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BM 薄膜的單重態激子壽命τS1為10.72 ns，而 eh-IDTBR 薄膜的τS1短得多（6.39 ns）。 這是由于PC71BM有更多的缺陷位點，延遲了PL淬火。對于第二點，測量了eh-IDTBR和PC71BM的TCSPC。光敏層中的單重態激子衰減與快速擴散到供體-受體界面有關，而長壽命組分與電荷分離后的電荷復合有關。此外，PBDTTT-EFT 和 PC71BM 混合物的τCT比PBDTTT-EFT和eh-IDTBR混合物更長，這意味著源自陷阱位點的電荷轉移狀態中的電荷復合增加了。因此，基于eh-IDTBR的OPD表現出更快的開關響應，這是由于有效的電荷分離和通過重新組合的陷阱密度進行的 ...
激發態和亞穩單重態(圖1)。基態和激發態由自旋三重態組成，可以被an極化。圖1.NV中心的能級圖。它包含基態和激發態，具有三個自旋亞能級和一個亞穩態。與在室溫下容易被光漂白的傳統單發射體相比，自旋三重態地面層發出的發光特別有趣，因為弛化過程具有極大的時間穩定性。具有長松弛壽命的NV晶格能量結構中兩個缺陷自旋之間的室溫量子糾纏可能是量子計算的主要貢獻。此外，NV中心與晶格中其余原子之間的弱相互作用確保了高度穩定的發射，這也是與標記生物組織或表面表征(如熒光)相關的應用中非常理想的特性。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.arouy.cn/three-l ...
及兩個中間態單重態（1A和1E）。3A和3E均包含m?=±1自旋態（其中兩個電子自旋平行排列，向上為m?=+1，向下為m?=-1）和m?=0自旋態（電子自旋反平行排列）。由于磁相互作用，m?=±1態的能量高于m?=0態，在沒有外界磁場時，m?=±1簡并，1A和1E各自僅包含一個m?=0的單重自旋態。見圖2。光學躍遷需遵循總自旋守恒原則，因此僅允許總自旋相同的能級間發生躍遷。具體而言，使用波長532 nm的綠色激光可誘導基態與激發態（自旋相同）之間的躍遷。而電子從激發態回落至基態時，就會因輻射躍遷發出637nm附近的紅光。此外，電子從激發態m?=±1回落時，會有更大的可能通過非輻射躍遷回落至中間 ...
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