Laser（分布式反饋激光器）多種分立波長將光柵級成在半導體激光器內部，光柵和激光器內部周期結構匹配進行模式篩選得一種激光器DBR Laser（分布式布拉格反射激光器）多種分立波長類似于DFB激光器，光柵位置不同，光柵位于激光器有源區之外vcselLaser（垂直腔面發射激光器）多種分立波長基于半導體層積技術得一種垂直于芯片表面發射得激光器，區別于以前半導體端面發射技術，光束質量及光斑會好很多，有多種分立波長一般都在紅光到近紅外波段SLED（Superluminescent Light Emitting Diodes）多種分立波長寬帶激光器介于半導體激光器和半導體二極管的一種寬帶寬的激光器，單 ...

薄膜鈮酸鋰電場傳感器（本文譯自Thin film lithium niobate electric fieldsensors（Seyfollah Toroghi ,Payam Rabieia)）1介紹電光電場(E-field)傳感器在許多應用中都需要，例如天線近場表征，太赫茲信號檢測，加速器中的帶電粒子束表征，電網監測，和射頻消融手術。電光方法是測量電場的zui佳方法之一，電場會導致電光晶體的折射率變化。然后可以用精確的測量設備檢測到這種變化。由于電光材料是一種介電材料，它不會干擾或散射電磁場。此外，由于光纖電纜用于傳輸信號，任何附加的布線都不會吸收噪音，因此，探頭可以在非常嘈雜的環境中使用， ...

，對于經典的分布式反饋激光器，在一定偏置電流下的輸出功率強烈依賴于熱沉溫度，需要對激光功率進行監測和閉環控制，從而提高了激光封裝的成本。如圖5所示，VCSEL峰值功率隨溫度線性下降，但對于給定的驅動電流（例如，在這種情況下為5mA）幾乎保持恒定，使激光功率保持在1mW左右。此外，5mA的調制帶寬足以在0-85℃的溫度范圍內達到10Gb/s，這是通過優化35nm的模式增益偏移來實現的，從而在60℃時產生Min閾值電流Ith。圖5 VCSEL輸出的溫度特性——功率、閾值電流和調制帶寬。單模功率和帶寬幾乎恒定在5毫安驅動電流，冗余監控二極管。結論在這封信中，我們展示了具有改進的高速和高溫性能的1.5 ...

趣。此外，與分布式反饋激光器（DFB）和SiPHotonics等競爭技術相比，VCSELs可能更便宜。使用1530nm的VCSEL和雙分導前饋預強調驅動器，在無錯誤運行下，在2km范圍內實現56Gb/s的不歸零（NRZ）。為了應用高階調制格式，需要前向糾錯（FEC）編碼。有人在1530nm的18gHz帶寬VCSEL下，在高達2km的SSMF上展示了56Gb/sPAM-4。假設硬判罰（HD）FEC為7%，需要在接收端進行強大的均衡。在2010年，還有人演示了56Gb/s的PAM-4，誤碼率（BER）低于1E-6，用于光學背靠背（b2b），由4分頻預強調驅動器和22GHzVCSEL在1533nm下 ...

明顯的加熱。分布式反饋激光器已經由與DFB-C工藝相同的材料制成。波導核心在有源區兩側包括InGaAs包層，以增加光約束。我們的dfb利用了波導的這一特性，在波導InGaAs包層中蝕刻一個周期圖案，隨后再生長InP低折射率層作為光波導的頂部包層。在另一種方案中，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一定距離的地方生長，中間有一個InP緩沖層。這使我們能夠使用選擇性蝕刻，并在不影響有源區域的情況下通過InGaAs層進行蝕刻。埋藏異質結構的選擇性生長和接觸沉積完成了激光加工。圖5圖6單模器件的結果如圖5所示，在15?C下，我們從單個發射極獲得了高達約Pout = 180 mW的連續功率。2毫米長的器 ...