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中文：間接帶隙半導體；英文：indirect band gap semiconductor

解釋
中文：間接帶隙半導體；英文：indirect band gap semiconductor的原理；中文：間接帶隙半導體；英文：indirect band gap semiconductor的定義；中文：間接帶隙半導體；英文：indirect band gap semiconductor是什么。
 導帶底與價帶頂具有不同的動量，光子激發下的載流子在這兩個能量極值之間的躍遷必須有聲子參與才能維持的一種半導體。
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