展示全部
553nm激光器
553nm單縱模激光器
633nm單縱模激光器
785nm單縱模激光器
946nm單縱模激光器
1064nm單縱模激光器
830nm單縱模激光器
450nm激光器
785nm激光器
808nm激光器
915nm激光器
980nm激光器
1064nm激光器
607nm激光器
用橫模控制抑制量子級(jí)聯(lián)激光器的指向不穩(wěn)定性以前我們報(bào)道了QC激光器的模態(tài)不穩(wěn)定性和光束轉(zhuǎn)向使用固定NA(0.87)檢測(cè)器,我們發(fā)現(xiàn)脈沖不穩(wěn)定器件的脈沖平均接收功率降低高達(dá)20%。在脈沖內(nèi)不同柵極位置獲得的空間相關(guān)光譜表明,在橫向模式之間存在頻率鎖定,而遠(yuǎn)場(chǎng)強(qiáng)度分布的時(shí)間分辨測(cè)量顯示,光束在平面上轉(zhuǎn)向了10°。現(xiàn)在我們提出了一種在QC激光器中抑制指向不穩(wěn)定性的方法,該方法涉及通過(guò)窄、短(僅占腔長(zhǎng)度的百分之幾)和高損耗的脊波導(dǎo)收縮來(lái)控制橫向模式。這個(gè)想法是對(duì)分布在激光脊兩側(cè)的模式引入足夠的擾動(dòng),同時(shí)保持基本模式不變。收縮對(duì)器件的影響如圖1所示,圖1顯示了用COMSOL MULTIPHYSICS獲得 ...
免地會(huì)造成多橫模競(jìng)爭(zhēng),影響輸出光束質(zhì)量。光子晶體光纖無(wú)截止單模的特性使得光子晶體光纖被制作成大模場(chǎng)光纖成為可能,在保證單模傳輸?shù)那疤嵯拢m當(dāng)改變纖芯尺寸或空氣孔的間距即可得到更大的模場(chǎng)直徑(MFD)和數(shù)值孔徑(NA)。因此,光子晶體光纖可實(shí)現(xiàn)單模大模場(chǎng)面積,在保證激光傳輸質(zhì)量的同時(shí),顯著降低光纖中的激光功率密度,減小光纖中的非線性效應(yīng),提高光纖材料的損傷閾值;其次,光子晶體光纖可以實(shí)現(xiàn)較大的內(nèi)包層數(shù)值孔徑,從而提高抽運(yùn)光的耦合效率,可采用長(zhǎng)度相對(duì)較短的光纖實(shí)現(xiàn)高功率輸出。如圖1.2所示為空氣包層光子晶體光纖,由于光纖中具有較大的硅脊寬度和空氣包層,這些特點(diǎn)導(dǎo)致光纖的纖芯和包層之間的折射率差極大 ...
模式既滿足單橫模又滿足單縱模,其諧振器內(nèi)只有單一縱模進(jìn)行震蕩,并且輸出激光器光斑的能量分布呈高斯分布,除了激光器激光本身具有極好的單色性和方向性之外,單頻激光器擁有普通激光器難以達(dá)到的相干長(zhǎng)度和超窄的譜線寬度的特點(diǎn)。從光子的觀點(diǎn)來(lái)看,腔的模式也就是腔內(nèi)可以區(qū)分的光子狀態(tài),同一模式內(nèi)的光子具有完全相同的狀態(tài),腔內(nèi)電磁場(chǎng)的空間分布可分解為沿傳播方向(腔軸線方向)的分布和在垂直于傳播方向的橫截面內(nèi)的分布。其中,腔模沿腔軸線方向的穩(wěn)定場(chǎng)分布稱為諧振腔的縱模,而在垂直于腔軸的橫截面內(nèi)的穩(wěn)定場(chǎng)分布稱為諧振腔的橫模。常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)單縱模激光器有:①短腔激光器,通過(guò)縮短腔長(zhǎng)加大縱模間隔來(lái)實(shí)現(xiàn)單縱模工作的。常規(guī)結(jié)構(gòu) ...
格反射鏡和縱橫模耦合,在傳統(tǒng)的XFELO結(jié)構(gòu)中進(jìn)行模式選擇,從而產(chǎn)生自然攜帶OAM的完全相干硬X射線。結(jié)果:(1)模擬結(jié)果表明,在沒(méi)有光模式轉(zhuǎn)換器的情況下,可以產(chǎn)生1MHz的完全相干硬X射線OAM光束,脈沖能量約為120uJ。DOI:https://doi.org/10.1364/OPTICA.428341 關(guān)于昊量光電:上海昊量光電設(shè)備有限公司是國(guó)內(nèi)知名光電產(chǎn)品專業(yè)代理商,代理品牌均處于相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展前沿;產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器、光學(xué)測(cè)量設(shè)備、精密光學(xué)元件等,涉及應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫(yī)療、科學(xué)研究、國(guó)防及更細(xì)分的前沿市場(chǎng)如量子光學(xué)、生物顯微、物聯(lián)傳感、精密加工、先進(jìn)激 ...
