區(qū)的單個電荷載流子隨后在偏置場中被放大為電子雪崩，即所謂的雪崩擊穿，如圖1(b)所示。這些雪崩可以被檢測為強電流尖峰。圖1 單光子雪崩二極管的示意圖 （a）用作SPAD的穿透p+-π-p-n+APD結(jié)構(gòu)的截面，包括反向電壓下的空間電荷分布。右邊的圖顯示了電場的強度。p+和n+區(qū)域是重摻雜的。（b） 反向電壓下SPAD中的電荷載流子倍增漂移過程由VOP驅(qū)動，并受到載流子與半導(dǎo)體晶格碰撞的限制。當電子到達倍增區(qū)時，一個具有高電場|?→E（?）|的薄p?n+結(jié)，通過重復(fù)的沖擊電離產(chǎn)生一個具有數(shù)百萬二次電子的雪崩。在apd中，放大隨著反向偏置VOP的增加而增加。如果VOP高于擊穿電壓Vbreak，放大 ...

）泵浦脈沖、載流子壽命和所選探測器的限制。大多數(shù)商業(yè)上可用的太赫茲時域光譜儀（THz-TDS）使用PCA結(jié)合離軸拋物面鏡（OAPMs）作為基礎(chǔ)。緊湊和堅固的THz-TDS的應(yīng)用迅速從第1個報道的水汽吸收表征的用例擴展到其他研究學(xué)科，甚至包括（藝術(shù)）保護和考古學(xué)。到目前為止，對于THz-TDS成像，只報道了多像素探測器的原型；圖像采集需要對樣本進行連續(xù)掃描，但不能提供實時數(shù)據(jù)。然而，掃描THz-TDS為工業(yè)應(yīng)用中太赫茲成像的適應(yīng)鋪平了道路。g.漆面厚度測定方法。由于PCA的廣泛應(yīng)用，太赫茲成像非常有吸引力。例如，斯坦切夫等人。使用PCA進行實時單像素成像。他們通過數(shù)字微鏡設(shè)備調(diào)制太赫茲波束的方法 ...

減輕了與側(cè)向載流子擴散相關(guān)的挑戰(zhàn)，并且避免了樣品粗糙度引起的偽像問題，這些問題在逐點成像方法中經(jīng)常遇到。此外，根據(jù)物鏡的放大倍數(shù)，記錄的圖像可以跨越幾平方毫米，從而便于全面分析。這里呈現(xiàn)的mapping是在激光zui大激發(fā)功率下記錄的。而在較弱激勵水平下發(fā)現(xiàn)的映射顯示出均勻的空間行為(未示出)，我們在這里觀察到輕微的空間變化。在接觸點和樣品邊緣附近的映射顯示zui小值，在(1.167±0.010eV)之間的映射顯示zui大值。zui大值和zui小值的差值在系統(tǒng)誤差范圍內(nèi)，但可以在7±2meV下相對評估。盡管發(fā)現(xiàn)了輕微的空間變化，但我們注意到與同時測量的1.15V開路電壓很吻合，驗證了接觸處Δμ ...

o)可以激發(fā)載流子種群。當這個種群松弛時，每個載流子都有相同的機會落在任意一個自旋狀態(tài)，因為這些狀態(tài)在能量上是簡并的。這導(dǎo)致沒有凈自旋不平衡(無Polz)，并表現(xiàn)為等量的圓極化發(fā)射(σ+(?))。當施加磁場時，由于塞曼效應(yīng)，自旋能級被分裂，導(dǎo)致自旋能級在能量上分離(塞曼)。當這種情況發(fā)生時，更多的載流子將放松到能量較低的自旋態(tài)。這就產(chǎn)生了相反螺旋度的發(fā)射PL之間的強度差異。然而，這兩個都不是自旋的取向是由偏振光和自旋的耦合驅(qū)動的。如果在沒有磁場存在的情況下，圓偏振光入射產(chǎn)生凈自旋不平衡，并且在初始快速弛豫后可以觀察到圓發(fā)射之間的強度差異，則自旋優(yōu)先定向到一個自旋狀態(tài)。在第三種情況下，圓偏振光將 ...

的變化會導(dǎo)致載流子濃度的變化，從而引起材料折射率和增益系數(shù)的改變，也會使激光器的發(fā)射波長以階梯形式跳躍變化。而MOGLabs的激光器控制器可以很好的解決這一問題，它是一款超低噪聲半導(dǎo)體激光器控制器，一款集電流控制、溫度控制、頻率鎖定等功能為一體的ECDL控制器，集八大功能于一體，提供用于驅(qū)動ECDL激光器和將其鎖定到外部參考源的重要部件。每一臺DLC控制器都包括：微分低噪聲探測器，700kHz帶寬；超低噪聲二極管電流源，< 100pA/√Hz，直流至1MHz；帶有珀爾帖TEC驅(qū)動的溫度控制器；掃描振蕩器；一對高壓壓電驅(qū)動；解調(diào)器（鎖相放大器）；微分光電探測器；交流調(diào)制源；伺服反饋回路濾波 ...

