氣環(huán)境中進行退火以收縮RISFs（如圖1a所示）[1]之后，對SiCPIN二極管進行了EL成像[1]。隨著RISFs的擴張，從器件中收集到的EL從400nm到780nm，步長2nm，曝光時間為30s。使用IMA收集的單色圖像可以將不同類別的缺陷分離開來。如圖1b顯示了RISFs的峰值發(fā)射，中心波長為424nm，圖1c-d顯示了534nm和720nm處的部分位錯。圖2中標有“1”和“2”的兩個區(qū)域的光譜響應(yīng)確認，PDs由于RISFs在424nm處有類似的尖銳發(fā)射，而在530-540nm處為較寬發(fā)射。通過結(jié)合光譜和空間信息，可以將后者的發(fā)射歸因于可移動的硼雜質(zhì)。圖1、（a）SiC的PIN二極管的實 ...

SI)改性和退火。將打印后的器件在80℃的TFSI溶液中浸泡1 h，然后在400℃的Ar中退火，去除有機溶劑并降解襯底中的PVP。經(jīng)過TFSI處理和退火處理的SiO2/Si襯底上印刷薄膜的拉曼光譜和光致發(fā)光(PL)光譜如圖3a、b所示。在385.4和404.8 cm-1處的兩個拉曼峰對應(yīng)于MoS2面內(nèi)E1 2g和面外A1g的振動模式。 E1 2g和A1g之間的拉曼位移約為19.4 cm-1，表明MoS2納米片層數(shù)較少。TFSI修飾后，A1g的波數(shù)增加了約2 cm-2。這種A1g模式的轉(zhuǎn)變可以解釋為TFSI修飾了MoS2表面的缺陷。然而，E1 2g模式比A1g更不敏感，并且沒有改變。在1.87和 ...

濺射和快速熱退火在空氣氣氛下通過從Bi2Te3過渡到Bi2O2Te在低溫下制備新型2D Bi2O2T材料。該技術(shù)被稱為快速退火相變（RAPT）方法。（如圖2）圖2.RATP法制備二維Bi2O2Te的生長機理在這項工作中，通過RAPT方法制備了具有優(yōu)異質(zhì)量的大面積2D Bi2O2Te。現(xiàn)今人們對將2D材料與互補金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS集成非常感興趣。然而，CVD生長所需的高溫和在晶片尺度上2D材料的層轉(zhuǎn)移的困難阻礙了2D材料在CMOS上的直接集成。相反，低溫生長方法可以在CMOS平臺上直接生長2D材料，大大的簡化兩種材料集成的過程。在這項工作中，基于400℃生長的2D Bi2O2Te制備并表征了 ...

S混合氣氛中退火，退火去除官能團和Mo氧化物。然后，通過獲取輸出電壓信號，觀察濾波膜和退火膜對聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）的相對電荷極性。zui后，我們制備了一個PI/MoS2:PI/PI堆疊結(jié)構(gòu)，用于確定水中剝離的MoS2薄片在可改善TENG性能的潛力。我們假設(shè)，由于在水中的剝離過程，MoS2的功函數(shù)增強，會影響PI/MoS2中捕獲的電子數(shù)量，從而提高 TENG 性能。圖 1.樣品制備過程示意圖。（a） MoS2散裝粉末的剝離以及用于制造過濾MoS2的真空過濾工藝-片狀薄膜。（b） 剝離MoS的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像2薄片 （c） 濾波后 MoS2的光學(xué)圖像-銅基板上的薄膜。（d） ...

了氫氧化鈷和退火納米片樣品中活性相的性質(zhì)。從樣品中采集了原位光譜（圖5a），顯示了多個相關(guān)物種。值得注意的是，在大約500和15000px-1處觀察到兩個主峰，明確Co（OH）2的存在。在470和17000px?1處出現(xiàn)了與CoO相對應(yīng)的特征峰。該光譜中其他的較弱特征峰可能是 Co3O4的特征峰.這些結(jié)果與TEM和XPS結(jié)果非常吻合。在退火樣品的拉曼光譜中，Co3O4的特征峰尤其明顯。具體來說，盡管CoO和Co（OH）2的F2g模式（~200、520 和 610 cm?1）、Eg模式（~12000px?1）和 A1g模式（~17250px?1）的峰都存在，但退火后幾乎完全轉(zhuǎn)變?yōu)镃o3O4的特征 ...

和/或沉積后退火（PDA）來進行結(jié)晶。例如，一種具有代表性的2D材料-由ALD制備的MoS2-需要在高溫下進行PDA處理，范圍從450到900℃；這與整合3D以及線后端工藝不兼容。此外，如微米大小的薄片和納米片非連續(xù)的形態(tài)，也經(jīng)常在ALD-2D材料中觀察到的，這是硫質(zhì)化誘導(dǎo)的熱解析的結(jié)果，這限制了它們在實際中電子應(yīng)用。近年來，由vdW鍵合螺旋鏈組成的vdW晶體碲（Te）引起了人們的廣泛關(guān)注。雖然它表現(xiàn)出類似于厚度依賴的電子性質(zhì)，但它依舊具有很好的物理性質(zhì)，如強自旋-軌道耦合，環(huán)境增強穩(wěn)定性，和相對較低的晶格熱導(dǎo)率。此外，Te的潛力可以廣泛應(yīng)用于（光）電子學(xué)、自旋電子學(xué)、熱電學(xué)、和選擇性器件，其 ...