區的單個電荷載流子隨后在偏置場中被放大為電子雪崩，即所謂的雪崩擊穿，如圖1(b)所示。這些雪崩可以被檢測為強電流尖峰。圖1 單光子雪崩二極管的示意圖 （a）用作SPAD的穿透p+-π-p-n+APD結構的截面，包括反向電壓下的空間電荷分布。右邊的圖顯示了電場的強度。p+和n+區域是重摻雜的。（b） 反向電壓下SPAD中的電荷載流子倍增漂移過程由VOP驅動，并受到載流子與半導體晶格碰撞的限制。當電子到達倍增區時，一個具有高電場|?→E（?）|的薄p?n+結，通過重復的沖擊電離產生一個具有數百萬二次電子的雪崩。在apd中，放大隨著反向偏置VOP的增加而增加。如果VOP高于擊穿電壓Vbreak，放大 ...

）泵浦脈沖、載流子壽命和所選探測器的限制。大多數商業上可用的太赫茲時域光譜儀（THz-TDS）使用PCA結合離軸拋物面鏡（OAPMs）作為基礎。緊湊和堅固的THz-TDS的應用迅速從第1個報道的水汽吸收表征的用例擴展到其他研究學科，甚至包括（藝術）保護和考古學。到目前為止，對于THz-TDS成像，只報道了多像素探測器的原型；圖像采集需要對樣本進行連續掃描，但不能提供實時數據。然而，掃描THz-TDS為工業應用中太赫茲成像的適應鋪平了道路。g.漆面厚度測定方法。由于PCA的廣泛應用，太赫茲成像非常有吸引力。例如，斯坦切夫等人。使用PCA進行實時單像素成像。他們通過數字微鏡設備調制太赫茲波束的方法 ...

減輕了與側向載流子擴散相關的挑戰，并且避免了樣品粗糙度引起的偽像問題，這些問題在逐點成像方法中經常遇到。此外，根據物鏡的放大倍數，記錄的圖像可以跨越幾平方毫米，從而便于全面分析。這里呈現的mapping是在激光zui大激發功率下記錄的。而在較弱激勵水平下發現的映射顯示出均勻的空間行為(未示出)，我們在這里觀察到輕微的空間變化。在接觸點和樣品邊緣附近的映射顯示zui小值，在(1.167±0.010eV)之間的映射顯示zui大值。zui大值和zui小值的差值在系統誤差范圍內，但可以在7±2meV下相對評估。盡管發現了輕微的空間變化，但我們注意到與同時測量的1.15V開路電壓很吻合，驗證了接觸處Δμ ...

o)可以激發載流子種群。當這個種群松弛時，每個載流子都有相同的機會落在任意一個自旋狀態，因為這些狀態在能量上是簡并的。這導致沒有凈自旋不平衡(無Polz)，并表現為等量的圓極化發射(σ+(?))。當施加磁場時，由于塞曼效應，自旋能級被分裂，導致自旋能級在能量上分離(塞曼)。當這種情況發生時，更多的載流子將放松到能量較低的自旋態。這就產生了相反螺旋度的發射PL之間的強度差異。然而，這兩個都不是自旋的取向是由偏振光和自旋的耦合驅動的。如果在沒有磁場存在的情況下，圓偏振光入射產生凈自旋不平衡，并且在初始快速弛豫后可以觀察到圓發射之間的強度差異，則自旋優先定向到一個自旋狀態。在第三種情況下，圓偏振光將 ...

的變化會導致載流子濃度的變化，從而引起材料折射率和增益系數的改變，也會使激光器的發射波長以階梯形式跳躍變化。而MOGLabs的激光器控制器可以很好的解決這一問題，它是一款超低噪聲半導體激光器控制器，一款集電流控制、溫度控制、頻率鎖定等功能為一體的ECDL控制器，集八大功能于一體，提供用于驅動ECDL激光器和將其鎖定到外部參考源的重要部件。每一臺DLC控制器都包括：微分低噪聲探測器，700kHz帶寬；超低噪聲二極管電流源，< 100pA/√Hz，直流至1MHz；帶有珀爾帖TEC驅動的溫度控制器；掃描振蕩器；一對高壓壓電驅動；解調器（鎖相放大器）；微分光電探測器；交流調制源；伺服反饋回路濾波 ...

