可以被偏振光激發(fā)成“谷”，這是單層tmd在k空間中分離的直接帶隙躍遷。對這些谷偏振態(tài)的光學(xué)訪問模擬了OISO所需的選擇規(guī)則。谷的應(yīng)用創(chuàng)造了一個與自旋電子學(xué)平行的“谷電子學(xué)”，其中基于谷的器件表現(xiàn)出“谷霍爾效應(yīng)”和強自旋谷鎖定，這有利于轉(zhuǎn)移以及信息的長期存儲。在tmd中研究的另一個值得注意的特性是，當(dāng)單層材料放入光學(xué)腔中時，會發(fā)生強烈的光-物質(zhì)相互作用。lmountain等人利用光學(xué)Stark效應(yīng)對這一現(xiàn)象進行了實驗研究。這項工作顯示了在tmd中對極化(光態(tài))進行谷選擇控制的豐富潛力。這些激子-極化激子狀態(tài)在傳統(tǒng)半導(dǎo)體中已經(jīng)廣泛存在。因此，lmountain等人幫助進一步證明了谷和自旋之間的相關(guān) ...

, 1 mW激發(fā)光源下，低層InSe的光致發(fā)光隨時間的衰減。藍色是在空氣中，綠色是在真空中，紅色是在10k的真空中。右圖說明了在光照下導(dǎo)致InSe快速降解的三種化學(xué)過程:(I)氧化，(II)解離和(III)與水的相互作用。為了保護薄層銦不被降解，常用的技術(shù)是干封裝。該方法采用二維材料，如六邊形玻恩氮化物(hBN)或Gr作為頂層和底層，防止空氣和水分進入。西北大學(xué)的Hersam小組已經(jīng)證明了其他可行的方法來保護InSe免于衰變。例如，用于光電器件加工的無表面活性劑、低沸點、脫氧共溶劑體系和使用原子層沉積的鋁封裝。由于他們的經(jīng)驗在銦硒樣品制備中，制作了可行的薄樣品和器件，并進行了測量。用hBN干燥 ...

掃描樣品表面激發(fā)出背散射電子、二次電子和X射線等信號，然后對接受到的信號進行放大并顯示成像，實現(xiàn)對樣品形貌等的監(jiān)測。掃描電子微鏡顯具有操作簡單方便，得到的圖像清晰，zui大程度還原真實樣品形貌等優(yōu)點。通過掃描電子顯微鏡觀察Cu2O薄膜，得到其表面形貌與顆粒尺寸等信息，從而對Cu2O薄膜有更加直觀了解。2.5.2成分分析得到的樣品薄膜通過X射線衍射譜儀掃描確定其成分。X射線是一種波長約為20到0.06?的電磁波，利用原子內(nèi)層的電子被高速運動的電子轟擊產(chǎn)生躍遷光輻射，從而產(chǎn)生氣體的電離、熒光物質(zhì)的發(fā)光以及照相乳膠感光等。用電子束來轟擊金屬―靶‖材時將產(chǎn)生X射線，通過衍射圖譜的分析，可以獲得其成分、 ...

C材料的帶隙激發(fā)方面提供更為可靠和高效的工具。此外，349nm激光（3.55 eV）也被證明是替代351nm氬離子激光器的理想選擇。雖然單頻激光器在光致發(fā)光方面并非必需，但在拉曼光譜的研究中，其極窄的線寬或成為至關(guān)重要的因素。Ivanov教授解釋，拉曼光譜需要激發(fā)激光的線寬小于0.1 ?，而這款349NX激光器的指定線寬為500 kHz，對應(yīng)于349 nm處的2×10-6?，這大大滿足了實驗的要求。同時，由于激光的相干長度超過了100米，這臺激光器也在其他應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色。該團隊還強調(diào)了349NX與傳統(tǒng)氣體激光器相比的幾個優(yōu)勢。首先，349NX激光器的發(fā)射在光譜上非常純凈，僅在激光線附近可能存 ...

65作為熒光激發(fā)光源，并且基于Lumencor精確的電子控制系統(tǒng)，可以快速調(diào)節(jié)光輸出的強度，設(shè)置為<20%的功率輸出。參考文獻Sdao S M , Ho T , Poudel C ,et al.CDK2 limits the highly energetic secretory program of mature β cells by restricting PEP cycle-dependent KATP channel closure[J].Cell Reports, 2021, 34(4):108690.DOI:10.1016/j.celrep.2021.108690.HuH-7人 ...

