鐵磁體和反鐵磁體的異質結構對鐵磁體和非磁性襯底之間界面的研究表明，與鐵磁性襯底的相互作用可能在襯底中誘導長程鐵磁有序，而其本身并不顯示鐵磁有序。感應磁化強度可以與鐵磁體的磁化強度平行或反平行，這取決于交換相互作用的符號。這可能會導致鐵磁層的產生，即使是在其整體形式是反鐵磁的材料，如觀察到的，如超薄的Cr膜在Fe上。在這種情況下，襯底中的長程順序——無論是反鐵磁體還是非磁性金屬——是由與鐵磁性襯底的相互作用決定的，并且可以預期它會顯示出同樣的溫度依賴性。事實上，Mn對Ni的這種感應磁序的溫度依賴性被研究了，發(fā)現(xiàn)與襯底的相同。當然，隨著反鐵磁層厚度的增加，整體反鐵磁態(tài)將占上風，每一層將顯示自己的有 ...

/Pt/Co異質結構中自旋反射誘導的無場磁化開關在這項研究中，我們證明了MgO/Pt/Co異質結構中的無場SOT開關，通過與介電MgO層接口來調制Pt內的自旋反射和自旋密度。通過異?；魻栯妷涵h(huán)位移測量，我們確定在沒有外部磁場的情況下，SOT作為有效的面外磁場對磁化強度起作用。通過替換MgO層并將其與高導電性Ti或Pt進行比較，我們證實MgO確實負責無場SOT開關。此外，MgO的厚度依賴性表明，在5和8 nm之間的非常佳的開關比高達80%。這項工作提供了利用介電/HM界面處的自旋反射來實現(xiàn)無場SOT磁化開關的技術，對于開發(fā)大規(guī)模集成的SOT- mram和自旋邏輯器件具有重要意義。此外，無場SOT ...

塊體砷化鎵中的磁光克爾效應塊體GaAs中pMOKE的起源可以通過考慮導帶中自旋向上和自旋向下狀態(tài)的不均勻占據(jù)來理解，如下側圖1所示。導帶中的自旋不平衡導致兩個自旋居群的費米能級存在差異。這對于能量接近帶隙能量的光子的吸收有重要的影響。能量僅略高于Eg的光子只能激發(fā)躍遷進入自旋下子帶。躍遷到自旋向上子帶只有在光子具有較大能量時才有可能。圖1.左:大塊砷化鎵中左圓偏振光(lc)和右圓偏振光(rc)的光躍遷，從重帶(hh)和光孔帶(lh)躍遷到導帶。右:計算出n↑= 1.5·1017 cm?3和n↓= 0.5·1017 cm?3的吸收光譜。α0表示非極化情況下的吸收。此外，躍遷必須遵守砷化鎵中的偶極 ...

)As量子阱異質結構示意圖。Ene表示導電帶中電子的量子化能態(tài)。enh和Enlh分別是價帶中重空穴和輕空穴的能態(tài)在自旋led實驗中，通過直接比較電致發(fā)光在頂發(fā)射(電子自旋極化方向垂直于量子阱)和邊發(fā)射(電子自旋極化方向在平面上)的圓極化，驗證了這一效應。適用于10 nm和15 nm寬的量子阱在邊緣發(fā)射幾何結構中沒有發(fā)現(xiàn)明顯的圓極化，盡管在頂部發(fā)射中測量到了強烈的信號。然而，對于寬(體狀)量子阱(d≥50 nm)，在邊緣發(fā)射中甚至可以檢測到圓極化，這表明與窄量子阱相比，由于量子約束減弱，重空穴自旋獲得了面內分量因此，對于寬GaAs/(Al,Ga)As-QW系統(tǒng)，光學選擇規(guī)則應該仍然允許邊緣發(fā)射中 ...

以準確確定異質結構的多層膜結構;2）在醫(yī)學方面的應用中，橢偏成像技術可以和很多生物技術相結合，實現(xiàn)各個層面的應用。例如與人工智能技術相結合實時監(jiān)測病人身體的癌細胞，及時做出反應，配合醫(yī)生對患者進行康復治療；3）將橢偏成像技術的zui新發(fā)展實用化，研制可用于工業(yè)生產過程中使用的成像橢偏儀，在半導體、微電子等產品的生產過程中實現(xiàn)實時監(jiān)測；4）通過解決圖像傳感器的低頻響應和降低系統(tǒng)噪聲來減小圖像采集的誤差；5）建立包含成像橢偏儀的校準因素的系統(tǒng)模型, 以減小成像橢偏儀的測量誤差;6）對半導體工業(yè)常用薄膜材料建立準確的物理模型, 以減小系統(tǒng)的計算誤差;7）引入能夠同步進行數(shù)據(jù)獲取和數(shù)據(jù)處理的控制系統(tǒng) ...

