射波長(zhǎng)處，激光模式與下一個(gè)高階縱向模式競(jìng)爭(zhēng)，當(dāng)MEMS電流高于27mA時(shí)，縱向模式zui終在1524nm處開始激光。排放峰值隨加熱功率的變化如圖4(b)所示。依賴于Lair的發(fā)射波長(zhǎng)λ與加熱功率P熱成正比，也與調(diào)諧電流Imems的平方成正比：其中，Rmems=40Ω為MEMS電極的歐姆電阻。由于工藝相關(guān)問題，ARC部分蝕刻。因此，激光器無法調(diào)諧到整個(gè)FSR，該MEMS VCSEL的FSR為94nm。值得一提的是，F(xiàn)SR可以通過進(jìn)一步減小犧牲層的厚度來提高，從而使半VCSEL和MEMS DBR之間的初始?xì)庀蹲冃　９廨敵龉β?P)和電壓(V)隨激光電流（IL）的變化如圖5所示。發(fā)射波長(zhǎng)調(diào)諧到155 ...

概念，繪制了光模式約束作為波長(zhǎng)的函數(shù)，對(duì)于具有相似波導(dǎo)參數(shù)的MWIR和LWIR激光器。圖3LWIR激光器的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠充分利用晶格匹配和應(yīng)變補(bǔ)償InGaAs/InAlAs材料的帶隙偏移，而MWIR激光器需要高應(yīng)變生長(zhǎng)以改善電子約束，從而提高電流注入效率。這種MWIR設(shè)計(jì)方法的缺點(diǎn)是需要高偏置電壓，這反過來又有助于產(chǎn)生更大的熱功率。LWIR范圍內(nèi)的典型工作電壓（7-10 V）明顯低于MWIR范圍（10-15 V），從而使應(yīng)用工程更具容忍度。LWIR激光器的典型能帶結(jié)構(gòu)如圖3所示與InP匹配的InGaAs/InAlAs晶格的帶偏移估計(jì)為βECB = 0.52 eV，激光發(fā)射波長(zhǎng)為λ = 9.1 ...

的：它允許激光模式的光學(xué)限制在橫向方向，并有助于優(yōu)化散熱，通過改善在活躍區(qū)域產(chǎn)生的熱量的橫向傳輸，并通過平面化設(shè)備的頂面，從而允許向下安裝激光器。通過電子束蒸發(fā)沉積頂部和底部觸點(diǎn)金屬，隨后在頂部觸點(diǎn)上電解鍍一層厚金層，從而完成了器件的制造。這些器件被切成小塊，銦被焊接到銅支架上，以獲得非常佳的散熱效果。設(shè)備溫度由安裝在設(shè)備本身附近的溫度傳感器監(jiān)測(cè)。圖2(A)顯示了安裝的器件和完整波導(dǎo)的面。圖2在分布式反饋（DFB）激光器的情況下，MOCVD生長(zhǎng)在包括InP緩沖層和InGaAs犧牲光柵層的有源核心完成后被中斷。電子束光刻是為了直接在InGaAs犧牲層的頂部跟蹤光柵圖案，然后蝕刻以獲得單模工作所需 ...

括，例如，激光模式和較長(zhǎng)波長(zhǎng)的有源區(qū)域之間的重疊減少。特別是后者，對(duì)激光閾值和斜率效率都有貢獻(xiàn)，因此以不同的方式影響激光的操作。從脈沖和連續(xù)模式下閾值電流的比較[見圖4(c)]，我們可以估計(jì)相對(duì)于散熱器的活性區(qū)域溫度的增加約25 K，我們假設(shè)在低占空比（<1%）的脈沖模式下工作時(shí)，器件沒有發(fā)生明顯的加熱。分布式反饋激光器已經(jīng)由與DFB-C工藝相同的材料制成。波導(dǎo)核心在有源區(qū)兩側(cè)包括InGaAs包層，以增加光約束。我們的dfb利用了波導(dǎo)的這一特性，在波導(dǎo)InGaAs包層中蝕刻一個(gè)周期圖案，隨后再生長(zhǎng)InP低折射率層作為光波導(dǎo)的頂部包層。在另一種方案中，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一 ...

專用于測(cè)量激光模式、激光線寬與邊帶的激光光譜儀；偏振態(tài)分析儀；用于測(cè)量指向穩(wěn)定性以及激光調(diào)試時(shí)使用的激光位置敏感探測(cè)器、四象限探測(cè)器；用于紅外激光調(diào)試的紅外觀察儀。以及專門用于超快激光器脈寬、光譜、色散分析的FROG超短脈沖分析儀、自相關(guān)儀等。 ...