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中文：直接帶隙半導(dǎo)體；英文：direct band gap semiconductor

解釋
中文：直接帶隙半導(dǎo)體；英文：direct band gap semiconductor的原理；中文：直接帶隙半導(dǎo)體；英文：direct band gap semiconductor的定義；中文：直接帶隙半導(dǎo)體；英文：direct band gap semiconductor是什么。
 導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂具有相同的動(dòng)量，在光子激發(fā)下載流子可在兩個(gè)帶隙之間直接躍迀而不需要其他動(dòng)量參與的半導(dǎo)體。
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