(DMD)、多量子阱空間光調制器以及聲光調制器等。還可以用紫外光刻來制作特定的衍射光學元件來調制光場。現在用的較多的是由計算機尋址的液晶空間光調制器實現全息元件，通過改變全息元件就可以使得所形成的光阱作動態變化。在計算機出現之前，需要采用激光全息的方法形成有限形狀的全息圖。目前在計算機的輔助下，可以實現任意形狀的全息圖。不過，每實現一種新設計的光阱，都需要重新計算相應的全息圖。隨著計算機速度的不斷刷新以及新的算法的出現，在一般的科研實驗室已經可以很容易實現任意形狀的全息光鑷。原則上全息光鑷可以產生任意形狀、大小、數量的光阱。通過改變捕獲光的相位分布，可以使捕獲粒子在光阱中按設定的路線運動，為實 ...

通過在半導體多量子阱異質結構的重復堆棧中使用子帶間躍遷實現的。這個想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的論文“用超晶格在半導體中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導體晶體中，電子可能占據兩個連續能帶中的一個——價帶，其中大量填充著低能電子；導帶，其中少量填充著高能電子。這兩個能帶被一個帶隙隔開，在這個帶隙中沒有允許電子占據的狀態。傳統的半導體激光二極管，當導帶中的高能量電子與價帶中的空穴重新結合時，通過單個光子發出光。因此，光子的能量以及激光二極管的發射波長由所使用的材料系統的帶隙決定。然而，QCL在其光學活性區不使用塊半導體材料。相反，它由一系列周期性的 ...

質頂部涂層的多量子阱SESAM，獲得高飽和通量Fsat=142?J/cm2，調制深度?R=1.1%。(b)激光輸出功率和脈沖持續時間隨總泵浦功率的變化。圖1(a)顯示了我們的自由運行雙光頻梳激光腔的布局。我們使用多模泵浦二極管和端泵浦腔結構，類似于我們之前報道的偏振復用雙梳狀激光器的配置[20,21]。然而，與過去的報道相反，在有源元件，即增益晶體和半導體飽和吸收鏡(SESAM)上的空間分離是通過插入一個具有高度反射涂層的雙棱鏡來獲得的。通過使用一個頂角179°的雙棱鏡，我們獲得了在增益介質上模式分離1.6 mm和在SESAM上模式分離1 mm。圖1(b)顯示了掃描泵浦功率時單個光梳的性能。該 ...

P材料體系的多量子阱激光器。該器件設計的核心是采用再生n摻雜InP材料的光刻定義的埋藏隧道結（BTJ）。這種結構提供了電約束，減少了熱量的產生，在高溫下實現了出色的直流和射頻性能。這種激光器使用兩個介電DBR反射鏡，而不是在VCSELs中傳統使用的半導體反射鏡。介質材料之間的大折射率差使得實現具有高反射率的極薄dbr成為可能。隨后，激光器具有非常短的諧振腔，約為2.5μm。這種短腔設計，加上對外延結構、臺面尺寸和鍵合板電容等性能的精心優化，有助于Max限度地提高高達18 GHz的射頻性能。結合低閾值電流，器件能夠以28 Gb/s或更高的速率直接調制。VCSEL輸出處的光學眼圖如圖1 (b)所示 ...

到非常尖銳的多量子阱界面，對襯底溫度、界面切換機制、生長速率、V/III比等生長參數進行了迭代生長條件優化。雖然還沒有完全解釋，界面粗糙度肯定在QCL性能的定義中起作用。模擬和實測x射線衍射曲線對比如圖1所示。測量是在用于MWIR QCL設計的InGaAs/InAlAs多層材料上進行的，生長應變分別為~ 1%的拉伸/壓縮應變平衡。總的來說，需要在完整的結構中實現少量的殘余應變，并且x射線圖中的衛星峰需要窄才能認為材料質量好。仿真曲線與實驗曲線吻合較好控制生長參數。用極化子C-V測試來監測結構中的摻雜情況。采用高分辨率掃描電子顯微鏡（SEM）和諾瑪斯基顯微鏡（Nomarski microscop ...