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而導致較低的自由載流子吸收，這通常是QCL器件中大部分波導損耗的原因。在這種相對較低的摻雜水平下，由于缺乏非常精確的校準工具，可能很難將不同基團之間的摻雜水平相關聯(lián)，因此估計活性區(qū)摻雜水平的一種方便方法是比較QCL結構中的Max隧道電流，因為它與注入器中的摻雜水平成正比實際上，在本研究中，Max隧穿電流密度約為1.35 kA/cm2，表明本研究中結構的摻雜水平要低得多；這與本文文獻12中的3.8 cm?1和1.84 cm?1的內部損耗是一致的——遺憾的是，文獻中沒有光損耗報告。zui終，較低的光損耗導致室溫連續(xù)波閾值電流密度較低，約為0.83 kA/cm2，而相關文獻分別為1.53 kA/cm ...
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