射率的分布式布拉格反射器（DBR），與需要30-40對反射鏡的半導體DBR相比，DBR要薄得多。這使有效腔長度減少了50%以上，并大大降低了光子壽命，這一效應直接增加了器件的帶寬InPBTJVCSEL概念包括一個特定的處理步驟，其中大部分半導體材料被蝕刻掉，為晶圓上的每個激光器產生一個定義的半導體平臺結構。這個制造步驟產生的空隙隨后被苯并環丁烯（BCB）填充，這是一種聚合物材料，被旋轉到晶圓上并在高溫下固化。被測設計（DUT）的平臺直徑已進一步優化，以保持寄生到Min。如圖1(a)所示，在室溫下，光子壽命的降低和寄生率的降低都可以極大地提高調制帶寬，Max可達20GHz。在更高的溫度下，例如6 ...

lF3分布式布拉格反射器（DBR）作為上下反射鏡組成。高折射率和低折射率四分之一波介電層之間的折射率對比導致光場進入介電鏡的有效穿透長度比半導體層減少。減小的腔長提高了弛豫共振頻率，為本實驗中使用的設備提供了17GHz的調制帶寬。這兩個器件都由五個壓縮應變的AlGaInAs量子阱組成，這些量子阱嵌入在低氮摻雜的InP層和高磷摻雜的AlInAs包層之間。電流約束是通過圓形p+-AlGaInAs/n+-GaInAs埋隧道結（BTJ）實現的，而BTJ區域外的電流阻塞是通過反向偏置n+p結實現的。對于高速性能，芯片和接觸墊寄生的減少是通過鈍化與苯并環丁烯（BCB）來實現的。圖1a)SC-VCSEL示意 ...