作了具有埋置異質結構波導和固定腔長1.9 mm的激光器，在其背面涂覆高反射率涂層，并將外延面向上安裝。圖3圖2a顯示了臺面樣品在80k和300k下的電致發光光譜。與預期相反，本設計中的超強耦合對增益譜寬沒有明顯的負面影響，如果有的話。輻射躍遷展寬與z佳可比常規設計相似。在非激光平臺樣品上的電子傳輸特性（電流-電壓特性）表征表明，與具有相似波長和片狀摻雜密度的典型高性能傳統設計相比，我們的超強耦合設計在大溫度范圍內具有更高的Max工作電流密度和更低的差分電阻（補充圖S1）。代表性激光光譜如圖2b所示；激光波長在低溫下為4.5 mm，在室溫下為4.7 mm。圖4激光表征結果表明，與目前報道的在相似 ...
光器采用埋置異質結構波導制備，用于高功率RT操作。激光條紋寬度一般在4 ~ 10 μm之間，空腔長度一般在3 ~ 5mm之間。在MOCVD生長完成后，通過化學刻蝕定義脊狀波導，并在激光波導側面重新生長絕緣Fe:InP。極化子C-V和霍爾測試已被用來確保Fe:InP是一個良好的電絕緣體。橫向再生的目的是雙重的：它允許激光模式的光學限制在橫向方向，并有助于優化散熱，通過改善在活躍區域產生的熱量的橫向傳輸，并通過平面化設備的頂面，從而允許向下安裝激光器。通過電子束蒸發沉積頂部和底部觸點金屬，隨后在頂部觸點上電解鍍一層厚金層，從而完成了器件的制造。這些器件被切成小塊，銦被焊接到銅支架上，以獲得非常佳的 ...
行蝕刻。埋藏異質結構的選擇性生長和接觸沉積完成了激光加工。圖5圖6單模器件的結果如圖5所示，在15?C下，我們從單個發射極獲得了高達約Pout = 180 mW的連續功率。2毫米長的器件安裝在正面朝下，并在高達60°C的連續波中工作，輸出功率為10 mW。典型光譜如圖6(a)所示，其中對數尺度表示30 db側模抑制比。從連續波亞閾值光譜[圖6(b)]，我們可以確定布拉格阻帶的寬度，對應耦合強度的估計約為kL = 3.5。該值高于強耦合分布式反饋設備（kL = 1-2）的通常預期值。對光柵與光學模式耦合的更深入的探討將在其他地方提出。發射波長與溫度的相關性為λ/T = 0.4 nm/K，并且從連 ...
，在對SAF異質結構中場和電流驅動的DW運動（DWM）的動態過程進行廣泛研究的基礎上，我們進一步探索了通過工程動態焦耳加熱來調制層間交換耦合（IEC）。重要的是，我們首次基于SAF異質結構中自旋極化鐵耦合器層的定制DWM，提出了一種具有泄漏集成點火和自復位（LIFT）特征的新型高可靠自旋電子神經元器件，本質上模擬了神經元在內置場（hbuilt）和Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida （RKKY）相互作用下的LIFT行為，而無需任何額外的復位器件或電路。針對CMOS兼容和可制造應用，利用半導體負差分電阻（NDR）效應對電流進行差動，實現了神經元器件之間全局抑制的贏者通吃（W ...
聯層和SAF異質結構的底部硬層之間存在885 Oe的有效場。矯頑力和RKKY有效場的增強都歸因于器件收縮和離子束刻蝕（IBE）過程中不可避免的外圍損傷。由于樣品中存在較高的IEC，因此在實驗中使用恒定的- 860 Oe外部OOP場來補償RKKY場。簡單地說，我們首先在Hall bar的橫截面上注入7.5 mA的3 s脈沖電流，在Hall bar的左端觀察到一個有核的向下區域，并向+x區域擴展。隨后，在RKKY等效的現場應用中，左右兩側的DW都向成核點中心收縮，即DW收縮。然后，從x方向連續6個6 s周期注入占空比為50%的3.35 mA脈沖電流，下向上（DU） DW在電流的驅動下逐漸向右移動， ...
)垂直p-n異質結二極管進行電流整流和（ii）典型的應用，基于ALD-Te的選擇器件，將其評級為電子級vdW晶體。圖1：實驗流程和結果示意圖圖1a展示了這種淋浴噴頭式反應堆生成vdW Te薄膜的生長的示意圖。在低沉積溫度下用兩種液相Te前驅體-Te（OEt）4和Te（SiMe3）2做促進反應，對于共價鍵合的元素薄膜同樣如此，如ALD 生長的Sb。如圖1b所示，與左半部分裸襯底進行比較，通過定制的ALD工藝，我們成功地實現了在50℃下，Te薄膜在4英寸尺寸SiO2/Si晶元上晶元級生產。在此我們進行拉曼光譜和作圖表征來評價薄膜的質量和均勻性（AUT-Nanobase-XperRamS）。圖1c是 ...
，二維vdW異質結構為研究拓撲結構、超晶格、和層間庫侖相互作用的影響提供了新的途徑。然而，與簡單的單層相比，二維vdW多層在相鄰層之間具有vdW間隙，擾亂了層間電荷效率，從而導致這些多層在平面內和平面外載流子輸運的各向異性。在存在靜電偏置相關的層間電阻的情況下，以往的研究通過考慮Thomas-費米電荷屏蔽長度和厚度相關的載流子遷移率，進而描述了二維多層膜的復雜載流子輸運。例如，在一個傳統的背柵結構，由于層間電阻和層依賴的平面內載流子遷移率之間的相互作用，層間電導率z高的層從底表面向頂表面移動。這就引發了載流子沿著厚度的空間再分布。此外，zui近通過比較獲得的關于底部接觸和頂部接觸的漏電流，已被 ...
個部分重疊的異質結構，之后同各國電子束光刻技術形成多個金屬電極并沉積，然后利用等離子體將陰離子在二維材料和異質結構上進行取代摻雜后。在室溫下進行了拉曼表征（NanoBase XperRam，波長為532nm），如圖所示。1(b)和1(c)。原始多層WSe2在大約250 cm-1處表現出平面內模式（E12g），在258 cm-1處表現出平面外模式（A1g）。經O2等離子體處理90s后，E12g模式發生藍移，表明存在p型摻雜效應。相比之下，原始多層MoS2在9550px-1處表現出平面內模式（E12g）和406 cm-1平面外模式（A1g）。在相同的等離子體處理后，兩種模式前后保持一致，這意味著在 ...
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