作了具有埋置異質結構波導和固定腔長1.9 mm的激光器，在其背面涂覆高反射率涂層，并將外延面向上安裝。圖3圖2a顯示了臺面樣品在80k和300k下的電致發光光譜。與預期相反，本設計中的超強耦合對增益譜寬沒有明顯的負面影響，如果有的話。輻射躍遷展寬與z佳可比常規設計相似。在非激光平臺樣品上的電子傳輸特性（電流-電壓特性）表征表明，與具有相似波長和片狀摻雜密度的典型高性能傳統設計相比，我們的超強耦合設計在大溫度范圍內具有更高的Max工作電流密度和更低的差分電阻（補充圖S1）。代表性激光光譜如圖2b所示；激光波長在低溫下為4.5 mm，在室溫下為4.7 mm。圖4激光表征結果表明，與目前報道的在相似 ...
光器采用埋置異質結構波導制備，用于高功率RT操作。激光條紋寬度一般在4 ~ 10 μm之間，空腔長度一般在3 ~ 5mm之間。在MOCVD生長完成后，通過化學刻蝕定義脊狀波導，并在激光波導側面重新生長絕緣Fe:InP。極化子C-V和霍爾測試已被用來確保Fe:InP是一個良好的電絕緣體。橫向再生的目的是雙重的：它允許激光模式的光學限制在橫向方向，并有助于優化散熱，通過改善在活躍區域產生的熱量的橫向傳輸，并通過平面化設備的頂面，從而允許向下安裝激光器。通過電子束蒸發沉積頂部和底部觸點金屬，隨后在頂部觸點上電解鍍一層厚金層，從而完成了器件的制造。這些器件被切成小塊，銦被焊接到銅支架上，以獲得非常佳的 ...
行蝕刻。埋藏異質結構的選擇性生長和接觸沉積完成了激光加工。圖5圖6單模器件的結果如圖5所示，在15?C下，我們從單個發射極獲得了高達約Pout = 180 mW的連續功率。2毫米長的器件安裝在正面朝下，并在高達60°C的連續波中工作，輸出功率為10 mW。典型光譜如圖6(a)所示，其中對數尺度表示30 db側模抑制比。從連續波亞閾值光譜[圖6(b)]，我們可以確定布拉格阻帶的寬度，對應耦合強度的估計約為kL = 3.5。該值高于強耦合分布式反饋設備（kL = 1-2）的通常預期值。對光柵與光學模式耦合的更深入的探討將在其他地方提出。發射波長與溫度的相關性為λ/T = 0.4 nm/K，并且從連 ...
，在對SAF異質結構中場和電流驅動的DW運動（DWM）的動態過程進行廣泛研究的基礎上，我們進一步探索了通過工程動態焦耳加熱來調制層間交換耦合（IEC）。重要的是，我們首次基于SAF異質結構中自旋極化鐵耦合器層的定制DWM，提出了一種具有泄漏集成點火和自復位（LIFT）特征的新型高可靠自旋電子神經元器件，本質上模擬了神經元在內置場（hbuilt）和Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida （RKKY）相互作用下的LIFT行為，而無需任何額外的復位器件或電路。針對CMOS兼容和可制造應用，利用半導體負差分電阻（NDR）效應對電流進行差動，實現了神經元器件之間全局抑制的贏者通吃（W ...
聯層和SAF異質結構的底部硬層之間存在885 Oe的有效場。矯頑力和RKKY有效場的增強都歸因于器件收縮和離子束刻蝕（IBE）過程中不可避免的外圍損傷。由于樣品中存在較高的IEC，因此在實驗中使用恒定的- 860 Oe外部OOP場來補償RKKY場。簡單地說，我們首先在Hall bar的橫截面上注入7.5 mA的3 s脈沖電流，在Hall bar的左端觀察到一個有核的向下區域，并向+x區域擴展。隨后，在RKKY等效的現場應用中，左右兩側的DW都向成核點中心收縮，即DW收縮。然后，從x方向連續6個6 s周期注入占空比為50%的3.35 mA脈沖電流，下向上（DU） DW在電流的驅動下逐漸向右移動， ...
)垂直p-n異質結二極管進行電流整流和（ii）典型的應用，基于ALD-Te的選擇器件，將其評級為電子級vdW晶體。圖1：實驗流程和結果示意圖圖1a展示了這種淋浴噴頭式反應堆生成vdW Te薄膜的生長的示意圖。在低沉積溫度下用兩種液相Te前驅體-Te（OEt）4和Te（SiMe3）2做促進反應，對于共價鍵合的元素薄膜同樣如此，如ALD 生長的Sb。如圖1b所示，與左半部分裸襯底進行比較，通過定制的ALD工藝，我們成功地實現了在50℃下，Te薄膜在4英寸尺寸SiO2/Si晶元上晶元級生產。在此我們進行拉曼光譜和作圖表征來評價薄膜的質量和均勻性（AUT-Nanobase-XperRamS）。圖1c是 ...
，二維vdW異質結構為研究拓撲結構、超晶格、和層間庫侖相互作用的影響提供了新的途徑。然而，與簡單的單層相比，二維vdW多層在相鄰層之間具有vdW間隙，擾亂了層間電荷效率，從而導致這些多層在平面內和平面外載流子輸運的各向異性。在存在靜電偏置相關的層間電阻的情況下，以往的研究通過考慮Thomas-費米電荷屏蔽長度和厚度相關的載流子遷移率，進而描述了二維多層膜的復雜載流子輸運。例如，在一個傳統的背柵結構，由于層間電阻和層依賴的平面內載流子遷移率之間的相互作用，層間電導率z高的層從底表面向頂表面移動。這就引發了載流子沿著厚度的空間再分布。此外，zui近通過比較獲得的關于底部接觸和頂部接觸的漏電流，已被 ...
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