在第二代太陽能電池材料中，二硫化銅銦（CuInS2或CIS）是最有前途的材料之一。自上世紀90年代CuInS2就被太陽能電池領域的科研工作者，當時太陽能電池的效率已達到10%[1]。它具有較高的吸收系數、直接帶隙（1.52V）[2]和無毒性使其成為薄膜和量子點敏化太陽能電池的理想候選者。但是，似乎CIS太陽能電池的量子效率提升達到了瓶頸。為了不斷改進下一代CIS電池并打破這一限制，必須要清楚的理解制造工藝對太陽能電池性能的影響。 考慮到這一點，IRDEP（法國光伏能源研究院）的研究人員利用光致發光（PL）成像對多晶CuInS2太陽能電池進行了表征。高光譜顯微成像平臺（IMA Photon）可 ...

銅銦鎵硒（Cu(In,Ga)Se2 or CIGS）是薄膜太陽能電池的最佳候選者之一。CIGS在長期光照下除了穩定性高外還具有較高的吸光度和直接帶隙。目前一些科研小組已經將典型多晶CIGS設備量子效率超過20%，并且有較好的重復性。但是這種效率依舊低于Shockley-Queisser的理論計算值。這在一定程度上歸因于由于多晶性質引起的太陽能電池的不均一性，這也使材料性能和整體性能的關系模糊。為了量化形態對太陽能電池量子效率的影響，研究不同性質在空間上的變化將變的至關重要。 考慮到這一點，IRDEP（法國光伏能源研究院）的研究人員對CIGS微型太陽能電池（直徑為35μm）進行了光致發光P ...

隨著有機金屬鈣鈦礦太陽能電池的快速發展，過去幾年，尋求靈活、廉價且易于加工的光伏材料取得了新的發展。這些新型太陽能電池很可能很快就會替代目前硅基太陽電池的王者地位。它們具有高載流子遷移率、對可見光吸收率高和可調諧的帶寬使其成為低成本太陽能電池的選擇。但是鈣鈦礦卻有一個缺點，它們的穩定性是不穩定的，它們當前的壽命只有2000小時，遠遠小于硅的使用時間（52000小時）。如果想要將這一新的光伏之星推向市場，更好的理解光物理學和降解機制變的尤為重要。 Photon Etc.的IMA面成像高光譜顯微設備可解答研究人員關于為什么鈣鈦礦具有杰出性能的疑問。IMA可以通過光學測量快速表征二維和三維鈣鈦 ...

空穴對的復合發光光譜,當入射光對材料進行輻照,材料價帶中的電子吸收入射光能量躍遷到導帶,產生電子空穴對,這時候去掉激發光,材料導帶中的電子從激發態回到基態,緩慢放出較長波長的光,放出的這種光就叫熒光.如果把熒光的能量--波長關系圖作出來,那么這個關系圖就是熒光光譜.電子從激發態回到基態經歷的時間即為熒光壽命.為了評估異質結中載流子的分離和傳輸特性,可對異質結進行熒光壽命測試.上圖紅藍黑色曲線分別對應WS2,ReS2&WS2界面,ReS2的熒光壽命.可以看到ReS2的熒光壽命幾乎沒有信號,由于ReS2區域的壽命比WS2和界面區域的信號弱得多,因此在這種泵浦探測波長下,無法從ReS2到WS ...

膜的穩態光致發光光譜結果，顯然，基于單晶工程技術制備的鈣鈦礦薄膜的PL強度要高得多，這是因為鈣鈦礦薄膜內陷阱和缺陷的減少而抑制了載流子的復合，說明基于單晶工程技術制備的鈣鈦礦具有更好的性能。與傳統的基于溶液混合法制備的鈣鈦礦相比，它具有更高的質量，更高的結晶度和更少的缺陷。為了進一步探索影響鈣鈦礦穩定性的因素，分別測試了兩種不同方法制備的鈣鈦礦的熒光壽命（時間分辨光致發光TRPL），基于混合陽離子單晶工程技術的和基于常規溶液混合法的（MA1-xFAxPbI3）1.0（CsPbBr3）0.05（x = 0.8）鈣鈦礦薄膜的壽命分別為44.15ns和32.39 ns。 這表明單晶工程技術制備的鈣鈦 ...

時間衰變光致發光光譜。如圖2（a）為在AM1.5G的輻照下使用不同ETLs的柔性PSCs電流J-V的曲線圖，圖2（a）的嵌入圖為PSCs關鍵J-V參數的總結，基于T2的PSCs在1.1V顯示了最大的J_sc（22.32mA/cm2），并且填充因子（FF）為0.656，產生了高16.11%的PCE。基于低載流子的結合動力學，T2/PVK表面的電位損失最小，導致了PSC的Jsc和Voc較高。如圖2（b）所示，此PSCs的整合J_sc為21.1 mA/cm2，和圖2（a）中的J-V曲線很好的吻合。為了證實這一假設，研究了PSCs光電特性的光強依賴性來探索這種結合機制。圖2（c）表明了V_oc和自然對 ...

如熒光壽命、發光光譜和熒光量子產率。其基本原理是測量光子到達探測器的時間。當一個光子被探測到時，會觸發一個計數器，記錄光子到達的時間。通過多次測量并記錄光子到達的時間，可以生成光子到達時間的分布曲線，如圖2所示，從而獲得有關樣品的信息。圖2TCSPC原理示意圖TCSPC系統具有非常高的時間分辨率，通常在皮秒（ps）級別。這使得它能夠精確測量光子到達時間，即使在非常短的時間尺內也能實現準確的測量，且可以處理極低光子計數的數據。基于統計分析的TCSPC法避免了熒光強度的直接測量，因而信噪比較高，探測效率近乎理想。但由于通常需要多次重復掃描來為每個像素采集足夠多的光子用于擬合熒光壽命，成像時間通常會 ...

并且對它們的發光光譜進行了細致的識別和分析。圖1顯示了17種手性碳納米管（a-b）的光學圖像，它們各自的發光光譜由IMA（圖2）識別。這項研究不僅推動了光學生物成像的前沿，還以很好的精度和深度解鎖了對細胞和分子結構微妙細節的新視角。圖1、懸浮于脫氧膽酸鈉的碳納米管（Rice HiPco制劑）的高光譜顯微鏡。（a）近紅外寬帶（900-1500 nm）熒光圖像。（b）與（a）所示區域的假彩色圖像，由納米管手性著色。圖2、在500 nm發射窗口中檢測到的17種物質中每一種的單個納米管的代表性光譜[1]。相關文獻：[1] Roxbury, D., Jena, P. V., Williams, R. M ...

0k下的電致發光光譜。與預期相反，本設計中的超強耦合對增益譜寬沒有明顯的負面影響，如果有的話。輻射躍遷展寬與z佳可比常規設計相似。在非激光平臺樣品上的電子傳輸特性（電流-電壓特性）表征表明，與具有相似波長和片狀摻雜密度的典型高性能傳統設計相比，我們的超強耦合設計在大溫度范圍內具有更高的Max工作電流密度和更低的差分電阻（補充圖S1）。代表性激光光譜如圖2b所示；激光波長在低溫下為4.5 mm，在室溫下為4.7 mm。圖4激光表征結果表明，與目前報道的在相似波長和工作條件下的z佳qcl相比，該激光器在寬溫度范圍內的斜率效率、峰值功率和WPE均有顯著提高。對于脈沖模式工作（5 kHz重復率，100 ...