石墨烯如上圖所示為韓國東國大學Woochul Yang教授的研究工作，為探究納米顆粒裝飾的石墨烯的摻雜濃度和穩定性，采用顯微拉曼系統（Xper Ram200）測試了它們的拉曼光譜。圖中分別為原始石墨烯和摻雜不同濃度Mn3O4顆粒的石墨烯的拉曼光譜圖，展示了具有D，G和2D峰特征的原始石墨烯和摻雜石墨烯的拉曼光譜的演變。D峰（ω~1350cm-1）是石墨烯的無序振動峰，只有當缺陷存在時才能被激活。G峰（ω~1580cm-1）是sp2碳原子面內振動引起的，通常與應力有關，因此可用來反映石墨烯層數。2D峰是雙聲子共振二階拉曼峰，用來反映多層石墨烯的堆垛方式。二硫化鉬MoS2如上圖是首爾國立大學Tak ...

nm)的硅鍺超晶格的熱導率。ASOPS的另一個重要特性是探測速率可以比泵浦速率慢很多倍，fpump = nf probe+δf，其中n是整數。這使得能夠以慢得多的采集速率對超快現象進行采樣。例如，Pradere等人使用這種技術，使用紅外相機以僅25 Hz的采集速率對30 KHz的熱波進行采樣。您可以通過我們的官方網站了解更多的產品信息，或直接來電咨詢4006-888-532。 ...

年的論文“用超晶格在半導體中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導體晶體中，電子可能占據兩個連續能帶中的一個——價帶，其中大量填充著低能電子；導帶，其中少量填充著高能電子。這兩個能帶被一個帶隙隔開，在這個帶隙中沒有允許電子占據的狀態。傳統的半導體激光二極管，當導帶中的高能量電子與價帶中的空穴重新結合時，通過單個光子發出光。因此，光子的能量以及激光二極管的發射波長由所使用的材料系統的帶隙決定。然而，QCL在其光學活性區不使用塊半導體材料。相反，它由一系列周期性的不同材料組成的薄層組成，形成一個超晶格。超晶格在整個器件的長度上引入了一個變化的電勢，這意味著在器件的長度上，電子占據不同位置的概率是 ...

磁輻射是通過超晶格量子阱[1]內能級間的子帶間躍遷來實現的。自1994年首次實驗演示以來，QCL技術得到了巨大的發展。這些性能水平是結構設計、材料質量和制造技術不斷改進的結果[3-5]。目前，它正在成為中紅外(中紅外)和太赫茲(太赫茲)頻率范圍內的激光源，并在氣體傳感、環境監測、醫療診斷、安全和國防[6]中有許多應用。西北大學量子器件中心(CQD)的目標是推進光電技術，從紫外到太赫茲光譜區域。這包括基于III-V半導體的許多不同技術的發展[7,8]。自1997年以來，CQD在量子級聯激光器QCL的發展上投入了相當大的努力，特別是在功率、電光轉換效率(WPE)、單模操作、調諧和光束質量方面，推動 ...

聚合物薄膜、超晶格、石墨烯界面、液體等。總的來說，飛秒高速熱反射測量（FSTR）是一種泵-探針光熱技術，使用超快激光加熱樣品，然后測量其在數ns內的溫度響應。泵浦（加熱）脈沖在一定頻率的范圍內進行調制，這不僅可以控制熱量進入樣品的深度，還可以使用鎖定放大器提取具有更高信噪比的表面溫度響應。探測光（溫度感應）脈沖通過一個機械級，該機械級可以在0.1到數ns的范圍內延遲探頭相對于泵脈沖的到達，從而獲取溫度衰減曲線。如上文提到，因為生長特性，導致典型的金剛石樣品是粗糙的、不均勻的和不同厚度特性的這就為飛秒高速熱反射測量（FSTR）的CVD 金剛石薄膜熱學測量帶來了一些挑戰。具體而言，粗糙表面會影響通 ...

分布的測量、超晶格、粗糙表面、界面的測量。（2）物理吸附和化學吸附用橢偏術方法在現場且無損地研究過與氣態、液態周圍媒質相接觸地表面上吸附分子或原子形態的問題。（3）界面與表面的應用橢偏廣泛用于研究處于各種不同環境中的材料的表面的氧化和粗糙程度,以及材料接觸界面的分析。例如金屬和半導體接觸,以及肖特基的研究。（4）電化學 離子吸附、陽極氧化、鈍化、腐蝕及電拋光等電化學過程,可以現場深入地研究電極-電解液界面過程。（5）微電子領域在微電子領域中,研究薄膜生長過程,薄膜厚度,半導體的表面狀況以及不同材料的界面情況,離子的注入損傷分布等；一些高技術材料的研究及其它新領域：高溫超導材料、低維材料、導電聚 ...

究拓撲結構、超晶格、和層間庫侖相互作用的影響提供了新的途徑。然而，與簡單的單層相比，二維vdW多層在相鄰層之間具有vdW間隙，擾亂了層間電荷效率，從而導致這些多層在平面內和平面外載流子輸運的各向異性。在存在靜電偏置相關的層間電阻的情況下，以往的研究通過考慮Thomas-費米電荷屏蔽長度和厚度相關的載流子遷移率，進而描述了二維多層膜的復雜載流子輸運。例如，在一個傳統的背柵結構，由于層間電阻和層依賴的平面內載流子遷移率之間的相互作用，層間電導率z高的層從底表面向頂表面移動。這就引發了載流子沿著厚度的空間再分布。此外，zui近通過比較獲得的關于底部接觸和頂部接觸的漏電流，已被證明是評估二維vdW多層 ...