助力砷化鎵準費米能級映射砷化鎵（GaAs）作為一種you秀的III-V族半導體化合物，在光伏應用中廣泛受到青睞，這歸功于電子遷移率、直接帶隙和精密調控的生長機制。GaAs單結器件已經實現了效率，接近驚人的30%閾值。迅速成為薄膜太陽能電池的優質材料。Photon etc.公司的基于體積布拉格光柵的高光譜成像平臺（IMA）可以對GaAs進行表征，IPVF（以前稱為IRDEP-光伏能源研究與開發研究所）的科學家利用IMA系統對GaAs太陽能電池進行表征。成功地在標準GaAs太陽能電池中獲取了光譜和空間分辨光致發光（PL）圖像。他們利用532nm激光器通過顯微鏡物鏡實現了整個視場的均勻照明，從而使得 ...

直接相關的準費米能級分裂（Δμeff）（見圖1（c）和（d））。借助太陽能電池和LED之間的互易關系，可以從EL圖像中推導出外部量子效率（EQE）。在樣品的整個表面上獲得微米級的基本特性有助于改進制造工藝，從而達到更高的電池效率。圖2.（a）集成PL發射和（b）集成EL發射的高光譜圖像。使用廣義普朗克定律，可以推導出（c）和（d）Δμeff映射。改編自[3]。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.arouy.cn/details-1007.html相關文獻：[1] Yoshida S. et al. 2019,Solar frontier achiev ...

點處虛線表示費米能級。第1個主要帶結構研究表明，單層GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe和InTe的帶隙在2.0 - 3.3 eV之間(圖2)。在單分子層極限下，III-VI單硫族化合物具有準間接帶隙，主要價帶呈火山口形狀。這種形狀導致價帶蕞大值與Γ點略有偏離。進一步的復雜性可以通過考慮SOC效應的擾動來獲得，這在GaSe和InSe中已經得到了廣泛的研究。原子荷電性導致自旋態分裂和能帶混合，而晶體對稱性產生的荷電性會導致額外的自旋分裂并影響自旋弛豫。當考慮N(層數)大于時，這些系統的復雜性會加深。層序和層數可以改變帶隙，改變初級價帶形狀，誘導鐵電，調節自旋弛豫。其他效應，如鐵磁性，預測 ...

指電子處的準費米能級和空穴接觸在照明下的分裂。通常，測量有效QFLS（Δμeff），因為照明的樣品區域不是無限小的，并且延伸到具有多個晶界的較大區域。這些內部接口會導致內部損耗降低理想的QFLS。太陽能電池在熱平衡和室溫下的PL發射ΦPL可以通過廣義普朗克定律使用黑體的玻爾茲曼近似來描述。由于太陽能電池不是理想的黑體，因此必須考慮樣品吸收率，即吸收的光子與入射光子數的比率或吸收概率。光子發射的有效角度通常小于整個半球。只有在低于臨界角的角度下發射的光子才能離開鈣鈦礦樣品表面，而在較高的角度下會發生全內反射。在進行局部QFLS的計算之前，必須首先確定PL發射光譜的中心波長（PL峰值位置），因為該 ...

料趨于平衡其費米能級，電子從具有較低功函數的材料（電子供體）流向具有較高功函數的材料（電子受體）。當接觸表面達到平衡狀態時，電子供體帶正電，而電子受體帶負電。在這個階段，這兩種材料的分離導致電子受體中殘留電子。在TENGs中，殘余電子通過外部電路流出，從而恢復到其原始狀態，該過程被設計用來發電。兩種材料之間的功函數差異越大，接觸時從一種材料轉移到另一種材料的電子數量就越大。TENGs的性能與控制兩種接觸材料的功函數，使它們具有較大的差異，增大摩擦電荷直接相關。因此，研究人員一直在尋找增加TENGs中電子受體功函數的方法。一種方法就是選擇電子受體的材料，與電子供體的材料相比，功函數相差較大。Mo ...

/弛豫區的準費米能級返回到RT下的激光紫外光。很明顯，對于波長較短的激光器，晶格匹配材料越來越難以滿足這一條件，除了降低注入效率外，還會顯著導致RT下的性能下降。事實上，第1個展示連續RT操作的工作激光器如圖3所示。因此，應變補償激光材料優先用于MWIR波長激光器，盡管由于材料的生長能力，應變量是有限的。高應變材料可以帶來更大的帶偏移，但在導帶中向側谷的散射可以為非輻射躍遷過程增加通道，并且其對激光操作性能的影響目前尚未完全了解。更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、光學元件等，涉及 ...