Laser（分布式反饋激光器）多種分立波長將光柵級成在半導(dǎo)體激光器內(nèi)部，光柵和激光器內(nèi)部周期結(jié)構(gòu)匹配進行模式篩選得一種激光器DBR Laser（分布式布拉格反射激光器）多種分立波長類似于DFB激光器，光柵位置不同，光柵位于激光器有源區(qū)之外vcselLaser（垂直腔面發(fā)射激光器）多種分立波長基于半導(dǎo)體層積技術(shù)得一種垂直于芯片表面發(fā)射得激光器，區(qū)別于以前半導(dǎo)體端面發(fā)射技術(shù)，光束質(zhì)量及光斑會好很多，有多種分立波長一般都在紅光到近紅外波段SLED（Superluminescent Light Emitting Diodes）多種分立波長寬帶激光器介于半導(dǎo)體激光器和半導(dǎo)體二極管的一種寬帶寬的激光器，單 ...

薄膜鈮酸鋰電場傳感器（本文譯自Thin film lithium niobate electric fieldsensors（Seyfollah Toroghi ,Payam Rabieia)）1介紹電光電場(E-field)傳感器在許多應(yīng)用中都需要，例如天線近場表征，太赫茲信號檢測，加速器中的帶電粒子束表征，電網(wǎng)監(jiān)測，和射頻消融手術(shù)。電光方法是測量電場的zui佳方法之一，電場會導(dǎo)致電光晶體的折射率變化。然后可以用精確的測量設(shè)備檢測到這種變化。由于電光材料是一種介電材料，它不會干擾或散射電磁場。此外，由于光纖電纜用于傳輸信號，任何附加的布線都不會吸收噪音，因此，探頭可以在非常嘈雜的環(huán)境中使用， ...

，對于經(jīng)典的分布式反饋激光器，在一定偏置電流下的輸出功率強烈依賴于熱沉溫度，需要對激光功率進行監(jiān)測和閉環(huán)控制，從而提高了激光封裝的成本。如圖5所示，VCSEL峰值功率隨溫度線性下降，但對于給定的驅(qū)動電流（例如，在這種情況下為5mA）幾乎保持恒定，使激光功率保持在1mW左右。此外，5mA的調(diào)制帶寬足以在0-85℃的溫度范圍內(nèi)達到10Gb/s，這是通過優(yōu)化35nm的模式增益偏移來實現(xiàn)的，從而在60℃時產(chǎn)生Min閾值電流Ith。圖5 VCSEL輸出的溫度特性——功率、閾值電流和調(diào)制帶寬。單模功率和帶寬幾乎恒定在5毫安驅(qū)動電流，冗余監(jiān)控二極管。結(jié)論在這封信中，我們展示了具有改進的高速和高溫性能的1.5 ...

趣。此外，與分布式反饋激光器（DFB）和SiPHotonics等競爭技術(shù)相比，VCSELs可能更便宜。使用1530nm的VCSEL和雙分導(dǎo)前饋預(yù)強調(diào)驅(qū)動器，在無錯誤運行下，在2km范圍內(nèi)實現(xiàn)56Gb/s的不歸零（NRZ）。為了應(yīng)用高階調(diào)制格式，需要前向糾錯（FEC）編碼。有人在1530nm的18gHz帶寬VCSEL下，在高達2km的SSMF上展示了56Gb/sPAM-4。假設(shè)硬判罰（HD）FEC為7%，需要在接收端進行強大的均衡。在2010年，還有人演示了56Gb/s的PAM-4，誤碼率（BER）低于1E-6，用于光學(xué)背靠背（b2b），由4分頻預(yù)強調(diào)驅(qū)動器和22GHzVCSEL在1533nm下 ...

明顯的加熱。分布式反饋激光器已經(jīng)由與DFB-C工藝相同的材料制成。波導(dǎo)核心在有源區(qū)兩側(cè)包括InGaAs包層，以增加光約束。我們的dfb利用了波導(dǎo)的這一特性，在波導(dǎo)InGaAs包層中蝕刻一個周期圖案，隨后再生長InP低折射率層作為光波導(dǎo)的頂部包層。在另一種方案中，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一定距離的地方生長，中間有一個InP緩沖層。這使我們能夠使用選擇性蝕刻，并在不影響有源區(qū)域的情況下通過InGaAs層進行蝕刻。埋藏異質(zhì)結(jié)構(gòu)的選擇性生長和接觸沉積完成了激光加工。圖5圖6單模器件的結(jié)果如圖5所示，在15?C下，我們從單個發(fā)射極獲得了高達約Pout = 180 mW的連續(xù)功率。2毫米長的器 ...