5nm的Ta緩沖層。為避免氧化，采用了由2nm Cu和4nm Pt組成的蓋層。在硅襯底上測量了15 nm厚的Ni樣品，并對其進行了縱向幾何測量。如果您磁學測量對有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.arouy.cn/three-level-150.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、光學元件等，涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究、國防、量子光學、生物顯微、物聯傳感、激光制造等；可為客戶提供完整的設備安裝，培訓，硬件開發，軟 ...

nm Pt緩沖層上，采用電子光刻技術制備了厚度為15 nm的CoPt3點。它們具有較大的垂直磁晶各向異性和鐵磁行為，其特征是定義良好的平方磁滯回線，矯頑力場為±3.7 kOe。圓點的直徑可在0.2 ~ 1 μm范圍內變化。下面只給出1 μm點的結果。圖1實驗配置能成像納米結構的形貌以及磁化的動力學。圖1為泵脈沖激勵后直徑為1μm的CoPt3點在不同時間延遲下的微分磁化圖像。注意，在當前的測量中，激發不是固定在點的中心，而是在成像過程中與探針光束一起移位。圖a、b和c的序列表明，可以監測磁點磁化的空間動態。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：https://www.auniontech ...

nm Pt緩沖層上，通過電子光刻制成的圓盤的直徑為0.2 ~ 1m，圓盤之間的距離為0.5 ~ 2um。圖2圖2(a)表示時間的變化泵浦激勵密度為4 mJ cm?2，外加磁場設置為3.5 kOe，使靜態磁化達到飽和。插圖描繪了超快磁化動力學的詳細視圖。圖2(b)表示類似的曲線，但激發密度為8 mJ cm?2。初始退磁發生在泵浦脈沖期間，對應于自旋的激光加熱，發生在電子的熱化過程中由于探針脈沖持續時間為180秒，這里的熱化過程沒有得到解決。注意，對于zui大激勵密度[圖2(b)]，初始退磁完成。然后再磁化發生在兩個主要步驟。第1個對應于自旋和晶格之間的平衡。兩種強度對應的時間常數分別為2.5和 ...

空穴傳輸界面緩沖層，以提高基于PEDOT：PSS的光電器件（包括有機光伏（OPV）和有機發光二極管（OLED））的器件性能和長期穩定性。利用密度泛函理論（DFT）計算，本文提出了石墨烯在O-種功能化過程中化學結構變化的機理。O-Gr中的含氧空位可以通過抑制電荷復合來有效地接受空穴并傳輸它們。紫外-臭氧處理的佳干氧化過程成功地引入了氧并在石墨烯中產生了空位，但避免了石墨烯的強氧化。O-Gr夾層的引入促進了高效的電荷遷移，改善了上層的薄膜性能，并抑制了有機光電器件（包括有機光伏（OPV）和有機發光二極管（OLED））中的漏電流。因此，采用 O-Gr 的 OPV 器件在開路電壓為0.716 V能達到 ...

在包括InP緩沖層和InGaAs犧牲光柵層的有源核心完成后被中斷。電子束光刻是為了直接在InGaAs犧牲層的頂部跟蹤光柵圖案，然后蝕刻以獲得單模工作所需的波導有效折射率的周期調制。包層和頂層生長在圖案核心材料的頂部，特別小心，以便在光柵層頂部再生的末端獲得一個平坦的表面。隨后的器件制造過程如下對于法布里-珀羅埋地異質結構器件。在圖2(b)中可以看到z終DFB制造器件沿著波導腔切割的SEM圖像，其中活性材料頂部的薄光斑表明存在InGaAs犧牲層。在側裂波導中，這代表了通過電子束圖案化和蝕刻InGaAs層獲得的周期性結構。當需要時，通過介質沉積在先前隔離的激光切面上的金屬涂層進行電子束蒸發來完成H ...

有一個InP緩沖層。這使我們能夠使用選擇性蝕刻，并在不影響有源區域的情況下通過InGaAs層進行蝕刻。埋藏異質結構的選擇性生長和接觸沉積完成了激光加工。圖5圖6單模器件的結果如圖5所示，在15?C下，我們從單個發射極獲得了高達約Pout = 180 mW的連續功率。2毫米長的器件安裝在正面朝下，并在高達60°C的連續波中工作，輸出功率為10 mW。典型光譜如圖6(a)所示，其中對數尺度表示30 db側模抑制比。從連續波亞閾值光譜[圖6(b)]，我們可以確定布拉格阻帶的寬度，對應耦合強度的估計約為kL = 3.5。該值高于強耦合分布式反饋設備（kL = 1-2）的通常預期值。對光柵與光學模式耦合 ...