使用基于硅的電荷耦合器件（Si CCD）相機(jī)獲取。布拉格光柵技術(shù)設(shè)用于全局成像，允許在顯微鏡下逐波長(zhǎng)獲取整個(gè)視野內(nèi)的信號(hào)。傳統(tǒng)的熒光（PL）成像設(shè)置基于逐點(diǎn)或線掃描技術(shù)，需要重構(gòu)圖像。使用這些成像技術(shù)時(shí)，僅照亮樣品的一小部分（使用共聚焦逐點(diǎn)設(shè)置時(shí)約為1μm2），周圍區(qū)域保持黑暗，導(dǎo)致載流子向這些區(qū)域橫向擴(kuò)散。全局照明避免了由于局部照明引起的載流子復(fù)合。使用全局成像時(shí)生成的等勢(shì)體防止了電荷向更暗區(qū)域擴(kuò)散。用于全局成像模式的均勻照明使得在現(xiàn)實(shí)條件下進(jìn)行PL實(shí)驗(yàn)成為可能，z低可達(dá)一個(gè)相當(dāng)于太陽(yáng)功率密度。預(yù)計(jì)儀器激發(fā)強(qiáng)度波動(dòng)可達(dá)13%。激發(fā)輻照度的變化將帶來(lái)PL發(fā)射的比例變化，使這種效應(yīng)易于識(shí)別。此外 ...

使用電子倍增電荷耦合器件(EMCCD)是進(jìn)行基于條紋的熱重測(cè)量的一種擴(kuò)展選擇，可以提高檢測(cè)靈敏度，這是一些CCD探測(cè)器的附加功能。iccd通常需要Peltier冷卻(從- 20°C到- 100°C以下)，通常不是水冷卻或液氮冷卻。這些組件影響著電子器件、整體尺寸、成本和iccd的復(fù)雜性，目前iccd的規(guī)模仍然相當(dāng)大。3. SPADsCMOS工業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)能夠以低成本和更小尺寸設(shè)計(jì)高速電子元件與spad相結(jié)合，而無(wú)需探測(cè)器冷卻。這使得在一個(gè)微小的固態(tài)芯片上安排簡(jiǎn)化的光探測(cè)和快速(亞納秒)讀出電路成為可能。首ge SPAD陣列探測(cè)器由Rochas等人于2003年研制。SPAD探測(cè)器非常靈敏，在高速下 ...

超快速和強(qiáng)化電荷耦合器件(iccd)，帶有或沒(méi)有克爾門(mén)。從本質(zhì)上講，這些設(shè)備需要探測(cè)器冷卻，因此非常復(fù)雜和笨重(見(jiàn)表1)。自世紀(jì)之交以來(lái)，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)單光子雪崩二極管(SPAD)陣列探測(cè)器已經(jīng)商業(yè)化。CMOS spad具有顯著減少上述缺點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)。此外，通常不需要冷卻探測(cè)器，這進(jìn)一步降低了光譜儀的復(fù)雜性、成本和整體尺寸。目前的商用門(mén)控拉曼器件是便攜式桌面大小的裝置，適用于過(guò)程工業(yè)監(jiān)測(cè)目的。表1時(shí)間分辨(TR)門(mén)控通常可以互換使用。然而，雖然門(mén)控拉曼主要側(cè)重于抑制熒光和其他干擾，從而在脈沖激發(fā)源的寬度或部分寬度上重復(fù)一個(gè)測(cè)量周期，但在研究瞬態(tài)過(guò)程方面，熱重法也可用于TR測(cè)量。由 ...

在門(mén)控和增強(qiáng)電荷耦合器件(ICCDs)或CMOS單光子雪崩二極管(SPAD)陣列上，它們也適用于TG RS, SPAD陣列具有更高的靈敏度，與門(mén)控ccd相比具有更好的時(shí)間分辨率，并且不需要過(guò)多的探測(cè)器冷卻。傳統(tǒng)拉曼光譜(RS)的致命弱點(diǎn)是樣品誘導(dǎo)熒光發(fā)射。這是一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)象，發(fā)生在相對(duì)較弱的拉曼散射下，并且可以模糊整個(gè)拉曼光譜，使材料的識(shí)別或量化成為不可能。解決這一問(wèn)題的有效方法是時(shí)間門(mén)控(TG)，這是信號(hào)處理中常用的一種技術(shù)。熱重光譜的目的是測(cè)量特定時(shí)間段內(nèi)的信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)瞬態(tài)過(guò)程的監(jiān)測(cè)。早在20世紀(jì)70年代，隨著科學(xué)家們?cè)跍y(cè)量過(guò)程中尋找去除熒光背景信號(hào)的方法，TG就進(jìn)入了RS領(lǐng)域。然而，T ...