有著小的直接帶隙（0.9-1.1eV）和很好的理論電子遷移率（>200cm2V-1s-1），帶隙特征表明其有利于可見光和近紅外光的吸收。因此此文章報道了基于Fe摻雜的2DMoTe2納米片的新型光催化氮還原仿生系統。使用拉曼-熒光光譜測試系統（XperRam 200，Nanobase），通過拉曼Mapping（532nm的激發光）和熒光壽命成像（485nm的激發光）來分別記錄拉曼光譜和時間分辨熒光衰減光譜。如下圖1為純物質在532nm激發光下的MoTe2,1% Fe-MoTe2，2% Fe-MoTe2和5% Fe-MoTe2拉曼光譜圖，從圖中可以看出對于理想的2H-MoTe2結構有三個拉曼 ...
間的關系，對帶隙和態密度（DOS）進行了測試和計算，由于DFT的本質影響，實驗測試結果稍微小于計算的結果，并且發現三個化合物均為直接帶隙。DOS數據表明A2(TeO)P2O7 (A=K,Rb,Cs)有相似的態密度。如圖2所示，K2(TeO)P2O7、Rb2(TeO)P2O7和Cs2(TeO)P2O7的價帶（Valance band）區域在-10--5eV之間，且主要由K 3p，Rb 4p和Cs 5p軌道起主要作用，且在這中間有一個非常尖銳的峰表明堿金屬元素的強離子性能。價帶（VB）頂部區域在-5-0eV之間，且只要由O 2p軌道和Te 5p軌道組成。而導帶（conduction band）接近 ...
）PSCs的帶隙譜圖；（c）不同PEN/ITO/ETL/PVK歸一化穩態熒光譜圖；（d）PEN/PVK和PEN/ITO/ETL/PVK的時間衰變光致發光光譜。如圖2（a）為在AM1.5G的輻照下使用不同ETLs的柔性PSCs電流J-V的曲線圖，圖2（a）的嵌入圖為PSCs關鍵J-V參數的總結，基于T2的PSCs在1.1V顯示了最大的J_sc（22.32mA/cm2），并且填充因子（FF）為0.656，產生了高16.11%的PCE。基于低載流子的結合動力學，T2/PVK表面的電位損失最小，導致了PSC的Jsc和Voc較高。如圖2（b）所示，此PSCs的整合J_sc為21.1 mA/cm2，和圖2 ...
。與通過材料帶隙的電子-空穴對重組而發射電磁輻射的典型帶間半導體激光器不同，QCLs是單極的，激光發射是通過在半導體多量子阱異質結構的重復堆棧中使用子帶間躍遷實現的。這個想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的論文“用超晶格在半導體中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導體晶體中，電子可能占據兩個連續能帶中的一個——價帶，其中大量填充著低能電子；導帶，其中少量填充著高能電子。這兩個能帶被一個帶隙隔開，在這個帶隙中沒有允許電子占據的狀態。傳統的半導體激光二極管，當導帶中的高能量電子與價帶中的空穴重新結合時，通過單個光子發出光。因此，光子的能量以及激光二極管的發射 ...
離成單層時，帶隙從間接帶隙變為直接帶隙。由于量子限制效應，MoS2 量子點 (QD) 比塊狀或單層 MoS2 具有更高的帶隙能量。許多研究人員通過各種方法制備 MoS2 單層或量子點，例如剝離、底物生長和膠體合成。通過機械剝離制備的 MoS2 薄層轉移到基板上的過程使得大規模商業化生產變得困難。鋰輔助剝離是一種通過誘導層間弱范德華作用來剝離 MoS2 的簡便方法，正丁基鋰 (n-BuLi) 通常用于此目的。然而，在插層過程中，n-BuLi 的高電子供體能力導致 MoS2 從半導體六方相 (2H) 到金屬四方相 (1T) 的相變，這種溶劑剝離方法需要進一步的熱處理工藝以從金屬 1T 相中回收半導 ...
(主要是光學帶隙)，也被稱為共振拉曼散射(RRS)。在那里，由于強光學吸收，拉曼散射信號可以增強幾個(通常是兩個)數量級。此外，由于振動和電子運動的相互作用改變了拉曼選擇規則，可能會出現新的聲子模式，而這些模式在非共振拉曼光譜中是不存在的。有趣的是，由于強烈的激子效應，RRS在二維半導體中起著至關重要的作用。緊密束縛的激子態表現出不同尋常的共振效應，導致出現了非rrs中禁止的幾種拉曼模等現象。二維半導體中的RRS是一個非常有趣且有潛力的課題。另一種增強拉曼信號的方法是利用非線性拉曼效應，包括相干反斯托克斯拉曼散射和受激拉曼散射。這兩種技術都需要高功率的激光抽運，隨著激光功率的增加，信號強度呈非 ...
數，如成分和帶隙聯系起來。由于光學測量方法準確，無破壞，只需很少或無需專門樣品，光學測量法常常是薄膜測量的較佳方法。常見的兩種光學測量法是光譜反射法和橢偏法。光譜反射法測量一定波長內光線查直人射到樣品表面時，薄膜衣面反射回來的光。橢偏法則測量非垂直入射光的兩種不網的偏振。總的來說，光譜反射法比橢偏法簡單、經濟得多，但是局限于測量比較不復雜的結構。光學常數 (n和k)描述光如何通過薄膜傳播。在某個時間光穿過一種物質的電磁場可以簡單表示為：其中x:距離，λ：光波長，n和k：薄膜相應的折射率和消光系數。折射率是光在物質和真空中傳播速度的比值。消光系數是測量光在物質中被吸收了多少。更多詳情請聯系昊量光 ...
空芯單模光子帶隙型光子晶體光纖（HollowCoreSingle-Mode Photonic Band Gap Photonic Crystal Fiber,HC-SM-PBG-PCF）,該光纖的纖芯為中空的，充滿了空氣，包層為二維的空氣孔周期性排列的結構，這種二維的周期性結構形成了特定的光子禁帶，可以將一定頻率的光限制在纖芯中進行傳輸。這種空芯光纖可以克服常規階躍折射率單模光纖的基本限制，理論上可以大幅度降低損耗極限、具有較低的非線性，并且可以提高光的損傷閾值。為此，科學家們對光子晶體光纖技術進行了大量的研究，中空的光子晶體光纖在降低損耗過程中遇到了很大的困難，衰減一直處于1dB/Km以上的 ...
，稱其為光子帶隙引導型光子晶體光纖。圖1.折射率引導型光纖晶體光纖折射率引導型PCF的傳光機理，與傳統階躍光纖的纖芯與包層界面處全反射的傳光機理類似。纖芯為石英材料，其折射率為n1；包層則為由石英材料和空氣孔構成的二維光子晶體，其多孔的陣列結構有效地降低了包層的平均折射率（包層折射率可視為石英與空氣折射率的平均，并以空氣填充率加權），因而包層材料的有效折射率neff低于纖芯n1,即neff＜n1，其折射率差構成了與傳統階躍光纖類同的內反射傳光機理。為此，又稱之為內全反射（TotalInternalReflection）PCF，簡稱TIR-PCF。圖2.折射率引導型光纖晶體光纖特征參數由于PCF ...
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