例子,鐵磁性納米顆粒與反鐵磁性材料的耦合,甚至被認為是在有限溫度下穩定磁序的一種手段。為了充分利用反鐵磁/鐵磁界面在器件結構中的優勢,人們需要了解控制這些界面磁相互作用的潛在機制。用界面處反鐵磁體的磁矩來描述交換偏置,它通過典型的交換耦合與鐵磁矩相互作用,產生的偏置場比實驗觀察到的高一到兩個數量級。在zui簡單的模型中,人們假設所謂的非補償反鐵磁表面,即反鐵磁表面平面的原子力矩加起來等于一個不消失的凈力矩的表面方向。反鐵磁體表層的有限磁化強度與沉積在這種表面上的鐵磁體相互作用。鐵磁體的磁化強度將與反鐵磁體的表面磁化強度平行或相反,這取決于交換相互作用的符號。然而,不難看出為什么這個簡單的圖是不 ...
以多核氧化鐵納米顆粒作為性能基準,在旋轉磁場下的MTB顯示出更均勻和高效的流動。無論是磁性材料的體積還是總的體積分數的比較,都增強了耦合性。為了闡明在輸運中與邊界的相互作用的機制作用,開發了一個計算模型并進行了實驗驗證。應用該模型,預測了兩種不同且可行的磁控制策略:一個旋轉梯度場,盡管邊界促進相反方向的流動,但仍產生定向流動;一個靜磁門控場,實現空間選擇性驅動。為MTB確定的優勢屬性為實現這些策略打開了設計空間。13.M. K. Hausmann, A. Hauser, G. Siqueira, R. Libanori, S. L. Vehusheia, S. Schuerle, T. Zim ...
50 nm薄納米顆粒(Co84Cr16)87Pt13層的磁疇結構,具有明顯的垂直磁各向異性。對覆蓋10 - 90%值的強度分布圖進行常見的刀口分析,顯示出15 nm的空間分辨率。該樣品的晶粒尺寸分布是通過TEM分析確定的,峰值在20 nm左右,這可以得出結論,從M-TXM圖像可以在晶粒尺寸水平上研究磁疇結構,即在該系統的磁性基本長度尺度上。圖4.M- txm可以對薄膜中占主導地位的面內磁化M進行成像,方法是將樣品表面傾斜成相對于光子傳播方向k的角度,從而獲得沿k方向的M不消失分量由于二色性對比度是由磁化在光子傳播方向上的投影給出的,因此可以通過以相對于光子束方向的傾斜角度照射樣品來成像面外和面 ...
了一定數量的納米顆粒。圖1.單脈沖燒蝕形貌記錄多脈沖作用下,孵化效應在燒蝕過程中扮演重要角色。在介電材料和半導體材料中,由外部激光作用引起的晶格缺陷,可以在帶隙中產生額外的能級。新的激發路徑的存在有利于對后續激光脈沖能量吸收。缺陷密度隨著激光輻照脈沖數的增加而增加,直到達到飽和。同時缺陷的積累將導致有效吸收系數增加,表面燒蝕閾值隨之降低,直到達到飽和。經測試發現,在脈沖數較少時,燒蝕坑的直徑更小。隨著作用脈沖數的增加,燒灼坑的直徑也隨之增加。當脈沖數超過600后,作用材料的脈沖數增加對直徑大小的增加效果顯著降低。圖2.多脈沖燒蝕形貌記錄結語:通過1030 nm飛秒激光對YAG晶體的燒蝕測試,可 ...
是探測上轉換納米顆粒與鑭系元素復合物之間的協同作用。這個例子展示了一個混合系統的高光譜分析,該系統由分子晶體([Tb2(bpm)(tfaa)6])與上轉換納米顆粒(NaGdF4:Tm3+,Yb3+)組合而成。(a)白光和紫外光照明下的顯微照片以及用于980nm光照射下高光譜成像的感興趣區域(ROI)。(b) 在20 x 20 μm2區域內監測的Tm3+和間接Tb3+的發射。(c) 發射帶的絕對強度變化在整個混合系統中波動,表明表面上分布的物質總量存在一些變異性。(d) 復合物與Tm3+:1G4→3H6(正方形)和Tm3+:1G4→3F4(圓形)的積分發射比率的恒定性,證實了這兩個組分在整個混合 ...
的金屬表面或納米顆粒上,產生等離子體局部電磁增強效應,增強拉曼信號,從而大大限度地減少熒光的影響。SERS結合了拉曼的特異性和高靈敏度,可以在極低的分析物濃度下分析樣品,也可以與TG結合使用。其他非線性技術,如相干反斯托克斯拉曼散射光譜(CARS),也可以歸類為熒光抑制方法,具有從背景干擾中對拉曼信號進行空間分辨的能力。CARS已用于ps尺度的TR測量,目的是拒絕來自拉曼測量的背景。然而,由于實際原因,它往往并不適用于所有的樣本狀態。此外,增強拉曼信號和抑制熒光的相同表面增強方法可用于反斯托克斯拉曼和斯托克斯拉曼(更常見),在紫外光譜范圍內具有特殊優勢,可以選擇性地挑出共振基團的振動。了解更多 ...
點的低氧化物納米顆粒被預先沉積在基底上;之后,從成核位置結晶的MoS2薄片以平行的方式在沉底表面生長。拉曼光譜表明,這些薄片具有均勻厚度的單層。在整個生長過程中,薄片形狀保持為三角形晶粒,表明生長動力學沒有改變。第二種模式是由MoO3液滴生長的MoS2薄片。圖3b顯示了這種模式下的典型多步驟過程。zui初的步驟是由S蒸汽與液滴表面的液態MoO3反應引起的液滴塌陷。一旦液滴分解,內部MoO3液體立即釋放并蒸發到環境中。同時,一個厚的MoO3核在襯底上結晶,如圖3d所示。幾毫秒之后,單層MoS2從成核迅速生長。在這一步驟(0—12s)中,生長的薄片表現處各向同性的生長習慣,產生類似于圓形的疇,這表 ...
物醫學研究和納米顆粒分析的高靈敏度電子儀器。Elements的微芯片可以生產價格合理且易于使用的小型化設備,使納米技術能夠用于新一代便攜式醫療診斷設備(即時檢測)和食品安全控制。從這個意義上說,Elements聲稱“使能生命科學技術”。Elements的放大器可以采集和分析非常低的離子電流,并可應用于電生理學和電化學領域。離子電流是流經離子通道(細胞膜上的納米大小的造孔蛋白)的電信號。離子通道參與細胞的許多生命過程,對于分析藥物對人體細胞的影響至關重要。Elements很自豪能成為Nanion的供應商,在Nanion的Orbit產品系列中構建多通道了電子放大器。開發定制傳感設備和組件具有挑戰性 ...
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