s超穩定外腔半導體激光器，空間&光纖雙輸出！強勢回歸！！！外腔半導體激光器(ECDL)具有高度可控的發射特性，是相干光通信、光學和原子物理等領域的理想激光源。ECDL使用頻率選擇性反饋來實現窄線寬和可調諧性，通常使用Littrow或Littman–Metcalf配置的衍射光柵。有很多文獻對ECDL的設計做出評論，提到了它許多的優點，包括線寬、被動穩定性、可調性、結構簡單、緊湊等。在原子鐘中的應用，原子相干過程，如電磁感應透明，和超快光纖通信的相干檢測的新發展，需要遠低于1MHz的被動激光線寬。一些研究已經介紹了重要的參數和貢獻，注意到固有線寬取決于從外部腔的反饋。實驗研究了腔長、功率、 ...

D、光導管或半導體激光器，也可以對這些光源技術進行組合。這可以根據zui終用戶的應用對亮度、角度分布和輻照度的要求進行定制。根據這一定義，光引擎輸出的光譜分布可以通過加法組合，而這與傳統的寬光譜照明設備（電弧放電和白熾燈）形成鮮明對比。傳統的照明設備產生的光譜分布在物理上是不變的，只能通過選擇性的阻擋和衰減來調整。從工程學的角度來看，固態光源的第二個主要優點是，它的輸出可以在強度（圖2、圖4）和時間（圖4、圖5）方面進行精確控制。因此，光譜輸出單元件的差異很小（圖2），這使得光引擎應用于不同成像系統時，所獲得的數據質量能保持一致。圖1.固態光引擎及其輸出光譜的概念圖。四個固態光源的輸出被合并入 ...

是一種強大的半導體激光器，可以發射相干高準直MIR光，亮度高于FTIR和同步加速器。據報道，QCL的一些應用包括化合物的遠距離檢測，水溶液中蛋白質的傳感，土壤中爆炸物的定量分析和土壤中石油的定量分析，以及化學反應的監測。由于QCL的高光功率，這些都是一些具有挑戰性的條件，其中測量是可能的。由于高亮度，QCL比FTIR和NIRS需要更少的積分時間，以在更高的信噪比頻譜中工作。由于QCL的高分辨率，在極低濃度和高選擇性下對氣體進行分析監測是可行的，這表明了該儀器的通用性。Ostendorf等人已經證明了漫反射模式下QCL在分析食品質量、檢測花生中是否存在霉菌以及通過背反射測量遠程檢測爆炸物方面的能 ...

M重頻的皮秒半導體激光器來激發被測物，需要測量如圖1中的拉曼信號，盡可能的屏蔽掉其他非目標信號的干擾。圖1但我們只需要第1ns的目標信號，隔絕1ns外的非目標信號，所以在SPAD Lambda的門編輯模式中設置2ns的SPAD工作門，并且激光同步信號和內部工作門信號的上升沿的延遲時間設置為99ns（99000ps），這樣兩個信號的關系就如同圖2所示：圖2探測器中的TDC會一直持續工作，但是SPAD只會在上一個激光周期的第99ns（空測）和下一個激光周期的第1ns（有效測量）工作，SPAD在其余時間均為不工作狀態，可以有效的隔絕來自非目標信號的干擾，如果需要調整對于目標信號探測時間段，則可以通過 ...

激光器支架，半導體激光器和電控二維位移平臺組成。圖1 基于二維數控位移臺的二維光學測試平臺PSD在測試系統中主要用于靜止/動態零位重復性，振鏡反射鏡與電機軸的不平行度測量，測量依賴于二維PSD兩個方向的位置信息，二維PSD在x和y兩個方向均具有對稱性，因此我們只針對其中的x正方向進行測試，測試結果如表1所示。表1 二維PSD在x（0~5mm）方向的測試數據根據z小二乘法和對稱性可以擬合計算出在-5mm~5mm量程范圍內的擬合曲線，得到如圖2所示的結果，計算可以得到PSD在x方向的非線性為0.7%，遲滯誤差為0.1%。圖2 二維PSD在x方向的數據和擬合曲線除了位置線性度之外，時間漂移也是一個較 ...

