展示全部
只能看到針狀納米棒的合成。接著用PTCDA處理了SiO2/Si,Si，PTCDA充當(dāng)CVD外延生長(zhǎng)的成核中心，并有助于在這兩種基底上獲得相對(duì)較大的二維MoS2。但是圖2b,e所示的MoS2結(jié)晶性不好，因?yàn)闆]有觀察到明顯的層狀結(jié)構(gòu)和規(guī)則形狀。如上圖是O2等離子體處理的SiO2/Si,Si，O2等離子體激活了基底表面上的原子，正如圖2c所示，在SiO2 / Si上生長(zhǎng)的MoS2表現(xiàn)出更加無序的結(jié)構(gòu)。如圖f所示，Si基底尺寸小，在O2等離子體清洗后，二維MoS2結(jié)晶良好。光學(xué)性能如上圖是生長(zhǎng)在不同襯底上的MoS2和WS2的WS2的 PL光譜。可以看出長(zhǎng)在Si基底上的二維材料的PL信號(hào)都很弱，可能是因 ...
或 投遞簡(jiǎn)歷至: hr@auniontech.com