550nm)激發(fā)TX,TX又發(fā)射太赫茲輻射。四個OAPM和兩個偏振器P1,P2將太赫茲輻射引導(dǎo)到相機傳感器上(位于太赫茲TDS中RX的位置)。圖2：基于透鏡的成像的示意圖，TX的太赫茲發(fā)射在它到達樣品之前被一個硅透鏡準(zhǔn)直。為了抑制熱圖像，樣品被安裝在一塊特四氟乙烯薄膜上。使用距離目標(biāo)平面600毫米以上的相機/鏡頭組合記錄透射輻射。TX大致被放置在一個硅（Si）透鏡（f=25mm，d=25mm）的焦點上，它對準(zhǔn)了太赫茲發(fā)射器的發(fā)散輻射。透鏡和主成分分析之間的精確距離決定了照明區(qū)域的大小。大多數(shù)樣品被安裝在靠近準(zhǔn)直透鏡的1mm厚的聚四氟乙烯片上，用于熱圖像抑制。如果這是不可能的，在樣品和相機之間放 ...

氙氣為介質(zhì)，激發(fā)產(chǎn)生波長為308 nm的激光脈沖，脈沖的頻率在25~80 Hz之間，一般穿透深度在50μm左右。ELCA主要通過以下3種機制對病變斑塊進行消融：（1）光-化學(xué)效應(yīng)：308 nm激光的光子能量大于很多組織結(jié)構(gòu)中分子鍵的能量，在光子作用下，分子鍵被解離，使得一些組織成分松解。（2）光-熱能效應(yīng)：光子的能量被血流中的細(xì)胞成分吸收，這種量級的能量足以使細(xì)胞的溫度明顯升高，進而產(chǎn)生包含水蒸氣的氣泡，高溫水蒸氣的熱能可以使周圍的斑塊組織軟化、松解。（3）光-機械效應(yīng)：隨著包含水蒸氣的氣泡破裂，產(chǎn)生的震蕩可以使導(dǎo)管前端的斑塊組織碎裂，這是ELCA將斑塊內(nèi)的組織分解成微小顆粒的主要機制。通過以 ...

激光zui大激發(fā)功率下記錄的。而在較弱激勵水平下發(fā)現(xiàn)的映射顯示出均勻的空間行為(未示出)，我們在這里觀察到輕微的空間變化。在接觸點和樣品邊緣附近的映射顯示zui小值，在(1.167±0.010eV)之間的映射顯示zui大值。zui大值和zui小值的差值在系統(tǒng)誤差范圍內(nèi)，但可以在7±2meV下相對評估。盡管發(fā)現(xiàn)了輕微的空間變化，但我們注意到與同時測量的1.15V開路電壓很吻合，驗證了接觸處Δμeff/q≈V的假設(shè)。這種空間變化可以用電接觸下的暗區(qū)或細(xì)胞邊緣的重組引起的側(cè)移來解釋。在 IPVF 開發(fā)的光譜和光度絕對校準(zhǔn)程序的幫助下，可以確定樣品表面每個點在每個波長上發(fā)射的光子的絕對數(shù)量。這一獨特功 ...

，決定了熒光激發(fā)和收集效率20,21。簡單的幾何計算表明，扁平切割光纖收集的信號量隨著與光纖面距離的增加而急劇減少。此外，重新配置收集幾何形狀以達到多個區(qū)域是不可能的，因為改變光收集場需要重新定位光纖。此外，扁平切割光纖的幾何形狀嚴(yán)重?fù)p害組織，在大腦中，甚至在植入后很長一段時間內(nèi)，也會誘導(dǎo)裝置周圍的神經(jīng)膠質(zhì)激活22,23。盡管如此，平劈光纖被廣泛用于評估腦深部區(qū)的神經(jīng)活動3,11-19。在這里，我們提出了一種克服這些限制的方法:我們利用TF中光傳播的模態(tài)特性在錐度的大光學(xué)活性區(qū)域上構(gòu)造光收集模式并進入更深的細(xì)胞。除了比扁平切割光纖22具有更小的侵入性外，TF探針還具有獨特的光收集特征，包括:( ...

指材料被激光激發(fā)后，發(fā)出熒光持續(xù)的時間。在FLIM設(shè)備中，一個特定波長的激光被用來激發(fā)微塑料樣本。樣本吸收激光能量后發(fā)出熒光，熒光的衰減過程被高速SPAD探測器捕捉，通過分析這些熒光衰減的時間特性，可以區(qū)分出不同種類的塑料。這一技術(shù)的關(guān)鍵優(yōu)勢在于其非侵入性和高時間分辨率，能夠在不破壞樣品的情況下進行快速識別。FLIM系統(tǒng)通過分析不同物質(zhì)的熒光壽命特征，構(gòu)建了一種高效的識別模式，可廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測和科學(xué)研究。此外，這種技術(shù)還可以與其他光學(xué)和化學(xué)方法結(jié)合，如光譜分析，以提高檢測的靈敏度和準(zhǔn)確性。FLIM技術(shù)的進一步應(yīng)用包括其在復(fù)雜環(huán)境中的實地使用，如監(jiān)測海洋和淡水環(huán)境中的微塑料污染，為環(huán)境保護提 ...