。這些系統(tǒng)在可見光（400-1000nm）、NIR（900-1620）nm或兩者（400-1620nm）光譜范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)諧。這種zui先jin的平臺(tái)允許對(duì)納米材料進(jìn)行深入表征，而無需任何特殊的樣品制備。如果您對(duì)高光譜暗場(chǎng)顯微鏡感興趣，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電官方網(wǎng)站：http://www.arouy.cn/details-1007.html相關(guān)文獻(xiàn)：[1] Patskovsky, S., Bergeron, E., & Meunier, M. (2013). Hyperspectral darkfield microscopy of PEGylated gold nanopa ...

過同步控制全可見光-近紅外范圍內(nèi)的脈沖重疊，獲得了條紋的zui佳可見度，分辨率小于1nm。該方法極大地簡(jiǎn)化了基于多個(gè)sled作為照明源的冗長(zhǎng)而繁瑣的zui新干涉測(cè)量方法。Iceblink是一款覆蓋450- 2300nm光譜范圍的超連續(xù)光纖激光器，具有超過3W的平均功率和卓越的穩(wěn)定性(0.5%標(biāo)準(zhǔn)偏差)。它是一種用途廣泛的白光光源，在科學(xué)和工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，典型應(yīng)用包括材料表征、VIS、NIR和IR光譜、單分子光譜和熒光激發(fā)的吸收/透射測(cè)量。如果您對(duì)400-2300nm皮秒超連續(xù)譜激光器感興趣，請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電官方網(wǎng)站：http://www.arouy.cn/details ...

圖為了滿足從可見光到近紅外的多波段測(cè)試需求，測(cè)試系統(tǒng)采用具有連續(xù)譜的溴鎢燈作為光源并配合以單色儀。光源配備的穩(wěn)流電源使輸出光強(qiáng)波動(dòng)＜0.14％。光源出射光經(jīng)準(zhǔn)直鏡轉(zhuǎn)化為平行光。起偏器和檢偏器為兩個(gè)Glan棱鏡，能夠保證測(cè)試系統(tǒng)從可見光到近紅外都具有優(yōu)xiu的消光比。兩個(gè)Glan棱鏡及置于其問的待測(cè)樣品分別安裝在可以360°自由旋轉(zhuǎn)的精密轉(zhuǎn)臺(tái)上，轉(zhuǎn)臺(tái)的精度優(yōu)于1′，可由計(jì)算機(jī)控制轉(zhuǎn)動(dòng)，并記錄轉(zhuǎn)動(dòng)信息。選用zui大累計(jì)誤差為0.18％的高精度Babinet—Soleil補(bǔ)償器。補(bǔ)償器安裝于精密平移臺(tái)上，可以保證其移入、移出光路時(shí)位置不變。接收端選用的單色儀光譜精度為±0.2nm。NCL是與單色儀配 ...

：當(dāng)φ=π時(shí)可見光譜掃描曲線中，λ／2波片在相應(yīng)波長(zhǎng)處光強(qiáng)值為zui大或zui小，所以僅從曲線極值所在位置便可精確確定波片在該波長(zhǎng)處延遲為π。這為精確測(cè)量λ／2波片提供了有效的辦法。測(cè)量λ／2波片時(shí)將起偏器與檢偏器平行放置，待測(cè)元件光軸方位角為45。，即可獲得zui佳對(duì)比度。透過光強(qiáng)隨波長(zhǎng)變化關(guān)系為：其中，μ為雙折射率，d為波片的厚度。若在一定波長(zhǎng)帶寬范圍內(nèi)，忽略μ隨波長(zhǎng)的變化，便可推算出波片在該帶寬范圍內(nèi)不同波長(zhǎng)處的延遲值：其中，為取光強(qiáng)zui小值時(shí)的對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)，λ為所求延遲的波長(zhǎng)。2.誤差分析這里主要分析λ／2波片測(cè)量誤差，因此主要分析各測(cè)量參量對(duì)光譜曲線中zui小值位置的影響。(1)角度取 ...

光電傳感器1、光子到電子的轉(zhuǎn)換由于光和電的zui小單位分別可用光子和電子表示，我們可以用這些術(shù)語描述探測(cè)過程。光子通過光電傳感器轉(zhuǎn)換為電子，并以電流大小輸出。更準(zhǔn)確的描述是，如當(dāng)光子被半導(dǎo)體材料吸收時(shí)，半導(dǎo)體材料的電子從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶，然后由電路讀出，作為輸出信號(hào)。有三種過程可從材料中激發(fā)出電子：光伏效應(yīng)，光電導(dǎo)效應(yīng)，光電發(fā)射效應(yīng)。能夠發(fā)生光伏效應(yīng)的半導(dǎo)體傳感器，應(yīng)該由P型區(qū)和N型區(qū)組成，并且兩區(qū)相互拼接形成P-N結(jié)，如圖1.1所示。1.1光電二極管原理圖電子吸收光子后，激發(fā)到導(dǎo)帶上，但在價(jià)帶上留下空穴，形成了電子-空穴對(duì)。電子在材料內(nèi)部向著P-N結(jié)方向擴(kuò)散或漂移，zui后到達(dá)N型區(qū)，這樣在N ...

