系數一樣存在紅移現象。圖4-7(b，d)是不同沉積時間下測得的介電常數虛部，隨著時間的變化，值發生變化。當沉積時間為180s的時候，在500-800nm的長波范圍，其值大概從襯底的0增加到4，同樣也意味著新的物質沉積，導致襯底的信息減少。在沉積時間增加到360s時，和180s比，出現了兩個比較明顯的波包，大約在400nm和590nm附近。當沉積時間增加到540s之后，的值隨著波長減小，在600nm到800nm波段接近0，且在470nm和550nm附近出現了波包。沉積時間為720s時，其變化和360s一致，但是出現的波包位置大概在400nm和550nm附近且波包變得更大。當時間為900s時，在3 ...

邊緣有明顯的紅移，高達幾十納米，并伴有分布在樣品表面上的小點。中心波長在內邊緣的偏移可歸因于圖案化過程中材料本身的強烈退化。 然而，對于劃線表征，內邊緣起著相當小的作用。有趣的是，散布在樣品表面的小紅移點可以得出有關材料去除過程的結論。顯然，會發生臨界加熱和爆炸性沸騰，產生不協調凝結并廣泛分布在樣品表面的飛濺物。這個假設已經在我們之前的研究和模擬中建立起來。圖1.(A，B）PL發射的局部中心波長的空間分辨圖像和(C，D）相應的準費米能級分裂（QFLS）。樣品分別在zui佳通量為1.36和2.31 J cm-2時通過 （A，C）ns和（B，D）ps激光脈沖對樣品進行圖案化。如果您對高光譜暗場顯微 ...

只是它發生了紅移。對不同沉積時間相互對比，180s的變化值比較小，且看起來和其他時間有差異，這可能是由于沉積薄膜厚度引起。時間增加到360s以后，的變化趨勢基本一致，只是360s比其他時間的小，且隨著波長的增加其差別也變大。圖4-11擬合得到的不同沉積時間薄膜的300-500nm波段的(a)n、(b)k及介電常數(c)實部和(d)虛部2、長波范圍(500-800nm)圖4-12是模擬得到的各個沉積時間的介電常數實部和虛部相對于1s的變化Δ和Δ以及相對于180s的變化率。圖4-12(a)在300-600nm波段Δ為，600-800nm波段Δ為正值，整體的變化趨勢。從圖4-12(b)來看Δ除了36 ...

時間的增加有紅移的趨勢。相對于180s，介電常數實部和虛部相變化Δ和Δ以及變化率，反映出沉積體系在525-600nm波段對光的響應存在跳變，可能由等離子體共振導致。其次，從擬合得到的中心能量知，存在CU2O的E0A、E0B、E0C、E0D、E1A和E1B激子吸收峰，其能級壽命在10-16-10-14s。擬合計算得到的電導率在104S/m數量級。zui后，對沉積厚度分析知，沉積速率會隨著時間會變化。CU2O薄膜沉積的生長方式可能是層狀生長和島狀生長。當為層狀生長時算出平均沉積速率為0.34±0.05nm/s，與之前假設的庫倫效率比，層狀生長的庫倫轉換效率為36%。但是層狀擬合曲線和擬合得到的厚度 ...

發射的藍移和紅移的輸出功率降低。雖然可以通過溫度調諧來實現增益頻譜的移位，但這并不廣泛適用于室溫操作的系統；因此，需要其他策略來調整增益頻譜。本研究描述了調整QCL腔長以調諧增益譜。空腔長度是一個簡單的后處理選擇參數，因此非常適合于方便地調整QCL增益譜和選擇峰值增益波長。對于這里提出的QCL，波長選擇范圍足夠寬，可以跨越二氧化碳的整個振動-旋轉吸收特征CO2。設計的量子級聯激光器的中心發射頻率為2326 cm?14.3um。相應的頻帶圖如圖1 A所示。活躍區和注入器一個周期的層序為26/17/22/18/19/19/18/21/17/21/15/27/15/38/11/13/36/14/ 3 ...

