高光束質量光纖合束器技術研究（一）光纖激光器自從發明以來取得了長足的進步，但是近年來單鏈路光纖激光器進一步提升輸出功率卻遇到了極大的瓶頸，在這個背景之下光纖激光合成技術成為了一個有效的方案，其中功率合成示意圖如圖1所示。圖1.功率合成示意圖所謂光纖激光合成技術指的是將多路光纖激光合稱為一束激光輸出的技術，其中光纖功率合束器是該技術中的核心技術，它能夠有效避免幾何拼束的缺陷，利用全光纖結構將多路激光束縛在波導中，提高了合成效率，實現了真正意義上的“合束”，其結構如圖2所示。圖2.光纖合束器結構示意圖而除了高功率之外，在很多領域中能量密度這一參數也非常重要，我們可以使用光束質量這一指標來表征這個值 ...

高光束質量光纖合束器技術研究（二）首先，建立基本的仿真模型。在光纖功率合束器輸入光纖束拉錐過程中光纖會發生延展和塌縮。延展指的是光纖長度伸長而橫截面積縮小的過程；塌縮指的是光纖熔融粘連的過程。在仿真過程中為了簡化模型，我們假定光纖先延展后塌縮。在塌縮過程中，輸入光纖束的橫截面會變成排布緊密的花瓣形，使得光纖芯徑縮小。如下圖1所示。圖中淺灰色部分是拉錐輸入光纖束外層低折射率玻璃套管，深灰色部分是輸入光纖之間的空氣間隙，白色部分則是輸入光纖圖1 輸入光纖束橫截面示意圖 （a）塌縮前 （b）塌縮后在仿真過程中我們設置輸入光纖芯徑和包層直徑分別為30μm和250μm，輸出光纖芯徑為50um，包層無限大 ...

高功率激光器光束質量測量的衰減縮束仿真研究（一）高功率激光器是近年來重點發展核心部件，而光束質量因子M2則是表征高功率激光器橫模特性的主要參數。分析光束質量有利于探索高功率激光的模場變化機理，從而更好地設計和制造激光裝置；掌握上述參數還有助于評估激光近場和遠場特性的動態變化，對激光模場進行控制和利用，從而改善激光的近場或遠場特性。目前光束質量的測量大多依靠光束分析儀進行測量，但是隨著激光功率和輸出孔徑的逐漸增加，目前常用的以硅基作為探測芯片的光束分析儀顯然難以滿足，需要對原有激光進行處理，這就有必要研制高功率光束質量測量中的衰減縮束組件。本文建立衰減縮束組件模型并進行仿真分析，研究高功率激光照 ...

瑞利長度以及光束質量等數據。該產品達到設備的實時顯示性能允許在激光器啟動期間測量動態焦距偏移在激光啟動過程中的動態焦點移動。增材制造已經重構了原型、開發和gao級設計機械部件的制造方式。直接激光熔化、選擇性激光燒結或三維金屬打印正迅速成為傳統金屬去除技術無法制造的設計的標準。CinSpot FBP-1KF/2KF系列焦點光斑分析儀CinSpot FBP-1KF/2KF系列是Cinogy公司和德國SLM sloution公司深度合作，專為SLM solution公司的3D打印設備而研發設計的高功率高精度高集成的的激光焦點光束質量分析儀器。聚焦的激光光束被直接引導到傳感器，無需成像光學器件。不再需 ...

器具有優良的光束質量，M2<1.3，光束發散度低于0.8mrad(全角度)，低強度噪聲低于0.5%rms (100kHz-10MHz)和良好的功率穩定性(在8小時內<1%)。在半導體晶片檢測,紫外光譜,紫外全息檢測,光纖光柵刻寫,半導體檢驗,拉曼光譜,光纖布拉格光柵等領域應用廣泛。266nm激光器產品特點：低噪聲TEM00單縱模窄線寬：<300kHz高功率：可達2W,可調可選長相干長度：1000米高光束質量：M2<1.3產品參數：功率 線寬 功率穩定性10mw<300KHz<2%25mw50mw1%100mw200mw300mw0.5%500mw ...