，晶格匹配對異質結構施加了限制，因為具有非常不同晶體結構的材料在組合時不能很好地耦合。傳統(tǒng)的半導體也傾向于形成三維結構，使得不配對的鍵更容易存在于表面。這些懸空鍵不僅使這些系統(tǒng)中的表面物理更加難以控制，而且使這些材料的薄膜變成準二維(2D)結構。幸運的是，在過去的二十年里，一種新的材料出現(xiàn)了，它具有真正的二維性質和光學定向自旋的能力。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.arouy.cn/three-level-150.html更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業(yè)代理商，產品包括各類激光器、光 ...

也可以在二維異質結構中進行逐層工程。這種工程方法可以通過結合相互補充的2D系統(tǒng)來利用。例如，在WSe2/Gr異質結構中，用于谷自旋操縱的大自旋-軌道耦合(WSe2)和用于電子器件的高電導(石墨烯)的配對對谷自旋動力學產生了新的影響。因此，逐層工程提出了一種很有前途的方法來構建具有增強控制和檢測自旋現(xiàn)象的二維系統(tǒng)。這就促使人們尋找與傳統(tǒng)半導體類似或更新穎的二維類似物，這些材料已經產生了大量的自旋電子研究。幾種二維半導體具有適合低維自旋器件的特性，如高電子遷移率和可通過門控調節(jié)的載流子密度。例如，基于Gr的器件已經證明了長通道上的自旋輸運和自旋進動，并且被預測在沒有外場的情況下具有光學產生的自旋極 ...

壽命的半導體異質結構的金屬有機化學氣相沉積。圖2圖2中插入的圖形顯示了當我們改變泵浦脈沖能量時，中紅外探頭透射率(調制深度)的z大下降。利用TM極化泵，我們分別以86 pJ(平均功率21.5 uW)和600 pJ脈沖能量實現(xiàn)了4.3%和40%的調制深度。TM和TE極化泵的調制斜率效率分別線性擬合為0.62 nJ和0.64 nJ。由于 1.38 um泵浦光子具有比QW帶隙更高的能量，因此由于不存在偏振依賴，預計TM和TE極化泵浦脈沖都將誘導帶間躍遷。因此，我們期望TM和TE泵都能產生相同的恢復壽命和調制效率。而圖2中兩種恢復曲線的微小差異可能是由實驗不確定性引起的，我們不能排除TM和TE偏振近紅 ...

光器使用埋藏異質結構設計進行室溫連續(xù)操作。在這封信中，我們報告了一個mocvd生長的室溫連續(xù)波QC激光器異質結構。該激光器被加工成雙通道脊狀波導，頂部鍍有厚厚的電鍍金，從而省去了更復雜的橫向InP再生步驟。圖1.(a)基于雙聲子共振的具有四量子阱有源區(qū)的8.2-_x0016_m QC激光器的導帶圖的一部分和相關波函數(shù)的模平方。施加51kv /cm的電場。箭頭表示激光躍遷。(b)基模強度分布圖、層結構分布圖和所用介質波導折射率實部分布圖。激光主動式區(qū)域基于雙聲子共振設計。活躍區(qū)和注入器一個周期的層序為44/18/9/57/11/54/12/45/25/34/14/33/13/32/15/31/1 ...

雜質水平低，異質結界面光滑圖2然后將生長的結構加工成埋藏異質結構激光器。通過光刻確定了7.5 um的脊寬，并使用標準Br2 /HBr基溶液濕法蝕刻通過活性區(qū)。通過MOCVD選擇性再生，一層摻雜了Fe的厚InP在脊周圍生長，作為電隔離層，也增強了從有源區(qū)域的側向散熱掃描電鏡檢測結果表明，再生的InP:Fe隔離層與邊壁之間的界面光滑，無生長缺陷。Fe摻雜量選擇在21017 cm?3以上，但低于沉淀濃度。合并的鐵原子充當深層電子陷阱，因此在再生的InP:Fe層中基本上沒有自由電子，導致激光脊周圍的絕緣但光學透明的區(qū)域。圖3然后用電子束蒸發(fā)的Ti/Pt/Au頂部接觸金屬，然后是5 um厚的電鍍Au層， ...