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單晶鐵石榴石YIG球體和立方體
單晶釔鐵石榴石YIG薄膜
注意到，傳統(tǒng)磁光材料存在一些固有的問(wèn)題，這些問(wèn)題阻礙了它們?cè)谶^(guò)去幾十年乃至今天的繼續(xù)使用。例如，人們注意到，在熱磁寫(xiě)入過(guò)程中，當(dāng)一個(gè)域被寫(xiě)入時(shí)，似乎會(huì)發(fā)生結(jié)構(gòu)相變。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，薄膜的局部寫(xiě)入?yún)^(qū)從具有較大磁光效應(yīng)的低溫相轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂腥醮殴庑?yīng)的淬火高溫相(圖3)。不幸的是，這種亞穩(wěn)猝滅過(guò)程在幾個(gè)讀/寫(xiě)周期后導(dǎo)致磁光信號(hào)顯著下降。因此，為了避免結(jié)構(gòu)過(guò)渡到高溫相，需要更多的熱力學(xué)穩(wěn)定的磁光材料。例如，通過(guò)將高磁光活性材料(如MnBi)與熱力學(xué)穩(wěn)定的化合物(如MnSb)結(jié)合，可以獲得優(yōu)越的磁光性能。因此，對(duì)MnBi1-xSbx，0≤x≤0.4，表明只有Mn含量超過(guò)50%的化合物才表現(xiàn)出良好的磁光性 ...
到其他類型的磁光材料。例如，可以利用法拉第效應(yīng)分析更薄、更透明的薄膜。MOKE還可以用于在薄膜上進(jìn)行磁寫(xiě)入，如圖1a, b所示。因此，可以用磁探針的兩端具有不同磁極性的磁探針尖端來(lái)寫(xiě)入薄膜，因此用探針的一端寫(xiě)入時(shí)顯示為暗，而用另一端寫(xiě)入時(shí)顯示為亮，這取決于各自區(qū)域的磁化方向。當(dāng)然，整個(gè)過(guò)程與磁疇磁光觀測(cè)在相同的實(shí)驗(yàn)條件下進(jìn)行，即垂直于薄膜表面發(fā)射偏振光，同時(shí)使用光學(xué)分析儀進(jìn)行光檢測(cè)。還應(yīng)該注意的是，在這個(gè)例子中，整個(gè)薄膜垂直于表面磁化，為了使書(shū)寫(xiě)不容易受到雜散場(chǎng)的干擾，薄膜必須具有很高的矯頑力。通過(guò)使垂直于表面的薄膜飽和或退磁，可以擦除薄膜上的文字。關(guān)于從薄膜上擦除磁性信息的一個(gè)有趣的建議涉及 ...
關(guān)。根據(jù)光與磁光材料相互作用方式的不同以及光與磁光材料相互作用產(chǎn)生的光學(xué)各向異性，磁光效應(yīng)又分為法拉第效應(yīng)、磁線陣雙折射、塞曼效應(yīng)、磁光克爾效應(yīng)等。（１）磁光法拉第效應(yīng)磁光法拉第效應(yīng)又稱磁光旋光效應(yīng)，是指當(dāng)一束線偏振光從磁光材料沿磁場(chǎng)方向透射時(shí)，由于材料折射率的不同，磁光材料中的左旋和右旋偏振光，即偏振面相對(duì)于入射光的偏振面偏轉(zhuǎn)一定角度的一種磁光現(xiàn)象。法拉第效應(yīng)產(chǎn)生的根本原因是磁光材料中的電子等磁性粒子發(fā)生光學(xué)躍遷。在磁場(chǎng)的作用下，這種躍遷使得在磁光材料內(nèi)部傳輸?shù)淖笮龍A偏振光和右旋圓偏振光產(chǎn)生一定的色散差，導(dǎo)致zui終透射光的偏振面相對(duì)入射光旋轉(zhuǎn)了一定角度。（２）磁線振雙折射當(dāng)一束線偏振光以垂 ...
：磁矩方向與磁光材料表面垂直的極向克爾效應(yīng)；磁矩方向同時(shí)平行于磁光材料表面和光線入射面的縱向克爾效應(yīng)；磁矩方向與磁光材料表面平行但與光線入射面垂直的橫向克爾效應(yīng)。其中極向克爾效應(yīng)即樣品的磁化強(qiáng)度矢量垂直于樣品表面，并且處在偏振光的入射面內(nèi)，通常用來(lái)表征具有垂直磁各向異性的樣品?？v向和橫向克爾效應(yīng)的樣品磁化強(qiáng)度矢量都平行于樣品表面，因此它們被用來(lái)表征具有面內(nèi)磁各向異性的樣品。同時(shí)，一般來(lái)講，極向克爾效應(yīng)的信號(hào)一般要比縱向克爾效應(yīng)的信號(hào)大一個(gè)數(shù)量級(jí)，因此磁光克爾效應(yīng)在表征垂直各向異性較強(qiáng)的樣品時(shí)更有優(yōu)勢(shì)。對(duì)于面內(nèi)各向異性較強(qiáng)的樣品來(lái)說(shuō)，由于橫向的克爾效應(yīng)的反射光的偏振面不發(fā)生變化，只有光強(qiáng)發(fā)生變化 ...
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