元件大部分在可見光范圍內(nèi)使用的玻璃和晶體材料同樣適用于近紅外區(qū)域，它們用于制造透鏡、棱鏡以及窗口元件。石英玻璃應(yīng)用的波長(zhǎng)范圍可以達(dá)到4μm,甚至硼硅玻璃都可以應(yīng)用在3μm波長(zhǎng)范圍。波長(zhǎng)大于紅外波長(zhǎng)區(qū)域的材料會(huì)常常用到，如鹵化物單晶體、氧化物晶體、玻璃、硫系玻璃和半導(dǎo)體材料。在光通信中，由于吸收導(dǎo)致OH基減少的石英玻璃纖維也經(jīng)常會(huì)用到。紅外光譜波長(zhǎng)區(qū)域的使用范圍更廣，例如采用反射光學(xué)系統(tǒng)的溫度測(cè)量設(shè)備，就包含一個(gè)成像裝置、波長(zhǎng)在3~5μm和8～14μm的夜視設(shè)備、半導(dǎo)體鍺和硅 的折射透鏡、消色鏡頭和變焦鏡頭等。在紅外光譜范圍內(nèi)，會(huì)經(jīng)常用到如棱鏡、窗口材料和器皿等光學(xué)元件，而選擇合適的材料時(shí)要考慮 ...

允許對(duì)許多在可見光和紅外線下不透明的材料進(jìn)行非侵入式檢測(cè)和分析。應(yīng)用包括檢測(cè)1到5 THz范圍內(nèi)的光譜特征，以區(qū)分外觀相似的塑料和爆炸物[16]、通過不透明包裝進(jìn)行質(zhì)量控制監(jiān)測(cè)、對(duì)油漆進(jìn)行微米級(jí)精度的非侵入式層厚度測(cè)量[17]、高分辨率氣體光譜學(xué)、以及作為標(biāo)簽自由分析生物組織的X射線技術(shù)的替代方法（因?yàn)門Hz輻射不會(huì)產(chǎn)生電離效應(yīng)）[18]。這些應(yīng)用通常采用太赫茲時(shí)域光譜技術(shù)（THz-TDS）來解決。在THz-TDS中，一個(gè)光脈沖列在一個(gè)發(fā)射器裝置上產(chǎn)生一列單周期的THz脈沖，而另一個(gè)光脈沖列則被延遲，并在一個(gè)接收器裝置上等效時(shí)間采樣THz場(chǎng)[19]。過去十年中，光導(dǎo)式天線（PCAs）的進(jìn)展使它 ...

SNOM)在可見光范圍內(nèi)成像。用于磁光研究的相當(dāng)緊湊和振動(dòng)隔離的特高壓室連接到配備薄膜制備設(shè)施的特高壓系統(tǒng)，以及用于表征薄膜結(jié)構(gòu)和形態(tài)的STM和低能電子衍射(LEED)。結(jié)合極性和縱向MOKE, kerr顯微鏡和Sagnac-SNOM測(cè)量可以在變溫度和外磁場(chǎng)下進(jìn)行。由于在連續(xù)的MOKE, kerr顯微鏡和SNOM測(cè)量之間不需要樣品轉(zhuǎn)移，因此樣品可以保持在恒定溫度下，而磁疇結(jié)構(gòu)可以在不同的長(zhǎng)度尺度上進(jìn)行研究(橫向平均MOKE為E1 mm, kerr顯微鏡為bbb3mm, SNOM為亞毫米結(jié)構(gòu))。系統(tǒng)的示意圖如圖1所示。圖1所有測(cè)量都可以在高達(dá)1500歐的外部磁場(chǎng)中進(jìn)行，垂直或平行于薄膜平面，使用 ...

這些系統(tǒng)可在可見光（400-1000nm）、近紅外（900-1620nm）或兩者（400-1620nm）光譜范圍內(nèi)連續(xù)調(diào)諧。這一套平臺(tái)能夠在無需繁瑣的樣品準(zhǔn)備的情況下，深入研究納米材料的性質(zhì)。一、使用TLS獲得的結(jié)果在Patskovsky等人[1]的這項(xiàng)研究中，使用高光譜暗場(chǎng)成像研究了靶向CD44+陽性人類乳腺癌細(xì)胞的金等離子體納米顆粒（AuNPs）。這套系統(tǒng)已成功用于在固定的細(xì)胞制備中執(zhí)行CD44靶向AuNPs的三維光譜定位和光譜鑒定（見圖1）。這種空間和光譜信息對(duì)于改進(jìn)基于納米等離子體的成像、疾病檢測(cè)和在復(fù)雜生物環(huán)境中的治療至關(guān)重要。圖1、使用100倍物鏡沿光學(xué)z軸在不同平面拍攝的暗場(chǎng)圖像 ...

源，目前，在可見光譜中是zui高效的有色光源。商業(yè)可用的發(fā)光二極管的光譜范圍包括近紫外光譜到可見光再到近紅外光譜。(1) LED基礎(chǔ)發(fā)光二極管是一種半導(dǎo)體器件，其發(fā)光原理是基于載流子通過p-n結(jié)的電致發(fā)光。一般來說，發(fā)光二極管工作時(shí)就是一個(gè)普通的半導(dǎo)體二極管：應(yīng)用前導(dǎo)偏置產(chǎn)生一個(gè)流過p-n結(jié)的電流。外電場(chǎng)使電子-空穴對(duì)進(jìn)入勢(shì)壘區(qū)的節(jié)點(diǎn)界面，在這里發(fā)生復(fù)合。復(fù)合可以是一個(gè)自發(fā)的輻射過程，也可以是晶體材料以振蕩形式將能量釋放到晶格的非輻射過程(成為聲子)。這個(gè)產(chǎn)生額外載體和隨后注入載體的重新組合稱為注入式電致發(fā)光。發(fā)光二極管發(fā)射的幾乎都是單色非相干光。發(fā)射光子的能量和發(fā)光二極管輻射光的波長(zhǎng)取決于半 ...