薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器在太赫茲頻段的應(yīng)用（本文譯自Thin film lithium niobate optical modulators for THz frequencyapplications（Seyfollah Toroghia, John Rollinsonb）1介紹太赫茲（THz）頻率范圍覆蓋了0.1THz到10THz的電磁頻譜，這是一個(gè)目前高度研究的頻率范圍。太赫茲波光子具有獨(dú)特的特性，使它們能夠用于多種應(yīng)用。太赫茲信號(hào)能夠穿透許多光學(xué)信號(hào)無(wú)法穿透的材料，因此，它們可以用來(lái)觀察不透明材料的內(nèi)部。例如，這在安全領(lǐng)域有應(yīng)用。太赫茲波的另一個(gè)應(yīng)用是在分子檢測(cè)方面。空氣污染監(jiān)測(cè)系統(tǒng)需要低成 ...

波導(dǎo)，并在激光波導(dǎo)側(cè)面重新生長(zhǎng)絕緣Fe:InP。極化子C-V和霍爾測(cè)試已被用來(lái)確保Fe:InP是一個(gè)良好的電絕緣體。橫向再生的目的是雙重的：它允許激光模式的光學(xué)限制在橫向方向，并有助于優(yōu)化散熱，通過改善在活躍區(qū)域產(chǎn)生的熱量的橫向傳輸，并通過平面化設(shè)備的頂面，從而允許向下安裝激光器。通過電子束蒸發(fā)沉積頂部和底部觸點(diǎn)金屬，隨后在頂部觸點(diǎn)上電解鍍一層厚金層，從而完成了器件的制造。這些器件被切成小塊，銦被焊接到銅支架上，以獲得非常佳的散熱效果。設(shè)備溫度由安裝在設(shè)備本身附近的溫度傳感器監(jiān)測(cè)。圖2(A)顯示了安裝的器件和完整波導(dǎo)的面。圖2在分布式反饋（DFB）激光器的情況下，MOCVD生長(zhǎng)在包括InP緩沖 ...

折射率層作為光波導(dǎo)的頂部包層。在另一種方案中，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一定距離的地方生長(zhǎng)，中間有一個(gè)InP緩沖層。這使我們能夠使用選擇性蝕刻，并在不影響有源區(qū)域的情況下通過InGaAs層進(jìn)行蝕刻。埋藏異質(zhì)結(jié)構(gòu)的選擇性生長(zhǎng)和接觸沉積完成了激光加工。圖5圖6單模器件的結(jié)果如圖5所示，在15?C下，我們從單個(gè)發(fā)射極獲得了高達(dá)約Pout = 180 mW的連續(xù)功率。2毫米長(zhǎng)的器件安裝在正面朝下，并在高達(dá)60°C的連續(xù)波中工作，輸出功率為10 mW。典型光譜如圖6(a)所示，其中對(duì)數(shù)尺度表示30 db側(cè)模抑制比。從連續(xù)波亞閾值光譜[圖6(b)]，我們可以確定布拉格阻帶的寬度，對(duì)應(yīng)耦合強(qiáng)度的估 ...