能分辨更短的光致發(fā)光壽命。SSPD可以被用來發(fā)展和表征各種類型的通信波長(zhǎng)光子對(duì)源。4.經(jīng)典太空對(duì)地通信空間對(duì)地通信是通信波長(zhǎng)低時(shí)間抖動(dòng)探測(cè)器的需求的一個(gè)重要領(lǐng)域。SSPD可以作為1550nm地面接收器，實(shí)現(xiàn)一定激光功率條件下航天探測(cè)器到地面的高效數(shù)據(jù)傳輸。5.集成電路檢測(cè)半導(dǎo)體工業(yè)對(duì)CMOS邏輯電路芯片故障的實(shí)用化檢測(cè)和診斷技術(shù)也可以使用SSPD。在CMOS器件中，當(dāng)開關(guān)發(fā)生時(shí)，飽和模式下的FETs會(huì)在導(dǎo)電溝道的夾斷區(qū)產(chǎn)生一個(gè)很強(qiáng)的電場(chǎng)，這使得電子具有很高的能量。電子在損失能量時(shí)會(huì)發(fā)射電子。隨著晶體管尺寸的減小，門尺寸也在減小。因此偏置電壓也在減小，導(dǎo)致長(zhǎng)波長(zhǎng)光子發(fā)射，發(fā)射光子通常在近紅外波段 ...

研究人員利用光致發(fā)光（PL）成像對(duì)多晶CuInS2太陽能電池進(jìn)行了表征。高光譜顯微成像平臺(tái)（IMA Photon）可提供2nm的光譜分辨率和優(yōu)于2μm的空間分辨率。該設(shè)備采用532nm的激發(fā)光在顯微鏡整視場(chǎng)下均勻的激發(fā)。如圖 1為 圖 2中選擇的不同研究區(qū)域的PL光譜。 圖 2 顯示的是整個(gè)器件的PL成像圖譜[3]。全局成像可快速獲得樣品的不均一性。通過這種技術(shù)研究人員可以在空間上監(jiān)控多個(gè)屬性。的確，PL最大限度詳盡的提供了準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂的帶隙和波動(dòng)的成像圖[4]。借助其獲得zuanli的光譜和光度的絕對(duì)校準(zhǔn)，IRDEP可以獲取器件的光電特性，例如EQE,Voc等。上海昊量光電設(shè)備有限公司作為 ...

μm）進(jìn)行了光致發(fā)光PL和電致發(fā)光EL光譜成像進(jìn)行了探究[1]。實(shí)驗(yàn)采用了高光譜成像設(shè)備（IMATM），該設(shè)備擁有2nm的光譜分辨率和亞微米的空間分辨率。電致發(fā)光實(shí)驗(yàn)采用Vapp = 0.95 V 的源表。PL采用波長(zhǎng)為532nm的連續(xù)激光。在顯微鏡下的整個(gè)視場(chǎng)被激發(fā)，并同時(shí)收集來自一百萬個(gè)點(diǎn)的PL信號(hào)。 圖1，（a）和（b）展示了CIGS微型CIGS太陽能電池的PL和EL圖譜，利用他們的光譜信息和絕對(duì)校準(zhǔn)與廣義普朗克定律相結(jié)合，IRDEP的研究人員提取了樣品的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂成像圖見圖（c）和（d）該參數(shù)與太陽能電池的最大電壓直接相關(guān)。借助太陽能電池和LED間的倒易關(guān)系，可從EL成像圖譜中推 ...

、電致發(fā)光、光致發(fā)光、透射率、反射率成像等諸多功能于一體。如果您需要了解更多的產(chǎn)品信息， 請(qǐng)聯(lián)系我們！產(chǎn)品鏈接：http://www.arouy.cn/details-1013.html電話：021-34241962、021-51083793 ...

法（EL）。光致發(fā)光法（PL）：當(dāng)發(fā)光材料被光源照射時(shí)，它可以從中獲得能量，當(dāng)獲得的能量達(dá)到一定數(shù)量時(shí)就可以被激發(fā)，這樣就會(huì)發(fā)出熒光，這種現(xiàn)象就叫做光致熒光。PL法利用了晶體硅片的激發(fā)能級(jí)的差異性來實(shí)現(xiàn)的，當(dāng)太陽能電池中的材料受到激發(fā)光源照射一段時(shí)間后，能級(jí)就會(huì)發(fā)生躍遷，同時(shí)也伴隨著散發(fā)出一定量的紅外光。由于缺陷部位與正常部位的激發(fā)能級(jí)和導(dǎo)電率都不相同，因此激發(fā)出的熒光強(qiáng)度也不同，缺陷部位輻射的熒光強(qiáng)度要弱一些，只要利用圖像采集設(shè)備對(duì)發(fā)出的熒光進(jìn)行采集就可以根據(jù)亮度差異找出缺陷。鎖相熱圖法（LIT）：當(dāng)對(duì)處于暗盒中的太陽能電池施加一個(gè)脈沖電壓時(shí)，分路電流就會(huì)對(duì)太陽能電池的溫度分布造成一定的影響 ...