性，例如電荷載流子壽命長、擴散長度長、光吸收強 （104–105cm-1）、寬光譜范圍 （1.2–3.0eV） 的帶隙可調諧性、極低的缺陷密度和高缺陷容限、低電壓損耗以及光子回收，使它們對光伏應用具有吸引力。近年來，實驗室規模的PSCs經歷了功率轉換效率的巨大提升，達到25%以上，這在晶體硅基太陽能電池效率的范圍內。然而，由于工藝的可轉移性和鈣鈦礦薄膜質量的下降，PSC的效率正在從實驗室規模下降到大規模鈣鈦礦太陽能組件（PSM），這限制了商業化，從而限制了PSC的實際應用。薄膜的激光圖案化及其在PSM單片串聯互連中的應用。證明無論鈣鈦礦層堆棧的詳細配置如何，基于激光的圖案化的成功都是基于精確控 ...

持黑暗，導致載流子向這些區域橫向擴散。全局照明避免了由于局部照明引起的載流子復合。使用全局成像時生成的等勢體防止了電荷向更暗區域擴散。用于全局成像模式的均勻照明使得在現實條件下進行PL實驗成為可能，z低可達一個相當于太陽功率密度。預計儀器激發強度波動可達13%。激發輻照度的變化將帶來PL發射的比例變化，使這種效應易于識別。此外，在儀器軟件的輔助下，這些效應將減少到可以忽略的min程度。圖1(a)展示了在CIGS沉積前，P1劃線和P2激光劃線區域的光學顯微照片和PL顯微照片在同一位置的直接比較。正如預期的那樣，P2激光槽周圍的金屬化區域沒有PL發射。關于P1燒蝕線上的CIGS材料的PL空間均勻性 ...

范圍遠超光生載流子的遷移距離，可以很容易地理解SR熱效應內的CIGS區域不再是光活性的。作為參考，Brown通過電子束誘導電流（EBIC）報告了0.30到0.52μm的少數載流子擴散長度。相應地，Delamarre使用寬帶可調激光的光束誘導電流（LBIC）裝置繪制了1.09μm（標準偏差為0.10μm）的載流子擴散長度。上述陳述可以通過以下事實進一步解釋：CIGS的部分損傷不會完全耗盡光致輻射復合，而只會抑制它。熱誘導缺陷的逐漸增加將通過非輻射能量耗散途徑（如熱或紅外輻射）逐漸抑制光致輻射復合。在這方面，Schultz報告了圖形線邊緣的CIGS成分的激光誘導變化，也是短程距離。借助能量色散X射 ...

qcl中快速載流子動力學的研究。我們研究了中紅外探測脈沖通過飛秒近紅外泵浦脈沖調制的QCL的傳輸。與以往在低溫下使用光子能量高于量子阱(QW)帶隙的近紅外脈沖調制QCL不同，我們比較了在室溫下光子能量低于和高于0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW帶隙的兩種不同的近紅外泵對QCL傳輸的調制。當光子能量高于QW帶隙時，電子將從價帶被激發到導帶，然后通過帶間躍遷放松回價帶。當泵浦光子能量低于QW帶隙時，由于光子沒有足夠的能量，將不會發生帶間躍遷。相反，在傳導帶較低的子帶中的電子將被激發到較高的子帶或連續區。直接測量諧振中紅外脈沖的傳輸變化提供了有關QCL增益調制的信息。圖1(a)顯示 ...

可以降低透明載流子密度，提高（差分）增益，從而實現高速運行。為了降低空間電荷區的寄生電容，降低了InP-regrowth層的摻雜水平，從而有力地降低了器件的寄生。對于有源直徑為5μm的器件，室溫下的光輸出功率超過2mw，80℃時的光輸出功率超過0.8mW（圖1.b）。應該指出的是，由于減少了散熱量，在大信號調制下，熱滾轉轉移到更高的電流。閾值電流分別低至1ma和2ma。由于這些器件的高耦合效率高達60%，因此可以實現高光纖耦合功率幅值。頻譜顯示單模工作，側模抑制比在滾轉電流下超過40dB。圖1 (a)短腔VCSEL截面示意圖(b)25°C和80°C時的l-i特性；25℃下的光譜，IDC=14m ...