足熒光基團(tuán)從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)的能量要求時(shí)，多光子激發(fā)發(fā)生。熒光信號可以是進(jìn)入生物樣品的外源探針（Hpechst,AlexaFluor488等），也可以是內(nèi)源分子（NAD(P)H或逆轉(zhuǎn)錄熒光蛋白）。（2）多光子成像對二次諧波（Second harmonic generation, SHG）生成敏感，即兩個(gè)光子瞬間將它們的能量轉(zhuǎn)移到一個(gè)波長減半的光子上。二次諧波生成不需要熒光基團(tuán)，但要求分子結(jié)構(gòu)是高度有序和特別對稱的。最常見的滿足二次諧波生成的生物結(jié)構(gòu)是膠原。（3）多光子成像是一種非線性的過程，信號產(chǎn)生要求功率密度達(dá)到MW/cm2的量級。如此量級只有在顯微物鏡的焦平面才可以達(dá)到，因而將可以觀測的信 ...

激發(fā)態(tài)躍遷回基態(tài)，釋放能量，形成穩(wěn)定的激光輸出，但工作介質(zhì)中的原子受到激勵(lì)源激發(fā)后使處在高能級的原子數(shù)數(shù)目必須大于低能級上的原子數(shù)數(shù)目，這樣增益大于損耗，才能使光的在諧振腔中不斷得到增強(qiáng)產(chǎn)生較強(qiáng)的激光。因此合適的激光工作介質(zhì)和激勵(lì)源是激光器必不可少的組成部分。不同的工作物質(zhì)的激發(fā)光源波段各異，如今的激光工作介質(zhì)有固液氣和半導(dǎo)體在內(nèi)的幾千種，并涵蓋了從真空紫外到遠(yuǎn)紅外的波段，按波段劃分的激光器種類大致如下表：激光器波段(λ)常用工作介質(zhì)遠(yuǎn)紅外激光器25~1000μm自由電子激光器中紅外激光器2.5~25μmCO分子氣體激光器(5~6μm)近紅外激光器750nm~2500nm摻釹固體激光器(206 ...

中，光場會(huì)在基態(tài)和量子系統(tǒng)(例如分子)的相關(guān)激發(fā)態(tài)之間產(chǎn)生一個(gè)狀態(tài)。這種誘導(dǎo)狀態(tài)，通常被稱為虛擬態(tài)(在量子光學(xué)中也稱為修飾狀態(tài))。這種狀態(tài)確實(shí)存在，但前提是光場開啟。使用激光脈沖時(shí)，虛擬狀態(tài)壽命由脈沖持續(xù)時(shí)間決定。直觀上，第一個(gè)光子誘導(dǎo)電子從基態(tài)躍遷到虛擬態(tài)，第二個(gè)光子誘導(dǎo)躍遷到激發(fā)態(tài)。雙光子吸收過程在多光子光學(xué)顯微鏡和多光子光學(xué)光刻中至關(guān)重要，這兩種應(yīng)用都已商業(yè)化多年。多光子光學(xué)光刻已成為制造從納米級到微米級的三維(3D)結(jié)構(gòu)的成熟方法。在3D光學(xué)光刻(也稱為直接激光寫入或 3D 激光納米打印)中，雙光子吸收導(dǎo)致光引發(fā)劑躍遷率的縮放，因此曝光劑量與光強(qiáng)度的平方成正比。至關(guān)重要的是，這種二次非 ...

用熒光分子的基態(tài)作為暗態(tài)。強(qiáng)制使得熒光分子處于暗態(tài)的機(jī)制采用受激輻射。當(dāng)激發(fā)光光斑內(nèi)的熒光分子吸收了激發(fā)光處于激發(fā)態(tài)后，用另一束STED光束照射樣品，使損耗光斑范圍內(nèi)的分子以受激輻射的方式回到基態(tài)，從而失去發(fā)射熒光的能力。即熒光萃滅。這個(gè)過程就叫做受激發(fā)射損耗。只有損耗光強(qiáng)為零或較低的區(qū)域內(nèi)的熒光分子能夠以自發(fā)輻射的形式回到激態(tài)發(fā)出熒光，這樣就實(shí)現(xiàn)了有效發(fā)光面積的減小。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，損耗光聚焦后的光斑需要滿足邊緣光強(qiáng)較大，而中心趨于零的條件，一般采用的是環(huán)形的空心光斑，如圖2所示。圖2. 激發(fā)光斑（a），渦旋光（b），強(qiáng)度分布的線掃描（c）,熒光疊加光斑（d）. 傳統(tǒng)的方法可以用螺旋相位板 ...

測原理當(dāng)處于基態(tài)的分子(圖1中的S0表示)吸收的光能量等于或大于較高能級的光(S1;S2;:::;Sn)，電子在短時(shí)間內(nèi)被激發(fā)到更高的能級。電子將經(jīng)歷振動(dòng)弛豫到激發(fā)態(tài)的最低振動(dòng)水平(記為S1)，這是一種稱為內(nèi)轉(zhuǎn)換的非輻射過程。從S1電子態(tài)，分子通過輻射或非輻射過程回到基態(tài)。圖1表示了在這些能級中發(fā)生的不同發(fā)光現(xiàn)象。熒光是分子(熒光團(tuán))通過發(fā)射可檢測的光子(時(shí)間尺度為)衰減到基態(tài)的輻射過程。熒光發(fā)射發(fā)生在激發(fā)電子能級最低的位置(S1)。這種來自最低激發(fā)電子能級的強(qiáng)制發(fā)射確保了發(fā)射光譜保持不變，并且與激發(fā)波長無關(guān)。由于振動(dòng)弛豫和內(nèi)部轉(zhuǎn)換中的能量損失，發(fā)射的熒光光子的能量較低(即發(fā)射發(fā)生在比激發(fā)更長 ...

