速板)，它將橢圓偏振光轉(zhuǎn)換為平面偏振光，以實現(xiàn)zui佳對比度調(diào)整。它們在垂直入射處是zui強的，在垂直入射處，面內(nèi)域的克爾對比是不可能的。如果將具有相似疇相的透明材料在透射中成像，將觀察到相同的對比度特征，但現(xiàn)在在法拉第，透射Voigt和透射梯度效應(yīng)中。在圖1中，選擇垂直入射的垂直磁化石榴石膜來表示法拉第效應(yīng)，因為這種極性幾何結(jié)構(gòu)在法拉第顯微鏡中zui常用。圖1圖1綜述了可用于磁疇成像的四種傳統(tǒng)磁光效應(yīng)。從左到右依次為:效應(yīng)名稱及其發(fā)現(xiàn)年份、光學(xué)描述、對磁化矢量M的靈敏度、作者和首次應(yīng)用于成像的年份，以及光學(xué)偏光顯微鏡的典型對比外觀。疇圖像取自具有垂直各向異性的單晶石榴石薄膜(上排)和厚度為0 ...

都可以認為是橢圓偏振光的特例。對上面的兩個公式進行運算可以得到一般橢圓偏振光的軌跡方程：標(biāo)準橢圓方程的形式含有半長軸a和半短軸b,表示為：將上式圍繞坐標(biāo)軸旋轉(zhuǎn)一個角度ψ得到：然后把兩個分量帶入上面兩個橢圓方程可以得到：從這個方程組可以獲得偏振橢圓的長半軸取向角ψ：偏振橢圓的形狀可以用橢圓率來表示，橢圓率就是橢圓短半軸長度與長半軸長度的比值：其中-1<e<1.用橢圓率角來表示橢圓，如:通過引入輔助角σ(O≤σ≤w/2),橢圓率角和取向角又可以表示為：若給出了兩個相互垂直的振蕩矢量的振幅比值和相位差,可以通過上式計算獲得橢圓長半軸的取向角ψ和橢圓率角ε，進而確定光的偏振態(tài)。3.旋轉(zhuǎn)起偏 ...

的發(fā)展，紅外橢圓偏振光譜(IRSE)作為表征納米結(jié)構(gòu)的一種強有力的工具，特別是自組裝單分子膜(SAMs)的表征上，已得到極大的發(fā)展。與傳統(tǒng)的傅里葉變換紅外反射吸收光譜(FT-IRRAS)相比，IRSE在測定高反射率波長區(qū)域內(nèi)的介電函數(shù)(低至單分子層厚度)方面具有優(yōu)勢。另外，IRSE表征比FT-IRRAS表征有更多的實驗參數(shù)，可以獲取薄膜樣品的更多信息。圖1-3為利用橢偏儀在位監(jiān)控微晶mc-Si:H薄膜在ZnO襯底的生長。生長模型為島狀生長，因此在生長過程中，表面較為粗糙，通過模型構(gòu)建可以獲取薄膜表面粗糙度隨時間演變和生長速率和生長模式。圖1-3薄膜生長過程中表面的粗糙度隨著時間的演變1.3.2 ...

、圓偏振光、橢圓偏振光等，覆蓋所有可能的偏振態(tài)。它通常結(jié)合了多個光學(xué)元件，如偏振器、波片、旋光器和相位調(diào)制器等，通過調(diào)節(jié)這些元件可以靈活地控制和產(chǎn)生各種偏振態(tài)。全偏振發(fā)生器的實現(xiàn)方案有多種，如基于波片、電光調(diào)制器、聲光調(diào)制器、旋光材料、矢量光束等的方案，本文我們著重介紹幾種基于波片的方案。1.旋轉(zhuǎn)起偏器和1/4波片產(chǎn)生全偏振態(tài)如圖1所示為旋轉(zhuǎn)起偏器和1/4波片產(chǎn)生全偏振態(tài)的示意圖,它包括一個可旋轉(zhuǎn)的起偏器P,它的透光軸位于角度θ處;一個可旋轉(zhuǎn)的1/4波片R,其慢軸方向位于角度φ處,這一裝置也稱作塞拿蒙(Sénarmont)補償器。1/4波片前后表面的偏振電場矢量分別用E和E'來表示。X ...