墨烯器件放在拋光的銅板上（發(fā)射率約為0.1）,然后把器件和銅板放在加熱板上（如圖二a所示）.使用熱電偶來測量表面多層石墨烯的溫度,調(diào)節(jié)熱板的溫度,以保持表面多層石墨烯的溫度為35℃.使用Tix500熱像儀以恒定的發(fā)射率1記錄多層器件在不同插入偏壓下的熱像圖（如圖二b所示）.偏壓范圍由離子液體的電化學(xué)窗口決定。圖二b顯示了器件的紅外溫度從0 V時(shí)的30.5°C降低到4V時(shí)的28.1°C,可以通過ε=ε1（T1 / T）^4來確定表面的發(fā)射率ε,其中ε1是用于熱成像的發(fā)射率,T1是紅外溫度,T是通過熱電偶測得的實(shí)際溫度,因此這意味著通過離子液體嵌入抑降低器件的發(fā)射率.根據(jù)熱成像可以確定不同插層偏壓 ...

都是采用研磨拋光方法；光纖對準(zhǔn)調(diào)節(jié)一般采用無源或者有源二次對準(zhǔn)技術(shù)；而光纖接頭固定結(jié)構(gòu)則是隨著固定光纖并使之對準(zhǔn)的方式以及連接器的鎖定裝置而形式各異。對接耦合式光纖連接器，無論是對單模光纖還是多模光纖系統(tǒng)，常用的對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)一般都采用直套筒式錐形（雙錐形）套筒結(jié)構(gòu)。如圖2所示，兩根帶連接的光纖被固定在兩個金屬或陶瓷的內(nèi)套筒中，內(nèi)套筒中心打有直徑為126 um（對單模光纖）或這127 um（對多模光纖）左右的精密孔，其孔徑稍大于包層外徑。兩個內(nèi)套筒共置于一個精密的圓柱形定位筒（即外套筒）內(nèi)，以保證兩根光纖同軸且兩端面準(zhǔn)確地接觸。兩個內(nèi)套筒的軸向定位由兩端的保持彈簧來保證。圖2 圓柱套筒型連接器基 ...

都是采用研磨拋光方法；光纖對準(zhǔn)調(diào)節(jié)一般采用無源或者有源二次對準(zhǔn)技術(shù)；而光纖接頭固定結(jié)構(gòu)則是隨著固定光纖并使之對準(zhǔn)的方式以及連接器的鎖定裝置而形式各異。對接耦合式光纖連接器，無論是對單模光纖還是多模光纖系統(tǒng)，常用的對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)一般都采用直套筒式錐形（雙錐形）套筒結(jié)構(gòu)。如圖2所示，兩根帶連接的光纖被固定在兩個金屬或陶瓷的內(nèi)套筒中，內(nèi)套筒中心打有直徑為126 um（對單模光纖）或這127 um（對多模光纖）左右的精密孔，其孔徑稍大于包層外徑。兩個內(nèi)套筒共置于一個精密的圓柱形定位筒（即外套筒）內(nèi)，以保證兩根光纖同軸且兩端面準(zhǔn)確地接觸。兩個內(nèi)套筒的軸向定位由兩端的保持彈簧來保證。圖2 圓柱套筒型連接器基 ...

是微球面研磨拋光，插芯表面研磨成輕微球面。UPC (Ultra Physical Contact)，超物理端面。UPC連接器端面并不是完全平的，有一個輕微的弧度。APC (Angled Physical Contact)，斜面物理接觸，光纖端面通常研磨成8°斜面。插入損耗（Insertion Loss）：PC、UPC和APC連接器的典型插入損耗應(yīng)小于0.3dB（較大值），典型值一般小于0.2dB，UPC/PC連接器通常更容易實(shí)現(xiàn)低插入損耗。回波損耗（Return Loss）：APC連接器的回波損耗通常優(yōu)于UPC連接器，PC回波損耗為-45dB。UPC回波損耗一般是在-50dB（甚至更高）。AP ...

的基礎(chǔ)上優(yōu)化拋光和表面光潔度，使得端面的更具有弧度，在視覺上呈現(xiàn)更強(qiáng)的圓頂狀。UPC研磨的光纖連接器常用于以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、電話系統(tǒng)等。APC型：Angled Physical Contact，斜面物理接觸，即光纖端面的研磨帶有一個特定的角度，常用的有6度、8度。相較于前兩種研磨得到的光纖連接器而言，APC研磨的連接器，可以使光纖端面連接更加緊密，并讓反射回來的光信號通過其斜面反射到包層而不是光源處，有效抑制了反射光線對整個系統(tǒng)的影響，提供了更好的連接性能。APC研磨的光纖連接器則常用于高波長范圍的光學(xué)射頻應(yīng)用。按照連接器連接方式分：為適應(yīng)不同的使用場景，研發(fā)出了多種特點(diǎn)各異的光纖接頭，下面介紹 ...

