簡(jiǎn)介——白光干涉法硅基液晶芯片即LCOS是一種空間光調(diào)制器。它利用液晶的電控雙折射現(xiàn)象,在驅(qū)動(dòng)電壓下折射率連續(xù)變化,實(shí)現(xiàn)對(duì)入射光的相位調(diào)制。但由于液晶的一些特性,驅(qū)動(dòng)電壓改變量和相位改變量是非線性關(guān)系,實(shí)際使用中需要測(cè)量并確定相位調(diào)制特性曲線。現(xiàn)介紹一種相位分析方法——白光干涉法,來(lái)確定LCOS芯片的相位調(diào)制特性曲線。白光干涉法采用邁克爾孫干涉儀的結(jié)構(gòu),在參考鏡前設(shè)置補(bǔ)償玻璃板(同LCOS芯片前的玻璃板),消除對(duì)光路的影響,從而使參考光和反射光達(dá)成白光干涉條件。分析干涉圖可得到LCOS芯片的相位輪廓,進(jìn)而分析相位調(diào)制的特性曲線。上圖為白光干涉法的裝置示意圖。白光由確定中心波長(zhǎng)的鹵鎢燈發(fā)射,經(jīng)毛 ...
比成像、微分干涉對(duì)比成像和擴(kuò)展景深成像。美國(guó)Meadowlark Optics 公司專注于模擬尋址純相位空間光調(diào)制器的設(shè) 計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造,有40多年的歷史,該公司空間光調(diào)制器產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于自適應(yīng)光學(xué),散射或渾濁介質(zhì)中的成像,雙光子/三光子顯微成像,光遺傳學(xué),全息光鑷(HOT),脈沖整形,光學(xué)加密,量子計(jì)算,光通信,湍流模擬等領(lǐng)域。其高分辨率、高刷新率、高填充因子的特點(diǎn)適用于PSF工程應(yīng)用中。圖1. Meadowlark 2022年新推出 1024 x 1024 1K刷新率SLM二、空間光調(diào)制器在PSF工程中的技術(shù)介紹在單分子定位顯微鏡(SMLM)中,通過(guò)從相機(jī)視場(chǎng)中稀疏分布的發(fā)射點(diǎn)來(lái)估計(jì)單個(gè)分 ...
纖衰減測(cè)量、干涉測(cè)量?jī)x、光相十?dāng)z影術(shù)、光譜學(xué)分析、生物成像、光學(xué)頻率梳等領(lǐng)域。關(guān)于Iceblink超連續(xù)激光器Iceblink是一款覆蓋450- 2300nm光譜范圍的超連續(xù)光纖激光器,具有超過(guò)1W的平均功率和較佳的穩(wěn)定性(0.5%標(biāo)準(zhǔn)偏差)。它是一種用途廣泛的白光光源,在科學(xué)和工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,典型應(yīng)用包括材料表征、VIS、NIR和IR光譜、單分子光譜和熒光激發(fā)的吸收/透射測(cè)量。 Iceblink的空間相干性和寬光譜范圍使其成為傳統(tǒng)燈源、單波長(zhǎng)激光器、LED和ASE光源的不錯(cuò)替代品。圖3:Iceblink超連續(xù)激光器實(shí)物圖規(guī)格指標(biāo):圖4:Iceblink超連續(xù)激光器典型光譜您可以通過(guò)我 ...
析儀可以表征干涉儀等儀器的復(fù)頻譜響應(yīng),快速繪制出系統(tǒng)的傳遞函數(shù)。同時(shí),內(nèi)置的 FIR濾波器可以產(chǎn)生較為精確的信號(hào)延遲。Moku:Lab功能與參數(shù)主要參數(shù)?雙通道200 MHz模擬輸入?雙通道300 MHz模擬輸出?12-bit 500 MSa/s 低噪聲ADC?Xilinx Zynq 7000 Series FPGA?<20 nV/√Hz 輸入噪聲(高于 1 MHz時(shí))主要功能?集成了12個(gè)不同的測(cè)試測(cè)量?jī)x器?專門為Pound–Drever–Hall和其他常見(jiàn)的激光鎖頻方式所開(kāi)發(fā)的儀器功能?雙通道基于鎖相環(huán)的相位/頻率探測(cè)裝置?Python, MATLAB, 和LabVIEW的API支持 ...
四波側(cè)向剪切干涉技術(shù)。Phasics波前傳感器體積小、結(jié)構(gòu)緊湊,分辨率高、動(dòng)態(tài)范圍大,并且易于使用。非常適合集成在用戶的光路中用于光學(xué)元件及組件的計(jì)量。另一方面,Phasics也提供定制化的量測(cè)系統(tǒng)。可以根據(jù)用戶的實(shí)際需求設(shè)計(jì)方案。上海昊量光電設(shè)備有限公司作為Phasics在中國(guó)地區(qū)的核心代理商,致力于為國(guó)內(nèi)的工業(yè)和科研用戶提供技術(shù)解決方案。對(duì)于Phasics相位相機(jī)有興趣或者任何問(wèn)題,都?xì)g迎通過(guò)電話、電子郵件或者微信與我們聯(lián)系。如果您對(duì)SID4系列波前傳感器產(chǎn)品有興趣,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)上海昊量光電的官方網(wǎng)頁(yè):http://www.arouy.cn/details-1631.html歡迎繼 ...
