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半導體可飽和吸收體
MoS2作為可飽和吸收體的被動調Q激光器實驗裝置的示意圖如圖所示：在 Tm,Ho:YAlO3 (Tm,Ho:YAP) 晶體中，Ho3的5I7→5I8激光躍遷用于實現2 μm波長范圍的激光發射。 Tm,Ho:YAP 晶體用于具有155毫米物理腔長的諧振腔。晶體的端面鍍有790-800nm和 1.9-2.2 μm的涂層，反射率小于0.5%。一個裝有液氮的杜瓦瓶被設計用來將激光晶體冷卻到 77 K 的溫度。兩個激光二極管的中心輸出波長分別為 794.1 nm 和 794.0 nm，對應的輸出功率分別為20 W和20.1 W。用作Tm,Ho:YAP 激光器的泵浦源。實驗中 LD的溫度選擇為 298.1 ...
制吸收損耗的可飽和吸收體調Q。電光調Q技術：電光調Q技術的原理是普克爾斯（Pockels）效應——即一級電光效應，電光晶體的雙折射效應與外加電場強度成正比，偏振光經過電光晶體后，偏振面旋轉的角度與晶體長度和兩側所加電壓的乘積成正比。電光調Q激光器的原理圖如下所示：目前普遍應用的電光晶體有KD*P（磷酸二氫鉀(KDP),磷酸二氘鉀(DKDP)）晶體和LN（鈮酸鋰LiNbO3）晶體。當線偏振光入射到電場中的晶體表面，分解成初相位相同的左旋和右旋兩束圓偏振光。在晶體中，兩束光線的傳播速度不同。即從晶體中出射時，兩束光線存在相位差。則合成的線偏振光的偏振面已經和入射光的偏振面存在相位差，稱為旋光效應。 ...
的常用裝置是可飽和吸收體。可飽和吸收體是一種光學器件，它表現出與強度相關的透射，這意味著該器件的行為取決于通過它的光的強度。對于被動鎖模，理想情況下，可飽和吸收體選擇性地吸收低強度光，但透射足夠高強度的光。當放置在激光腔中時，可飽和吸收體會衰減低強度的連續光。然而，由于非鎖模激光器所經歷的有點隨機的強度波動，任何隨機的、強烈的尖峰都會優先通過可飽和吸收體傳輸。隨著腔體中的光振蕩，這個過程重復，導致高強度尖峰的選擇性放大而低強度光吸收。在多次往返之后，這會導致激光器的一系列脈沖和鎖模。在頻域中，如果一個模式具有光頻率 ν 并且在頻率 nf 處進行幅度調制，則生成的信號在光頻率 ν - nf 和 ...
Q開關是一種可飽和吸收體，這種材料的透射率會在光強超過某個閾值時增加。該材料可以是離子摻雜晶體，如Cr:YAG，用于Nd:YAG 激光器的Q開關、可漂白染料或無源半導體器件。最初，可飽和吸收體的損耗很高，一旦大量能量存儲在增益介質中，就可以產生一些激光。隨著激光功率的增加，它會使吸收體飽和，即迅速降低諧振腔損耗，從而使功率可以更快地增加。理想情況下，這會使吸收器進入低損耗狀態，以允許通過激光脈沖有效提取存儲的能量。脈沖結束后，吸收體在增益恢復之前恢復到高損耗狀態，從而延遲下一個脈沖，直到增益介質中的能量完全補充。脈沖重復率只能間接控制，例如改變激光器的泵浦功率和腔中可飽和吸收體的數量。相關文獻 ...
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