學諧振腔中的載流子和光子密度非常高，內部調制行為表現出更高的阻尼，因此低寄生對VCSELs尤為重要。因此，VCSELs的特點是具有較小的松弛振蕩超調，可以補償寄生滾轉。在圖3中，可以在很寬的溫度范圍內確定優越的調制性能。如圖3(a)所示，3dB帶寬在25℃時超過12GHz，在55℃時為11GHz，在85℃時為10GHz，如圖3(b)所示。散點代表測量數據，而繪制的穿過線擬合到公式(1)，可以提取如圖4所示的內在參數。在這里，我們展示了先前和改進設計的阻尼率與共振頻率fR平方的關系，提取了-因子和阻尼偏移。通過速率方程分析，我們可以發現如下的相互關系：包括光子壽命、約束因子、增益、增益導數和隨載 ...

致較低的自由載流子吸收，這通常是QCL器件中大部分波導損耗的原因。在這種相對較低的摻雜水平下，由于缺乏非常精確的校準工具，可能很難將不同基團之間的摻雜水平相關聯，因此估計活性區摻雜水平的一種方便方法是比較QCL結構中的Max隧道電流，因為它與注入器中的摻雜水平成正比實際上，在本研究中，Max隧穿電流密度約為1.35 kA/cm2，表明本研究中結構的摻雜水平要低得多；這與本文文獻12中的3.8 cm?1和1.84 cm?1的內部損耗是一致的——遺憾的是，文獻中沒有光損耗報告。zui終，較低的光損耗導致室溫連續波閾值電流密度較低，約為0.83 kA/cm2，而相關文獻分別為1.53 kA/cm2和 ...

理性能，如高載流子遷移率、可調帶隙、強光吸收率和柔韌性。其中，MoS2具有可調諧的帶隙，這使得它比石墨烯具有更廣泛的應用。隨著層數的減少，MoS2的帶隙從塊狀的1.29eV增加到單層的1.9eV，并變為直接帶隙。由于原子薄二硫化鉬的直接帶隙和強激子性質，觀察到強烈的光-物質相互作用。此外，這種材料在原子厚度上表現出優異的機械柔韌性。這些特性使二硫化鉬在光電應用，特別是光電探測器方面表現出巨大的優勢。近年來，人們利用微機械剝離和化學氣相沉積法（CVD）制備MoS2薄膜的光電探測器進行了大量的研究。然而，微機械剝離的成品率低和可擴展性差阻礙了MoS2光電探測器的實際應用。CVD被認為是合成大面積M ...

e膜中產生的載流子的高分離效率。圖3.Bi2Te3和Bi2O2Te的拉曼光譜在制備過程中，從Bi2Te3到Bi2O2Te的轉變也可以在拉曼光譜上觀察到，如上圖所示。Bi2Te3的經典拉曼位移顯示在圖的下部顯示了在62.7、93.4、124.1和140.3 cm-1處的四個拉曼峰，對應于Bi2Te3的A11g，E2g，A1u和A21g，與Bi2Te3相比，圖3上部的拉曼光譜在較高波數處顯示了幾個新的峰值，例如300.7 cm-1（B1g）和433.6 cm-1(E2g），都是Bi2O2Te的特征峰值，而在低波數處的那些峰值已經變得模糊。表明通過這種低溫工藝，可以有效的將Bi2Te3轉化為Bi2O ...

和平衡電荷-載流子傳輸現象。理想情況下，空穴界面層應（i）易于制造，（ii）在表面能方面與PEDOT：PSS HTL和活性層兼容，（iii）具有能級適合的分子軌道（HOMO），以及（iv）表現出良好的導電性和高空穴傳輸率。從這個角度來看，石墨烯（Gr）因其可調功函數和良好的電導率，比許多二維（2D）材料更受青睞。使用商業化學氣相沉積（CVD）石墨烯被認為是成功阻止PEDOT：PSS中酸性PSS組分滲透的有利選擇。然而，高電導率和電子空穴以及良好的電荷親和力反而會干擾器件中的電荷傳輸。石墨烯的sp 2平面內碳的惰性性質不適合接受和傳輸空穴，導致在臨近界面的有機活性層處產生相當大比例的電荷復合。為 ...