模塊和輸出端拋光 FC/PC 連接器，反射率約為 4%。PCF 用于生成參數(shù)四波混頻 (FWM) 增益可通過波長調(diào)諧在750nm和980nm 之間進(jìn)行波長調(diào)諧僅5ms內(nèi)的振蕩器（相應(yīng)的波長調(diào)諧曲線可以在參考文獻(xiàn)的圖 3（a）中找到。）。FOPO 和放大的振蕩器脈沖的組合用作 CARS 的泵浦和斯托克斯波，并允許處理 700 cm-1和 3200 cm-1之間的拉曼譜帶。FOPO 諧振器中的 SMF完成了光譜窄色散調(diào)諧 ，使得反饋信號脈沖在時(shí)間上被拉長，并且只有窄光譜部分 (<12 cm-1) 與下一個要放大的泵浦脈沖重疊。因此，諧振器的光路長度直接與 FOPO 輸出的波長相關(guān)。自定義—— ...

，圓片再經(jīng)由拋光便可形成芯片制造所需的硅晶圓。經(jīng)過這么多步驟，芯片基板的制造便大功告成，下一步便是堆疊房子的步驟，也就是芯片制造。至于該如何制作芯片呢？三、層層堆疊打造的芯片在介紹過硅晶圓是什么東西后，同時(shí)，也知道制造 IC 芯片就像是用樂高積木蓋房子一樣，藉由一層又一層的堆疊，創(chuàng)造自己所期望的造型。然而，蓋房子有相當(dāng)多的步驟，IC 制造也是一樣，制造 IC 究竟有哪些步驟？下面將對 IC 芯片制造的流程做介紹。在開始前，我們要先認(rèn)識 IC 芯片是什么。IC，全名積體電路（Integrated Circuit），由它的命名可知它是將設(shè)計(jì)好的電路，以堆疊的方式組合起來。藉由這個方法，我們可以減少 ...

的鏡面表面用拋光技術(shù)拋光到1納米以下的粗糙度。硅的獨(dú)特之處在于，在鏡面金屬化之前，可以使用各種方法使表面超凈。此外，硅材料本身在制造過程中沒有任何殘余應(yīng)力，在鏡面微加工后仍保持這種性能。因此，硅反射鏡具有較高的平整度，曲率通常低于用傳統(tǒng)干涉儀測量的水平。作為MEMS鏡面的基材，硅具有較優(yōu)的潔凈度、平整度。在光束轉(zhuǎn)向應(yīng)用的Z后制造步驟中，硅鏡面必須涂覆以獲得所需波長的高反射率。在標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)過程中，硅鏡上會涂上一層薄薄的鋁，所有庫存的MEMS鏡面都用的鋁涂層。一些研發(fā)生產(chǎn)過程中的設(shè)計(jì)被涂上了黃金。一般來說，可以使用其他涂層材料，但有必要找到薄的、低應(yīng)力的涂層，而不會顯著降低鏡子的平整度特性。這是一個 ...

離子交換樹脂拋光AHA溶液，以去除微量鹽并降低溶液的電導(dǎo)率。使用先前發(fā)表的方法測量了該電解質(zhì)系統(tǒng)的交越頻率（COF），發(fā)現(xiàn)其交越頻率（COF）為6.2MHz。3.3阻抗測量我們利用上游并行點(diǎn)陣列驅(qū)動fDEP流通過通道，并利用下游45°交錯陣列作為阻抗傳感器。平行點(diǎn)電極軸向間隔20m，并對稱橋接微通道的寬度。我們使用帶有尖銳點(diǎn)的電極將電場聚焦到電極的尖端，并沿著主流通道壁增加與PDMS和玻璃基板的接觸。一個函數(shù)發(fā)生器(RigolDG4102)被連接到fDEP電極上，并傳遞一個交流電場來取代跨通道的接口。下游阻抗電極被交錯，并相對于流動方向定位在45?的角度，以最大限度地提高陣列對界面位置變化的敏 ...

及用于光學(xué)的拋光和研磨。高溫高壓法的缺點(diǎn)是它只能生產(chǎn)出納米級到毫米級的單晶金剛石，這限制了它的應(yīng)用范圍。直到金剛石的化學(xué)氣相沉積（CVD）生產(chǎn)方法以及金剛石薄膜的出現(xiàn)，該金剛石的形式可以允許其更多的高ji特性被利用。金剛石的化學(xué)氣相沉積（CVD）生產(chǎn)方法相比起HPHT 復(fù)制自然界金剛石產(chǎn)生的環(huán)境和方法，化學(xué)氣相沉積選擇將碳原子一次一個地添加到初始模板中，從而產(chǎn)生四面體鍵合碳網(wǎng)絡(luò)結(jié)果。化學(xué)氣相沉法，顧名思義，其主要涉及在固體表面上方發(fā)生的氣相化學(xué)反應(yīng)，從而導(dǎo)致沉積到該表面上。下圖展示了一些比較常見的制備方法金剛石薄膜一旦單個金剛石微晶在表面成核，就會在三個維度上進(jìn)行生長，直到晶體聚結(jié)。而形成了連 ...