需特性(例如橫模或波長(zhǎng))的光束“播種”腔體。當(dāng)Q值升高時(shí),從種子源開(kāi)始產(chǎn)生激光,產(chǎn)生具有種子源特性的調(diào)Q脈沖。被動(dòng)調(diào)Q,Q開(kāi)關(guān)是一種可飽和吸收體,這種材料的透射率會(huì)在光強(qiáng)超過(guò)某個(gè)閾值時(shí)增加。該材料可以是離子摻雜晶體,如Cr:YAG,用于Nd:YAG 激光器的Q開(kāi)關(guān)、可漂白染料或無(wú)源半導(dǎo)體器件。最初,可飽和吸收體的損耗很高,一旦大量能量存儲(chǔ)在增益介質(zhì)中,就可以產(chǎn)生一些激光。隨著激光功率的增加,它會(huì)使吸收體飽和,即迅速降低諧振腔損耗,從而使功率可以更快地增加。理想情況下,這會(huì)使吸收器進(jìn)入低損耗狀態(tài),以允許通過(guò)激光脈沖有效提取存儲(chǔ)的能量。脈沖結(jié)束后,吸收體在增益恢復(fù)之前恢復(fù)到高損耗狀態(tài),從而延遲下一 ...
需要將激光的橫模與腔模耦合起來(lái)。另一方面,多通腔只允許幾十米的相互作用距離,但它們的要求不那么苛刻。反射鏡的反射率較低,但其工作帶寬要寬得多。多通道腔體對(duì)機(jī)械和熱變化更加穩(wěn)健,消除了對(duì)反饋系統(tǒng)的需要。qcl相對(duì)高的功率和充足的光學(xué)腔的結(jié)合已被成功地用于實(shí)現(xiàn)高靈敏度的光譜技術(shù),如腔衰蕩、光聲光譜、波長(zhǎng)調(diào)制光譜和集成腔輸出光譜。其中一些技術(shù)已顯示出ppmv、ppbv和pptv水平的敏感性。然而,這些技術(shù)只專注于檢測(cè)一種或兩種選定的分子,主要是因?yàn)樗鼈冎皇褂昧诵》秶膓cl可調(diào)帶寬。通過(guò)使用全qcl的可調(diào)性,可以檢測(cè)和區(qū)分存在于更復(fù)雜的分子混合物中的成分。您可以通過(guò)我們的官方網(wǎng)站了解更多可調(diào)諧脈沖量 ...
高功率激光器橫模特性的主要參數(shù)。分析光束質(zhì)量有利于探索高功率激光的模場(chǎng)變化機(jī)理,從而更好地設(shè)計(jì)和制造激光裝置;掌握上述參數(shù)還有助于評(píng)估激光近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)特性的動(dòng)態(tài)變化,對(duì)激光模場(chǎng)進(jìn)行控制和利用,從而改善激光的近場(chǎng)或遠(yuǎn)場(chǎng)特性。目前光束質(zhì)量的測(cè)量大多依靠光束分析儀進(jìn)行測(cè)量,但是隨著激光功率和輸出孔徑的逐漸增加,目前常用的以硅基作為探測(cè)芯片的光束分析儀顯然難以滿足,需要對(duì)原有激光進(jìn)行處理,這就有必要研制高功率光束質(zhì)量測(cè)量中的衰減縮束組件。本文建立衰減縮束組件模型并進(jìn)行仿真分析,研究高功率激光照射下其波相差對(duì)M2的影響。M2的表達(dá)公式如式(1)所示,原理圖如圖(1)所示,其原理為,基于光強(qiáng)二階矩定義計(jì)算出 ...
高功率激光器光束質(zhì)量測(cè)量的衰減縮束仿真研究(二)衰減組件偏振特性對(duì)光束質(zhì)量因子的影響仿真當(dāng)高功率激光按照一定角度入射到衰減組件中時(shí),光的偏振態(tài)會(huì)發(fā)生變化,這也會(huì)對(duì)M2的結(jié)果產(chǎn)生影響。仿真計(jì)算衰減組件偏振特性對(duì)光束質(zhì)量因子影響的流程圖如圖1所示。圖1 偏轉(zhuǎn)特性仿真流程圖首先根據(jù)光纖參數(shù)和波長(zhǎng)計(jì)算出光纖中的偏轉(zhuǎn)種類和數(shù)目,并計(jì)算出對(duì)應(yīng)本征模的復(fù)振幅,可以通過(guò)改變x和y方向上的偏振光系數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)s光和p光的切換。根據(jù)計(jì)算出的復(fù)振幅分布就可以計(jì)算出光強(qiáng)并zui終計(jì)算出不同偏振態(tài)下的M2。圖2為不同偏轉(zhuǎn)態(tài)下仿真所得的到的M2。根據(jù)圖2可知單一偏振方向的M2和原始輸出光的M2不同,且s光和p光的M2均小于原 ...
被抑制的高階橫模。隨著加熱功率的增大,初始?xì)庀?4.3μm也增大。因此,單模發(fā)射波長(zhǎng)不斷向更高的值移動(dòng)。圖4 (a)連續(xù)波(CW)下,不同MEMS加熱電流下固定偏置19mA的VCSEL光譜。(b)調(diào)諧波長(zhǎng)隨MEMS加熱功率的變化。插入顯示調(diào)諧波長(zhǎng)對(duì)MEMS電流對(duì)于這種特殊的VCSEL,通過(guò)將MEMS電流增加到27mA,可以將激光波長(zhǎng)調(diào)諧到1584nm。這對(duì)應(yīng)于60nm的連續(xù)單模調(diào)諧,中心波長(zhǎng)為1554nm。在1584nm的發(fā)射波長(zhǎng)處,激光模式與下一個(gè)高階縱向模式競(jìng)爭(zhēng),當(dāng)MEMS電流高于27mA時(shí),縱向模式zui終在1524nm處開(kāi)始激光。排放峰值隨加熱功率的變化如圖4(b)所示。依賴于Lair ...
或 投遞簡(jiǎn)歷至: hr@auniontech.com