STED)干涉散射顯微鏡 Interferometric scattering microscopy (iSCAT)寬場(chǎng)顯微鏡 Widefield microscopy五、VAHEAT客戶反饋:相關(guān)文獻(xiàn):http://www.arouy.cn/jishu-630.htmlhttp://www.arouy.cn/jishu-462.html關(guān)于德國(guó)Interherence公司:德國(guó)Interherence公司擁有量子和生物光子學(xué)領(lǐng)域的專家團(tuán)隊(duì),為高靈敏度光學(xué)顯微鏡的發(fā)展做出了很大貢獻(xiàn)。該團(tuán)隊(duì)采用了現(xiàn)代納米制造和薄膜技術(shù),推出了VAHEAT生物顯微溫度控制器,作為傳統(tǒng) ...
常低于用傳統(tǒng)干涉儀測(cè)量的水平。作為MEMS鏡面的基材,硅具有較優(yōu)的潔凈度、平整度。在光束轉(zhuǎn)向應(yīng)用的Z后制造步驟中,硅鏡面必須涂覆以獲得所需波長(zhǎng)的高反射率。在標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)過(guò)程中,硅鏡上會(huì)涂上一層薄薄的鋁,所有庫(kù)存的MEMS鏡面都用的鋁涂層。一些研發(fā)生產(chǎn)過(guò)程中的設(shè)計(jì)被涂上了黃金。一般來(lái)說(shuō),可以使用其他涂層材料,但有必要找到薄的、低應(yīng)力的涂層,而不會(huì)顯著降低鏡子的平整度特性。這是一個(gè)非常具有挑戰(zhàn)性的要求,因?yàn)镸EMS反射鏡的厚度非常小,因此在每個(gè)新情況下都需要大量的研發(fā)工作。在使用鋁涂層的標(biāo)準(zhǔn)工藝中,在任何類型和尺寸的鏡子中都保持>5m的曲率半徑。圖2MEMS鏡面涂層:標(biāo)準(zhǔn)鋁涂層(左),金涂層(右 ...
直接光譜相位干涉法電場(chǎng)重建(SPIDER)[22,23]依賴于記錄兩個(gè)延遲和頻率剪切脈沖副本之間的頻譜干擾模式。相較而言,這種方法不需要復(fù)雜的反演算法,但需要更復(fù)雜的光學(xué)設(shè)置。另一類表征技術(shù)不依賴于脈沖副本,而是在譜域中操縱脈沖。在多光子脈沖內(nèi)干涉相位掃描(MIIPS)是一種頻譜相位整形器,用于在測(cè)量二次諧波頻譜時(shí)對(duì)脈沖施加受控相位函數(shù)[24]。群延遲色散(GDD)曲線可以通過(guò)確定哪個(gè)函數(shù)局部抵消原始頻譜相位從而使二次諧波產(chǎn)生z大化而得到(SHG)輸出,從而允許反演光譜相位,進(jìn)而重建時(shí)間脈沖輪廓。除了MIIPS外,也報(bào)道了利用脈沖整形器的相關(guān)方法[25,26]。色散掃描,簡(jiǎn)稱d-scan,利用 ...
定薄膜厚度的干涉信號(hào)的對(duì)比度降低。在高數(shù)值孔徑物鏡中,光線在膠片中以不同角度折射(見(jiàn)圖1),因此光線在膠片材料中的路徑長(zhǎng)度不同。這意味著它們具有不同的相位差。一旦不同的光線組合在一起并且相位疊加在探測(cè)器上,相長(zhǎng)干涉峰/谷和相消干涉峰/谷之間的對(duì)比度就會(huì)減弱。這種影響的嚴(yán)重程度取決于具體的膠片疊層和數(shù)值孔徑。但是,一般來(lái)說(shuō),效果隨著厚度的增加而增加。圖 1 大數(shù)值孔徑(NA) 的小光斑測(cè)量NA 如何影響厚度測(cè)量在硅氧化物測(cè)量示例中很容易看出效果。 200nm氧化物的UVVis反射光譜(200-1000nm)的模擬如圖2 所示。它顯示光譜隨著NA 的增加而逐漸退化。但變化很小并且很容易糾正。然而, ...
下拍攝的相應(yīng)干涉圖。4 (b).在80k的z大ASE功率下,兩種器件的FWHM均為~47 cm?1的高斯形光譜。平滑的光譜表明發(fā)射器確實(shí)低于閾值。通過(guò)干涉圖確定了8 mm和12 mm器件的相干長(zhǎng)度分別為~112μm和~127μm。在較高的溫度下,由于ASE光譜的展寬,預(yù)計(jì)相干長(zhǎng)度會(huì)更小。在250 K時(shí),8 mm和12 mm長(zhǎng)的器件分別觀察到FWHM為63 cm?1和56 cm?1的高斯形光譜(圖4 (c)),從相應(yīng)的干涉圖中提取的相干長(zhǎng)度為~94μm和~107μm(圖4 (d))。相干長(zhǎng)度也繪制為200k下12mm長(zhǎng)的器件峰值功率的函數(shù),如圖5所示,其中“X”表示激光閾值。相干長(zhǎng)度隨著功率的增 ...
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