡的In0.66Ga0.34As/Al0.69In0.31As材料，通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）在InP襯底上生長(zhǎng)了QCL結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由低損耗的InP基波導(dǎo)包層組成，包層位于43個(gè)重復(fù)的注入/活性區(qū)序列之上。每個(gè)注入?yún)^(qū)摻雜片密度為1*1011cm-1。采用傳統(tǒng)的III-V型半導(dǎo)體加工技術(shù)制備了脊寬為13.5 ~ 21.5 mm的脊波導(dǎo)激光器。采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）沉積0.3 m ...

對(duì)激光閾值和斜率效率都有貢獻(xiàn)，因此以不同的方式影響激光的操作。從脈沖和連續(xù)模式下閾值電流的比較[見(jiàn)圖4(c)]，我們可以估計(jì)相對(duì)于散熱器的活性區(qū)域溫度的增加約25 K，我們假設(shè)在低占空比（<1%）的脈沖模式下工作時(shí)，器件沒(méi)有發(fā)生明顯的加熱。分布式反饋激光器已經(jīng)由與DFB-C工藝相同的材料制成。波導(dǎo)核心在有源區(qū)兩側(cè)包括InGaAs包層，以增加光約束。我們的dfb利用了波導(dǎo)的這一特性，在波導(dǎo)InGaAs包層中蝕刻一個(gè)周期圖案，隨后再生長(zhǎng)InP低折射率層作為光波導(dǎo)的頂部包層。在另一種方案中，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一定距離的地方生長(zhǎng)，中間有一個(gè)InP緩沖層。這使我們能夠使用選擇性蝕 ...