礦薄膜的穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光光譜結(jié)果，顯然，基于單晶工程技術(shù)制備的鈣鈦礦薄膜的PL強(qiáng)度要高得多，這是因?yàn)殁}鈦礦薄膜內(nèi)陷阱和缺陷的減少而抑制了載流子的復(fù)合，說明基于單晶工程技術(shù)制備的鈣鈦礦具有更好的性能。與傳統(tǒng)的基于溶液混合法制備的鈣鈦礦相比，它具有更高的質(zhì)量，更高的結(jié)晶度和更少的缺陷。為了進(jìn)一步探索影響鈣鈦礦穩(wěn)定性的因素，分別測(cè)試了兩種不同方法制備的鈣鈦礦的熒光壽命（時(shí)間分辨光致發(fā)光TRPL），基于混合陽離子單晶工程技術(shù)的和基于常規(guī)溶液混合法的（MA1-xFAxPbI3）1.0（CsPbBr3）0.05（x = 0.8）鈣鈦礦薄膜的壽命分別為44.15ns和32.39 ns。 這表明單晶工程技術(shù)制備的 ...

上轉(zhuǎn)換發(fā)光是一種違背了Stokes定律的發(fā)光現(xiàn)象，因?yàn)樵谏限D(zhuǎn)換發(fā)光過程中，物質(zhì)分子或原子吸收的光子能量低于發(fā)射的光子能量，即將紅外光轉(zhuǎn)化為可見光或?qū)⒖梢姽廪D(zhuǎn)化為紫外光（如上圖所示）。關(guān)于上轉(zhuǎn)換過程發(fā)光機(jī)制目前有以下三種：a 激發(fā)態(tài)吸收ESA激發(fā)態(tài)吸收是指同一個(gè)粒子從基態(tài)通過連續(xù)多光子吸收到達(dá)能量較高的激發(fā)態(tài)。首先,發(fā)光中心處于基態(tài)G上的離子吸收一個(gè)能量為φ1的光子，躍遷至中間亞穩(wěn)態(tài)E1能級(jí),若光子的振動(dòng)能量恰好與E1能級(jí)及更高激發(fā)態(tài)能級(jí)E2的能量間隔匹配,那么E1能級(jí)上的該離子通過吸收光子能量而躍遷至E2能級(jí)，從而形成雙光子吸收,只要高能級(jí)上粒子數(shù)量夠多,形成粒子數(shù)反轉(zhuǎn),那么就可以實(shí)現(xiàn)較高頻率 ...

CIGS是一種多晶材料，典型的晶粒尺寸約為1um。研究表明，其光電參數(shù)（如帶隙和擴(kuò)散長(zhǎng)度）的標(biāo)準(zhǔn)偏差大，不穩(wěn)定，這個(gè)因素可能會(huì)影響電池的整體參數(shù)，例如效率，開路電壓和短路電流。為了更好地了解光伏電池的工作機(jī)制，需要在微米尺度下研究其性質(zhì)。Photon公司與法國(guó)光伏能源研究所合作開發(fā)了用于光伏應(yīng)用的高光譜成像儀，使用體布拉格光柵檢測(cè)電池的整個(gè)表面，激發(fā)強(qiáng)度約為100個(gè)太陽輻射，光譜分辨率為2nm.研究的樣品是CIGS基的微型太陽能電池，這些電池為圓形，直徑范圍為20um至150um。如上圖，利用高光譜設(shè)備探究了CIGS太陽能電池的PL成像圖，采集時(shí)間45min,并通過定量校準(zhǔn)，結(jié)合廣義普朗克定律 ...

L（時(shí)間分辨光致發(fā)光）的測(cè)試分析通過XperRF系列（Nanobase co.，Ltd.，South Korea），采用單光子計(jì)數(shù)（TCSPC）法。通過TRPL來進(jìn)一步研究比較了TiO2-PAN和P25-PAN兩種催化劑的光學(xué)性能。如圖1所示，TiO2-PAN和P25-PAN的衰變曲線用雙指數(shù)函數(shù)進(jìn)行了很好的擬合，據(jù)此來計(jì)算他們的壽命。結(jié)果表明，TiO2-PAN相比于P25-PAN表現(xiàn)出更長(zhǎng)的載流子壽命，分別為TiO2-PAN（2.075ns）和P25-PAN（1.275ns），進(jìn)一步證明了TiO2-PAN的高效電荷分離。TiO2-PAN良好的光學(xué)特性是由于其粒徑較小、結(jié)晶率較低，這有利于配體 ...

池。時(shí)間分辨光致發(fā)光譜（TRPL）使用（XperRam Ultimate）的激光系統(tǒng)，激發(fā)光源為405nm進(jìn)行測(cè)量分析。如圖1（a）所示為ITO/PEN and ETL/ITO/PEN結(jié)構(gòu)的光透射性能，表明在ITO/PEN基地上三種ETLs都有具有增透性能，由于具有高的結(jié)晶度和優(yōu)異的薄膜質(zhì)量，T2 ETL過程具有最高的透射性能，這有利于鈣鈦礦層的光吸收。PSCs的能級(jí)圖如圖1（b）所示，與T1和T3相比，T2的低的CBM通過增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力有利于鈣鈦礦電子層的電子注入，這有利于提高載流子的萃取率。通過ITO/ETL/PVK結(jié)構(gòu)的時(shí)間分辨光致發(fā)光譜來體現(xiàn)從鈣鈦礦層到TiO2薄膜層的電子注入行為。為了做 ...