能參數是正向插入損耗、反向（逆向）隔離度、回波損耗，其定義分別為：（1）正向插入損耗 其定義為：正向光路傳輸時其輸出光功率與輸入光功率之比，以分貝的形式表示應為：L=10 lg(Po正/Pi正) （dB）；（2）反向（逆向）隔離度 首先需定義反向（逆向）插入損耗為：反向（逆向）光路傳輸時其輸出光功率與輸入光功率之比，以分貝的形式表示：L′=10 lg(Po反/Pi反) （dB）；（3）回波損耗 其定義為：輸入端口自身返回光功率與輸入光功率之比。 光隔離器加到光路中，對其要求是：正向插入損耗越小越好，典型值為1 dB；反向隔離度越大越好，典型值40-50 dB。二、光隔離器的類型與工作原 ...

成8°斜面。插入損耗（Insertion Loss）：PC、UPC和APC連接器的典型插入損耗應小于0.3dB（較大值），典型值一般小于0.2dB，UPC/PC連接器通常更容易實現低插入損耗。回波損耗（Return Loss）：APC連接器的回波損耗通常優于UPC連接器，PC回波損耗為-45dB。UPC回波損耗一般是在-50dB（甚至更高）。APC工業標準的回波損耗為-60dB三、工藝光纖準直器的加工過程就是將尾纖（Pigtail）與準直透鏡（C-LENS）組裝在一起，精細控制兩者之間的距離，將輸出光束的束腰調整到需要的工作距離。這個過程中，需要注意：1、APC的斜8度角要與C-LENS的斜8 ...

性能的影響。插入損耗（Insertion Loss），是指對光纖連接器而言，輸出光功率與輸出光功率之比的分貝數，即IL=-10lg(pout/pin)插入損耗常被用來衡量連接器給系統造成的光功率衰減，由于系統中需要加入多個連接器進行接續，會增加系統設計的功率代價，因此連接器的插入損耗應該盡可能的小。您可以通過我們的官方網站了解更多的產品信息，或直接來電咨詢4006-888-532。 ...

們具有極低的插入損耗和高功率處理能力。此處不討論的集成光調制器使用波導技術來降低所需的驅動電壓，是特定于波長的。與體調制器不同，這些調制器是光纖尾纖且結構緊湊。在簡要討論了電光效應之后，本應用筆記將描述體調制器的使用和應用。電光效應線性電光效應是折射率的變化，它與外加電場的大小成正比。1 外加電場對折射率的影響，可以通過任意偏振的光束觀察到晶體中的方向，由三階張量描述。忽略物理量的矢量性質，外部電場對晶體折射率的影響具有以下形式其中 是折射率的變化，no 是未受擾動的折射率，r 是電光張量中的適當元素，E 是施加的電場。 即使在少數具有大電光系數的晶體中，這種影響也很小。 例如，對鈮酸鋰晶體 ...

率分布是決定插入損耗和傳播模式的關鍵參數。基于定量相位成像技術（QPI），Phascis的波前分析儀可以作為測量折射率變化的高精度計量儀器。準確測量折射率變化，對于生產光子器件的開發、優化和質量監控是必要的。作為一種非破壞性測量方法，QPI可提供精確的波導折射率分布。SID4成像系統適用于測量光纖或激光寫入波導。集成在光學顯微鏡Phascis定量相位成像（QPI）相機安裝在經典明場顯微鏡上，并且無需修改顯微鏡。Phasics輸出的相位圖可以輕易的轉化為折射率，如下所示，OPD=(n2-n1)*d，其中n2和n1分別是周圍材料的折射率，并且波導和d是折射率變化區的厚度。光波導測量結構波導成像可以 ...