用于高帶寬WDM-PONs的1.55um VCSEL陣列(1)-設備結構垂直腔面發射激光器（VCSELs）已被證明是波分復用無源光網絡（wdm-pon）中具有成本效益的光源，近年來制造技術穩步發展，特別是單片一維（1-D）和二維陣列制造。爆炸性的帶寬需求，特別是在上傳和下載速度方面，將需要在接入網中采用WDM技術。由于電信系統的主要問題是連通性，因此未來的系統需要對稱的上下游帶寬。為了在未來實現有吸引力的市場條件，每帶寬的成本必須大幅降低。在這里，我們描述并描述了一種一維VCSELs陣列結構，該結構可以在不進一步投資的情況下實現每個客戶帶寬的升級（從2.5Gb/s到潛在的80Gb/s甚至120 ...

用于高帶寬WDM-PONs的1.55um VCSEL陣列(2)-設備屬性與實驗設備屬性通常，單片集成的VCSEL陣列具有非常高的均勻性。我們也證明了我們的長波長陣列的這種行為。在圖2中，我們給出了在室溫下，沒有任何主動冷卻的情況下，測量到的112vcsel陣列的光輸出-電流（L-I）特性。我們計算出了VCSEL陣列中所有激光器的光輸出-電流-電壓（L-I-V）和光譜特性非常均勻。1×12 VCSEL陣列室溫下的L-I曲線請注意，器件之間沒有熱串擾，因為它們直接集成到金色散熱器中。這些小孔徑器件的輸出功率通常在1.5mW左右。具有較大孔徑的器件顯示單模輸出功率為幾毫瓦，并在85℃時提供高于0dB ...

1.55μmVCSEL與增強調制帶寬和溫度范圍-調制性能與高溫操作調制性能由于光學諧振腔中的載流子和光子密度非常高，內部調制行為表現出更高的阻尼，因此低寄生對VCSELs尤為重要。因此，VCSELs的特點是具有較小的松弛振蕩超調，可以補償寄生滾轉。在圖3中，可以在很寬的溫度范圍內確定優越的調制性能。如圖3(a)所示，3dB帶寬在25℃時超過12GHz，在55℃時為11GHz，在85℃時為10GHz，如圖3(b)所示。散點代表測量數據，而繪制的穿過線擬合到公式(1)，可以提取如圖4所示的內在參數。在這里，我們展示了先前和改進設計的阻尼率與共振頻率fR平方的關系，提取了-因子和阻尼偏移。通過速率方 ...

1.55μmVCSEL與增強調制帶寬和溫度范圍-設備結構內部帶寬超過20GHz的垂直腔面發射激光器（VCSELs）在近紅外光譜中發射約850nm。然而，這個波段只能用于短距離；因此，長波長高速VCSELs的開發一直在不斷努力，并不斷改進。特別是具有埋地隧道結（BTJ）的長波VCSELs已顯示出良好的效果和創紀錄的高調制帶寬。在討論100-G以太網標準時，建議采用8×12.5Gb/s、6×17Gb/s和4×25Gb/s的并行方法，由于成本問題，更傾向于采用更高的串行帶寬。7~8GHz的調制帶寬足以滿足10Gb/s的數據傳輸；因此，10GHz、13GHz和19GHz的激光帶寬需要實現更高的數據速率 ...

色散補償光纖的1.55μmVCSEL調制性能-高速特性與數據傳輸實驗高速特性在芯片級驗證了小信號調制性能，如圖3所示。對不同偏置電流下VCSEL芯片的小信號頻率響應進行了測量。測量使用HP8510C矢量網絡分析儀與匹配校準的光電二極管。采用級聯微探針對芯片進行探測，并利用標定基板對芯片平面進行標定。實線適用于三極濾波函數，包括弛豫振蕩頻率、本征阻尼和寄生。曲線擬合允許提取調制電流效率因子和熱限制Max松弛振蕩頻率等幾個固有參數。室溫時帶寬超過11GHz，85℃時帶寬降至8GHz，足以滿足10Gb/s的數據傳輸。室溫下1.55um VCSEL的小信號頻率響應實線適合于三極濾波器函數數據傳輸實驗在 ...