。分子居群從基態(tài)通過虛態(tài)轉(zhuǎn)移到分子的振動(dòng)激發(fā)態(tài)(圖1A)。這與自發(fā)拉曼散射相反，自發(fā)拉曼散射從虛態(tài)到振動(dòng)激發(fā)態(tài)的轉(zhuǎn)變是自發(fā)的，導(dǎo)致信號弱得多。圖1.受激拉曼散射原理(A) SRS的能量圖。泵浦和斯托克斯束的共同作用通過虛態(tài)有效地將樣品中的分子從基態(tài)轉(zhuǎn)移到第一振動(dòng)激發(fā)態(tài)。被激發(fā)的振動(dòng)狀態(tài)可以通過調(diào)節(jié)泵和斯托克斯梁之間的頻率差來選擇。(B) SRS作為能量轉(zhuǎn)移過程。由于分子振動(dòng)的激勵(lì)，一個(gè)泵浦光子被吸收，一個(gè)斯托克斯光子被產(chǎn)生，這分別導(dǎo)致了傳輸泵浦光束和斯托克斯光束的SRL和SRG。由于分子振動(dòng)的相干激發(fā)(圖1B)，一個(gè)泵浦光子被樣品吸收，產(chǎn)生一個(gè)斯托克斯光子。這導(dǎo)致傳輸泵浦和斯托克斯光束強(qiáng)度的損 ...

重合，在高于基態(tài)的能級上誘導(dǎo)特定相干振動(dòng)。這些振動(dòng)分子被第三個(gè)“探測”激光探測，通常與泵浦激光頻率相同，使它們回到基態(tài)并產(chǎn)生頻率高于探測激光的反斯托克斯信號(圖1)。通過固定泵浦激光的波長和改變斯托克斯光束的頻率，可以獲得像SRS中那樣的寬帶測量。CARS實(shí)現(xiàn)了信號強(qiáng)度的1000倍提高，并且由于散射光是藍(lán)移的，因此它不受自熒光的干擾。與SRS一樣，信號強(qiáng)度的增加允許更短的采集時(shí)間，允許高達(dá)20 fps的視頻速率成像。與SRS不同，CARS信號與濃度呈非線性相關(guān)，因此定量成像并不簡單。第三種信號增強(qiáng)技術(shù)，SERS，依賴于修改樣本來增強(qiáng)信號。在SERS中，使用金和銀等金屬納米顆粒，當(dāng)受到入射光的撞 ...

個(gè)NV中心的基態(tài)電子自旋亞能級ms=±1在局域磁場存在下發(fā)生塞曼分裂，導(dǎo)致 ?f=±γeBNV/2π的自旋能級發(fā)生頻移，其中γe為電子回旋磁比，BNV為沿NV對稱軸的磁場投影。假設(shè)[N]到[NV]的轉(zhuǎn)換效率為1%，NV中心沿金剛石的四個(gè)111晶體軸隨機(jī)取向，平均間距為20nm。因此，ODMR譜呈現(xiàn)出四對共振線，對應(yīng)于BNV,i=1.4的磁場投影。如果您對磁學(xué)測量相關(guān)產(chǎn)品有興趣，請?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.arouy.cn/three-level-150.html更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè) ...

個(gè)電子能級:基態(tài)、激發(fā)態(tài)和亞穩(wěn)單重態(tài)(圖1)。基態(tài)和激發(fā)態(tài)由自旋三重態(tài)組成，可以被an極化。圖1.NV中心的能級圖。它包含基態(tài)和激發(fā)態(tài)，具有三個(gè)自旋亞能級和一個(gè)亞穩(wěn)態(tài)。與在室溫下容易被光漂白的傳統(tǒng)單發(fā)射體相比，自旋三重態(tài)地面層發(fā)出的發(fā)光特別有趣，因?yàn)槌诨^程具有極大的時(shí)間穩(wěn)定性。具有長松弛壽命的NV晶格能量結(jié)構(gòu)中兩個(gè)缺陷自旋之間的室溫量子糾纏可能是量子計(jì)算的主要貢獻(xiàn)。此外，NV中心與晶格中其余原子之間的弱相互作用確保了高度穩(wěn)定的發(fā)射，這也是與標(biāo)記生物組織或表面表征(如熒光)相關(guān)的應(yīng)用中非常理想的特性。了解更多詳情，請?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：https://www.auniontech.co ...

概念:注入器基態(tài)與上激光態(tài)的超強(qiáng)耦合和超短注入器區(qū)域。圖1我們的活動(dòng)巖心設(shè)計(jì)(圖1(a))采用了一個(gè)兩井注入器，通過超薄屏障(0.8nm)將其與三井活動(dòng)區(qū)域隔開。采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)和分子束外延(MBE)兩種方法，在低摻雜InP:S襯底上生長出具有100次重復(fù)活性注入?yún)^(qū)的應(yīng)變平衡InGaAs/InAlAs激光結(jié)構(gòu)。電致發(fā)光器件采用深蝕刻、直徑130μm的半圓形平臺，頂部觸點(diǎn)為Ti/Pt/Au，底部觸點(diǎn)為退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆蓋Ti/Au。將Fabry-Perot激光器制作成雙溝槽深蝕刻脊波導(dǎo)激光器，采用380nm SiNx作為側(cè)壁絕緣，并向下安裝在復(fù)合金剛石底座上 ...