的主要原因。插入損耗/傳輸效率EOM有著較低的損耗，這主要是晶體內部吸收造成的。EOM通常可以提供>98%的傳輸效率，定制設備的傳輸效率甚至更高。由于衍射過程本身的效率有限，AOM的整體透射率較低。當使用①級衍射光束時，插入損耗需要考慮光透射率以及衍射效率。傳輸到①級衍射光可以達到輸入光強的90%。當使用無衍射(零級衍射光)光束時，透射率可超過95%。對比度/消光對比度或消光的定義是開放和封閉狀態之間的透射強度比。在某些應用中，這是非常重要的，但在其他應用中，如鎖模，它就不那么重要了。EOM通常比AOM能提供更高的對比度。幾種G&H的EOM提供> 3500:1的消光，而對于 ...

瓷腔濾波器的插入損耗分別為1.3 dB、0.2 dB和2.1 dB。第1個LNA的NF為0.6 dB，由于所有連接器和SMA部分約0.8 dB，存在額外的損耗。從交換機到包括第1個LNA的NF為5.0 dB。輻射計系統噪聲溫度Tsys由以dB為單位的NF計算[22]：Tref是290k。這對應于Tsys為627 K。圖1所示，L波段輻射計射頻(RF)前端和后探測電子器件的框圖。圖2，用矢量網絡分析儀(VNA)測量濾波器響應:(a)寬帶響應;(b)頻率y軸在保護頻帶附近變焦。2.2．后端及處理Linux微控制器驅動開關，讀取溫度傳感器，并對模數轉換器(ADC)進行采樣，讀取功率檢測器輸出信號。開 ...

制器的光纖間插入損耗為13 dB[見圖5(b)]。圖5(c)顯示了制造的環形諧振器的光傳輸。環形諧振器的質量因子為1.2 ×105，線寬為12 pm (1.5 GHz)，計算的傳播損耗為2.5 dB/cm[見圖5(d)]。通過改進制造工藝，可以實現0.1 dB/cm的低插入損耗，從而獲得更好的靈敏度。然而，由于諧振會更窄，這將限制器件的工作帶寬，并且為了獲得更高的靈敏度，將需要非常窄的激光線寬，因為任何相位噪聲都會在微環諧振器器件后轉換為強度噪聲。使用該技術，預計靈敏度級別為5 mV/mHz1/2，max帶寬為~ 300 MHz。圖5所示。(a)封裝的電場傳感器頭，(b)測量光柵耦合器的插入損 ...

處，器件的光插入損耗為- 13 dB。在參考文獻38 - 41中解釋了制造過程和器件結構的更多細節。通過測量LNOI電光電場傳感器對100 kHz振蕩電場的響應，對LNOI電光電場傳感器的基本功能進行了測試和驗證。測得探測器的靈敏度為2.2 Vm?1Hz?1/2。試驗的細節已在別處描述過。實驗安排利用圖6所示的兩個超短1550 nm激光脈沖，在太赫茲頻率下對薄膜LNOI電光探測器進行了表征。利用光纖發射級將激光探測脈沖自由空間耦合到器件的康寧PANDA保偏單模輸入光纖中。激光泵浦脈沖通過光整流傳輸到有機晶體(OH1)產生太赫茲波。光轉換TOPAS Prime光參量放大器(OPA)泵浦采用相干A ...

并且芯片上的插入損耗(IL)為1.0 dB。4.結論我們首次展示了一種在低溫下為量子系統應用而設計的集成等離子體調制器。這些等離子體調制器在低于4 K的低溫環境中具有超過100 GHz的電光帶寬。此外，我們還驗證了等離子體調制器在沒有電學放大器的4 K環境下，以高達128 Gbd的2 PAM信號分別在200 mVP,50Ω、100 mVP,50Ω的低電驅動下進行高速數據傳輸，數據速率分別為64 Gbit/s和16 Gbit/s 。上海昊量光電作為等離子體調制器的中國代理，為您提供專業的選型以及技術服務。對于等離子體調制器有興趣或者任何問題，都歡迎通過電話、電子郵件或者微信與我們聯系。如果您對等 ...