溫度上的不同紅移引起的。由于BTJ允許消除幾乎所有具有較高電阻和光損耗的p導電材料，差分串聯電阻已達到40-50Ω，非常適合高速器件。圖1 高速1.55um基于inp的BTJVCSEL的示意圖。該裝置安裝在電鍍金假襯底上。在制造過程中去除InP襯底。n-觸點和p-觸點都可以在頂部訪問。觸點板電容被Min化。寄生設備由于我們的VCSEL的寄生響應可以通過一階等效電路很好地建模，包含松弛振蕩頻率，固有阻尼和寄生滾降的三極濾波器函數可以很好地建模我們的VCSEL響應，允許提取幾個固有參數。公式(1)中的常數項為激光器和探測器的量子效率差盡管參考其他設計中的器件在芯片直徑為28um時表現出優異的高速性 ...

增益和腔模的紅移隨溫度的不同而引起的。圖1 高速1.55-um VCSEL的截面示意圖插圖：制作好的VCSEL器件圖片因此，利用這一效應可以改善VCSEL器件的高溫性能。InP是一種良好的熱導體，由n包層組成，通過更好地冷卻有源區域，也有助于實現高溫操作。這些激光器的混合后鏡由3.5對CaF2-ZnS和一層金組成。孔徑為6um的器件在室溫下的輸出功率約為3mW。閾值電流和電壓分別低至約1mA和0.9V。發現該頻譜為單模，在相關電流和溫度范圍內，側模抑制比至少為30dB。為了與商業收發模塊兼容，該芯片被安裝在發射器光學組件（TOSA）中。該模塊包含一個光隔離器和光纖耦合器。圖2顯示了高速1.55 ...

1傾斜。這種紅移現象是由于GO和PEDOT之間的π -π堆疊相互作用。在拉曼光譜中，紅色曲線中的 441 cm?1、1434 cm?1和1505 cm?1三個特征峰表明PEDOT成功合成。1343 cm?1和1590 cm?1的特征峰（黑色曲線）分別對應SP2雜化碳原子的呼吸振動峰和碳環中SP2雜化原子的對稱拉伸運動峰，即GO的特征峰（D和G）。同時，PEDOT在1434cm?1處(紅色曲線)的特征峰分配給Cα = Cβ對稱拉伸振動，PEDOT- Go樣品的拉曼光譜移動到1427 cm?1處(圖1C)。這種紅移現象表明，PEDOT聚合物轉變為類醌形式，從而使電導率增加。在PEDOT-GO的曲線 ...

D峰位有輕微紅移。詳細來說，石墨烯原始G峰移從1594cm?1移至 1582cm?1，而 O-Gr 的 2D 峰值從2676cm?1紅移至2683cm?1。G峰和2D峰的輕微紅移可能與石墨烯平面外的負偶極矩有關。這種負偶極矩會導致石墨烯的疏水性及其HOMO水平發生變化。此外，2450cm?1-光譜波段，可以分為D（1350 cm?1） 和D“振動模式（27250px?1）的組合，表示強度的增加。這一觀察結果可以一致地通過C鍵鍵斷裂以產生微小的空位來解釋，這些空位會影響石墨烯聲子色散中K點附近的現有頻率。此外，這一特征可以誘導O-Gr成為均勻的薄膜，并改善了空穴傳輸/注入。通過FT-IR（圖1b ...

束，則散射的紅移冷卻激光將會增加，而當原子在另一半周期內遠離激光光束時，散射將會減少。圖 2 中可以看到 CSU 團隊為實現這種互相關測量所使用的便捷實驗配置。Moku 時間間隔與頻率分析儀本質上通過反復測量檢測到的散射光子與離子阱驅動射頻信號的下一個過零交叉點之間的時間間隔，以此來進行離散光子散射信號的鎖定檢測。圖 2: Moku 時間間隔與頻率分析儀的互相關測量實驗示意圖。離子上散射的光子信號經過光電倍增管 (PMT) 后，它會為每個檢測到的光子輸出一個 TTL 脈沖到 Moku 設備的輸入端口。實驗結果"Moku直觀的實時反饋，讓Sanner團隊能夠快速調整補償電場，實時查看調 ...