瓦到瓦)，高光束質量(通常M2≤1.1)和脈沖性質也被保持。從中紅外光譜儀器和應用的角度來看，中紅外超連續光譜源提供的峰值功率(典型的脈沖持續時間在ps和次ns范圍內)可以顯著增強脈沖測量模式下的檢測，保持低平均功率，從而降低熱負荷。應用快速檢測系統和合適的脈沖積分器，如鎖相放大器或車廂門控平均器，可以利用峰值增益(峰值與平均功率的比值，但受探測器響應時間的限制)。這里可以注意到，近紅外純連續波(CW)超連續譜的實現已被報道，但由于生成效率低(非線性過程的效率受到微薄的CW功率的抑制)、擴寬不良、對極高平均功率泵浦的要求以及km長的光纖導致后續挑戰，因此尚未得到證實和商業化。除了激光特性外，超 ...

分開來，是高光束質量和空間穩定性。因此，與例如QCL技術不同的是，在光纖中產生的中紅外超連續在光束輪廓、發散性(光束質量對于QCL來說嚴重受限)和光束對稱性(無散光，這在QCL發射中很常見)方面具有優越的特性。此外，超連續介質源提供了固有的無模跳操作。束流質量實際上反映了能量沿傳播方向空間分布演化的質量。它不僅通過散度和模態面積直接影響激光光源的光譜亮度，而且還決定了聚焦性能。因此，這種發射特性消除了熱發射器固有的空間和光譜性能之間的權衡，并對遙感和隔離光譜應用、化學成像和測繪以及微光譜學等特別感興趣。圖1商用中紅外zblan超連續光源(NKT Photonics)中紅外子帶(M2≈1.09, ...

，如光功率、光束質量等。這對于確保芯片在封裝后的可靠性和性能非常重要。同時波前傳感器可以通過高速測量和數據處理，實現快速檢測，提高生產效率。隨著人工智能和自動化技術的發展，波前分析儀可能會與這些技術相結合，實現自動化檢測和分析。這將有助于減少人為誤差，提高檢測效率和準確性。3）封裝檢測：可以檢測封裝后的芯片的焊點質量、封裝材料的折射率分布等參數。利用波前分析儀可以檢測封裝過程中產生的各種缺陷，如焊點空洞、引線偏移、芯片傾斜等。通過分析波前的相位和振幅變化，可以定位缺陷的位置和大小。波前分析儀可以評估封裝后的芯片質量，如焊點的可靠性、引線的連接強度等。通過測量波前的散射和反射情況，可以判斷封裝質 ...

強度分布、激光束質量參數（M2、發散角、束腰等）。Phasics 的波前分析儀可以定位在光學裝置的任何點，無論光束是準直的還是發散的。Phasics SID4波前傳感器適用于從紫外（190nm）到遠紅外(14um)的任何連續或脈沖激光。2.2 自適應光學Phasics波前分析儀可與任何可變形光學器件兼容：如壓電可變形鏡、機械可變形鏡、電磁可變形鏡和MEMS可變形鏡以及空間光調制器和自適應透鏡。為了校正超快和超強激光，Phasics自適應光學環路通過波前像差補償實現精細的校正。OASys 自適應光學環路結合了 Phasics 獨特的高分辨率 SID4 波前傳感器和適合項目要求的可變形反射鏡設備， ...

點，如優越的光束質量，極低的功耗和降低的制造成本。如今，長波VCSEL技術已經取得了重大進展，使其工作速度達到10Gb/s，在高溫下也取得了良好的效果。另一方面，光互連和數據通信應用將導致在非冷卻條件下將比特率提高到12.5Gb/s，以保持低成本要求。因此，研究直接調制的1.3-um VCSEL在不同工作溫度下以12.5Gb/s的速度在中短距離傳輸的性能是很有意義的。我們通過實驗評估了1.33-umVCSEL在10Gb/s和高達12.5Gb/s下工作的能力。該器件首先以線寬和頻率啁啾為特征。在10千兆以太網應用的誤碼率（BER）測量方面，已經驗證了在不同工作溫度（20℃和70℃）下超過40公里 ...