化造成介質中載流子濃度變化，以及吸收因子變化，此外溫度還會影響內部FP腔的參數。溫度對LD輸出頻率影響非常大，如用于數據存儲應用（CR-R刻錄機）的典型AlGaAs二極管在25℃時的標稱波長為λ=784nm，dλ/dT斜率為-0.3nm/℃。LD的溫度一般由反饋式溫控系統控制，而且導熱材料溫度變化一般較慢。正因為溫度調制的靈敏度太高，容易失調，并且相應速度較慢，在激光器中一般只保持穩定。如MOGLabs的外腔半導體激光器采用TEC溫控，并內置溫度傳感器，可以將溫度穩定在±1mK（根據控制器）。PZT電壓在外腔反饋激光器中，使用PZT（壓電陶瓷）控制光柵的旋轉，從而控制激光輸出的波長。小信號調制 ...

原因包括自由載流子和子帶間吸收導致的光損耗增加，以及材料中波長增加導致的光約束減少。事實上，根據αel ~ λn，自由電子吸收隨波長的增加而增加，其中功率依賴性在n = 2 ~ 3范圍內，而隨著躍遷能量的降低，子帶間吸收變得更強，這是由于活性材料注入/弛豫區低能態之間的躍遷所需的動量交換比高能躍遷更小。對于光約束，如果考慮有效折射率近似為n = 3.2的材料中的波長，則λ = 4.5 μm和λ = 10 μm的自由空間激光波長分別可以估計出λ/n = 1.4和3.1 μm。由于器件的幾何形狀以及制造和設計的限制，典型的主動導芯厚度在DAR = 1.5 ~ 2.5 μm范圍內。因此，λMWIR/ ...

效的自旋極化載流子將進一步減少。而SOT通常只有在重金屬厚度大于自旋擴散長度時才表現出明顯的自旋霍爾效應。檢測到的動態DW運動可能歸因于RKKY有效場與SAF中內置的層間耦合場之間的競爭。簡單地說，當脈沖電流產生焦耳加熱調制RKKY有效場時，作用在DW上的有效場的振幅和極性都會發生變化，從而驅動DW的往復運動。如圖3a所示，在環境下，RKKY有效場隨外加電流的變化而變化。電流對RKKY有效場有顯著的調節作用，呈拋物線相關。此外，我們還發現RKKY有效場與電流的平方呈線性關系，并證實了電流產生的焦耳熱在調整RKKY相互作用中起著直觀而關鍵的作用。從圖3b可以進一步看出，非焦耳熱致轉矩場強度小于5 ...

由于其優越的載流子遷移率和在原子尺度厚度上的有效靜電柵能控性，TMDs和Xene將是下一代電子領域很有前途的候選者。然而當前二維材料的合成技術依舊面臨技術挑戰（例如，晶片規模均勻性，可靠的批量生產和不影響結晶度的較低的合成溫度），高保質量合成和包括硅基其他2D材料的異質材料合成方法，是解鎖這些材料的潛力在科學和技術領域的必要途徑。目前原子層沉積（ALD）由于其特殊的厚度均勻性/可控性，廣泛應用于半導體制造中沉積非晶高k介質，，成為一種理想的薄膜生產技術。低溫制備，和優良的步驟能夠覆蓋任何的非平面幾何器件。因此，將ALD的技術成為制備2D vdW材料有前途的方法。然而，原子層沉積的2D（ALD- ...

諧帶隙、超高載流子遷移率和強烈的光物質相互作用。此外，二維vdW異質結構為研究拓撲結構、超晶格、和層間庫侖相互作用的影響提供了新的途徑。然而，與簡單的單層相比，二維vdW多層在相鄰層之間具有vdW間隙，擾亂了層間電荷效率，從而導致這些多層在平面內和平面外載流子輸運的各向異性。在存在靜電偏置相關的層間電阻的情況下，以往的研究通過考慮Thomas-費米電荷屏蔽長度和厚度相關的載流子遷移率，進而描述了二維多層膜的復雜載流子輸運。例如，在一個傳統的背柵結構，由于層間電阻和層依賴的平面內載流子遷移率之間的相互作用，層間電導率z高的層從底表面向頂表面移動。這就引發了載流子沿著厚度的空間再分布。此外，zui ...