寬可調諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調制（2）-Mems容器結構與加工1.半VCSEL結構BCB MEMS可調諧VCSEL的示意圖如圖1所示。它主要由兩部分組成：半VCSEL和MEMS DBR。半VCSEL主要由一個基于AlInGaAs的有源區、兩個InP熱和電流擴散層、一個埋地隧道結（BTJ）和一個固定底部DBR反射鏡組成。由兩個重摻雜p-AlGaInAs和n-GaInAs層組成的圓形BTJ限制了結構中心的電流，以保證有源區域具有足夠高的電流密度。為了實現高斯基模的高放大，增益曲線和光模之間的重疊必須是z佳的。這只能在束腰符合BTJ半徑的情況下實現。因此，由于其不同的橫向 ...

，可以將激光波長調諧到1584nm。這對應于60nm的連續單模調諧，中心波長為1554nm。在1584nm的發射波長處，激光模式與下一個高階縱向模式競爭，當MEMS電流高于27mA時，縱向模式zui終在1524nm處開始激光。排放峰值隨加熱功率的變化如圖4(b)所示。依賴于Lair的發射波長λ與加熱功率P熱成正比，也與調諧電流Imems的平方成正比：其中，Rmems=40Ω為MEMS電極的歐姆電阻。由于工藝相關問題，ARC部分蝕刻。因此，激光器無法調諧到整個FSR，該MEMS VCSEL的FSR為94nm。值得一提的是，FSR可以通過進一步減小犧牲層的厚度來提高，從而使半VCSEL和MEMS ...

寬可調諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調制（4）-動態測量1)小信號調制響應：小信號調制響應的S21參數給出了激光動態行為的估計。在不同的偏置電流和不同的發射波長下進行了實驗。散熱器溫度設置為20℃。該芯片的共面連接由級聯地面信號40GHz探頭直接連接。用接觸針單獨探測MEMS進行電熱驅動，如圖7所示。27GHz皮秒脈沖偏置電路將來自矢量網絡分析儀（Agilent Technologies E5071C ENA）的高頻信號與來自激光二極管控制器的直流偏置相結合。小信號功率電平設置為?7dbm。輸出光與標準單模透鏡光纖對接耦合。zui后，一個光電二極管（Anritsu MN47 ...

；這種裝置的波長調諧也可用于WDM傳輸。我們實現了一種新型的1580nmVCSEL，型號為VertilasVL-1585-10-SE-T4。該器件的閾值電流為0.85mA，在25°C下提供3.9mW的光功率，并且可以在沒有溫度或波長控制的情況下工作。VCSEL使用的原型機沒有扎辮子；在器件孔徑處對準一個劈裂的SMF尾纖，收集輸出光束。在功率和波長對施加偏置電流的響應方面，該器件的直流特性如圖1a所示。插圖顯示了得到的光譜樣本；非調制連續波（實心，黑色）和調制（紅色，虛線）輸出。器件波長在1575-1580nm之間變化；獲得的Max光功率為0.6mW(-2.55dBm)；側模抑制比（SMSR）為 ...