速板)，它將橢圓偏振光轉換為平面偏振光，以實現zui佳對比度調整。它們在垂直入射處是zui強的，在垂直入射處，面內域的克爾對比是不可能的。如果將具有相似疇相的透明材料在透射中成像，將觀察到相同的對比度特征，但現在在法拉第，透射Voigt和透射梯度效應中。在圖1中，選擇垂直入射的垂直磁化石榴石膜來表示法拉第效應，因為這種極性幾何結構在法拉第顯微鏡中zui常用。圖1圖1綜述了可用于磁疇成像的四種傳統磁光效應。從左到右依次為:效應名稱及其發現年份、光學描述、對磁化矢量M的靈敏度、作者和首次應用于成像的年份，以及光學偏光顯微鏡的典型對比外觀。疇圖像取自具有垂直各向異性的單晶石榴石薄膜(上排)和厚度為0 ...

都可以認為是橢圓偏振光的特例。對上面的兩個公式進行運算可以得到一般橢圓偏振光的軌跡方程：標準橢圓方程的形式含有半長軸a和半短軸b,表示為：將上式圍繞坐標軸旋轉一個角度ψ得到：然后把兩個分量帶入上面兩個橢圓方程可以得到：從這個方程組可以獲得偏振橢圓的長半軸取向角ψ：偏振橢圓的形狀可以用橢圓率來表示，橢圓率就是橢圓短半軸長度與長半軸長度的比值：其中-1<e<1.用橢圓率角來表示橢圓，如:通過引入輔助角σ(O≤σ≤w/2),橢圓率角和取向角又可以表示為：若給出了兩個相互垂直的振蕩矢量的振幅比值和相位差,可以通過上式計算獲得橢圓長半軸的取向角ψ和橢圓率角ε，進而確定光的偏振態。3.旋轉起偏 ...

的發展，紅外橢圓偏振光譜(IRSE)作為表征納米結構的一種強有力的工具，特別是自組裝單分子膜(SAMs)的表征上，已得到極大的發展。與傳統的傅里葉變換紅外反射吸收光譜(FT-IRRAS)相比，IRSE在測定高反射率波長區域內的介電函數(低至單分子層厚度)方面具有優勢。另外，IRSE表征比FT-IRRAS表征有更多的實驗參數，可以獲取薄膜樣品的更多信息。圖1-3為利用橢偏儀在位監控微晶mc-Si:H薄膜在ZnO襯底的生長。生長模型為島狀生長，因此在生長過程中，表面較為粗糙，通過模型構建可以獲取薄膜表面粗糙度隨時間演變和生長速率和生長模式。圖1-3薄膜生長過程中表面的粗糙度隨著時間的演變1.3.2 ...

、圓偏振光、橢圓偏振光等，覆蓋所有可能的偏振態。它通常結合了多個光學元件，如偏振器、波片、旋光器和相位調制器等，通過調節這些元件可以靈活地控制和產生各種偏振態。全偏振發生器的實現方案有多種，如基于波片、電光調制器、聲光調制器、旋光材料、矢量光束等的方案，本文我們著重介紹幾種基于波片的方案。1.旋轉起偏器和1/4波片產生全偏振態如圖1所示為旋轉起偏器和1/4波片產生全偏振態的示意圖,它包括一個可旋轉的起偏器P,它的透光軸位于角度θ處;一個可旋轉的1/4波片R,其慢軸方向位于角度φ處,這一裝置也稱作塞拿蒙(Sénarmont)補償器。1/4波片前后表面的偏振電場矢量分別用E和E'來表示。X ...