性，例如電荷載流子壽命長、擴散長度長、光吸收強 （104–105cm-1）、寬光譜范圍 （1.2–3.0eV） 的帶隙可調(diào)諧性、極低的缺陷密度和高缺陷容限、低電壓損耗以及光子回收，使它們對光伏應(yīng)用具有吸引力。近年來，實驗室規(guī)模的PSCs經(jīng)歷了功率轉(zhuǎn)換效率的巨大提升，達到25%以上，這在晶體硅基太陽能電池效率的范圍內(nèi)。然而，由于工藝的可轉(zhuǎn)移性和鈣鈦礦薄膜質(zhì)量的下降，PSC的效率正在從實驗室規(guī)模下降到大規(guī)模鈣鈦礦太陽能組件（PSM），這限制了商業(yè)化，從而限制了PSC的實際應(yīng)用。薄膜的激光圖案化及其在PSM單片串聯(lián)互連中的應(yīng)用。證明無論鈣鈦礦層堆棧的詳細配置如何，基于激光的圖案化的成功都是基于精確控 ...

持黑暗，導(dǎo)致載流子向這些區(qū)域橫向擴散。全局照明避免了由于局部照明引起的載流子復(fù)合。使用全局成像時生成的等勢體防止了電荷向更暗區(qū)域擴散。用于全局成像模式的均勻照明使得在現(xiàn)實條件下進行PL實驗成為可能，z低可達一個相當于太陽功率密度。預(yù)計儀器激發(fā)強度波動可達13%。激發(fā)輻照度的變化將帶來PL發(fā)射的比例變化，使這種效應(yīng)易于識別。此外，在儀器軟件的輔助下，這些效應(yīng)將減少到可以忽略的min程度。圖1(a)展示了在CIGS沉積前，P1劃線和P2激光劃線區(qū)域的光學(xué)顯微照片和PL顯微照片在同一位置的直接比較。正如預(yù)期的那樣，P2激光槽周圍的金屬化區(qū)域沒有PL發(fā)射。關(guān)于P1燒蝕線上的CIGS材料的PL空間均勻性 ...

范圍遠超光生載流子的遷移距離，可以很容易地理解SR熱效應(yīng)內(nèi)的CIGS區(qū)域不再是光活性的。作為參考，Brown通過電子束誘導(dǎo)電流（EBIC）報告了0.30到0.52μm的少數(shù)載流子擴散長度。相應(yīng)地，Delamarre使用寬帶可調(diào)激光的光束誘導(dǎo)電流（LBIC）裝置繪制了1.09μm（標準偏差為0.10μm）的載流子擴散長度。上述陳述可以通過以下事實進一步解釋：CIGS的部分損傷不會完全耗盡光致輻射復(fù)合，而只會抑制它。熱誘導(dǎo)缺陷的逐漸增加將通過非輻射能量耗散途徑（如熱或紅外輻射）逐漸抑制光致輻射復(fù)合。在這方面，Schultz報告了圖形線邊緣的CIGS成分的激光誘導(dǎo)變化，也是短程距離。借助能量色散X射 ...

qcl中快速載流子動力學(xué)的研究。我們研究了中紅外探測脈沖通過飛秒近紅外泵浦脈沖調(diào)制的QCL的傳輸。與以往在低溫下使用光子能量高于量子阱(QW)帶隙的近紅外脈沖調(diào)制QCL不同，我們比較了在室溫下光子能量低于和高于0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW帶隙的兩種不同的近紅外泵對QCL傳輸?shù)恼{(diào)制。當光子能量高于QW帶隙時，電子將從價帶被激發(fā)到導(dǎo)帶，然后通過帶間躍遷放松回價帶。當泵浦光子能量低于QW帶隙時，由于光子沒有足夠的能量，將不會發(fā)生帶間躍遷。相反，在傳導(dǎo)帶較低的子帶中的電子將被激發(fā)到較高的子帶或連續(xù)區(qū)。直接測量諧振中紅外脈沖的傳輸變化提供了有關(guān)QCL增益調(diào)制的信息。圖1(a)顯示 ...

可以降低透明載流子密度，提高（差分）增益，從而實現(xiàn)高速運行。為了降低空間電荷區(qū)的寄生電容，降低了InP-regrowth層的摻雜水平，從而有力地降低了器件的寄生。對于有源直徑為5μm的器件，室溫下的光輸出功率超過2mw，80℃時的光輸出功率超過0.8mW（圖1.b）。應(yīng)該指出的是，由于減少了散熱量，在大信號調(diào)制下，熱滾轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)移到更高的電流。閾值電流分別低至1ma和2ma。由于這些器件的高耦合效率高達60%，因此可以實現(xiàn)高光纖耦合功率幅值。頻譜顯示單模工作，側(cè)模抑制比在滾轉(zhuǎn)電流下超過40dB。圖1 (a)短腔VCSEL截面示意圖(b)25°C和80°C時的l-i特性；25℃下的光譜，IDC=14m ...