SiC材料的帶隙激發(fā)方面提供更為可靠和高效的工具。此外，349nm激光（3.55 eV）也被證明是替代351nm氬離子激光器的理想選擇。雖然單頻激光器在光致發(fā)光方面并非必需，但在拉曼光譜的研究中，其極窄的線寬或成為至關(guān)重要的因素。Ivanov教授解釋，拉曼光譜需要激發(fā)激光的線寬小于0.1 ?，而這款349NX激光器的指定線寬為500 kHz，對(duì)應(yīng)于349 nm處的2×10-6?，這大大滿足了實(shí)驗(yàn)的要求。同時(shí)，由于激光的相干長(zhǎng)度超過了100米，這臺(tái)激光器也在其他應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色。該團(tuán)隊(duì)還強(qiáng)調(diào)了349NX與傳統(tǒng)氣體激光器相比的幾個(gè)優(yōu)勢(shì)。首先，349NX激光器的發(fā)射在光譜上非常純凈，僅在激光線附近可 ...

遷移率、直接帶隙和精密調(diào)控的生長(zhǎng)機(jī)制。GaAs單結(jié)器件已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了效率，接近驚人的30%閾值。迅速成為薄膜太陽能電池的優(yōu)質(zhì)材料。Photon etc.公司的基于體積布拉格光柵的高光譜成像平臺(tái)（IMA）可以對(duì)GaAs進(jìn)行表征，IPVF（以前稱為IRDEP-光伏能源研究與開發(fā)研究所）的科學(xué)家利用IMA系統(tǒng)對(duì)GaAs太陽能電池進(jìn)行表征。成功地在標(biāo)準(zhǔn)GaAs太陽能電池中獲取了光譜和空間分辨光致發(fā)光（PL）圖像。他們利用532nm激光器通過顯微鏡物鏡實(shí)現(xiàn)了整個(gè)視場(chǎng)的均勻照明，從而使得能夠同時(shí)收集來自多個(gè)點(diǎn)的PL信號(hào)。這種整體照明方法有效地減輕了與側(cè)向載流子擴(kuò)散相關(guān)的挑戰(zhàn)，并且避免了樣品粗糙度引起的偽像問題 ...

nSe中的主帶隙顯示為4L。在沒有磁場(chǎng)和線極化泵的情況下，發(fā)射強(qiáng)度沒有差異(無Polz)。然而，當(dāng)入射光為圓偏振光(σ+)時(shí)，兩種發(fā)射的螺旋度(OISO)之間的強(qiáng)度有明顯的差異。這是對(duì)低層InSe中OISO的直接實(shí)驗(yàn)觀察。圖2.對(duì)于泵浦激勵(lì)(1.93 eV a)和2.07 eV b)，極化(P)與PL發(fā)射能量的關(guān)系圖如圖所示。在每個(gè)PL圖的下方，顯示了極化作為發(fā)射能量函數(shù)的曲線。這些測(cè)量是在3L的硅片上進(jìn)行的。注意，穩(wěn)態(tài)極化PL顯示了PL光譜的極化(P)的能量依賴性(圖2a和2b)，在低能尾部的極化減少。偏振PL的這種光譜依賴性的原因尚不清楚。P隨PL光子能量變化的一個(gè)可能原因是InSe中價(jià)帶 ...

缺陷，可以在帶隙中產(chǎn)生額外的能級(jí)。新的激發(fā)路徑的存在有利于對(duì)后續(xù)激光脈沖能量吸收。缺陷密度隨著激光輻照脈沖數(shù)的增加而增加，直到達(dá)到飽和。同時(shí)缺陷的積累將導(dǎo)致有效吸收系數(shù)增加，表面燒蝕閾值隨之降低，直到達(dá)到飽和。經(jīng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，在脈沖數(shù)較少時(shí)，燒蝕坑的直徑更小。隨著作用脈沖數(shù)的增加，燒灼坑的直徑也隨之增加。當(dāng)脈沖數(shù)超過600后，作用材料的脈沖數(shù)增加對(duì)直徑大小的增加效果顯著降低。圖2.多脈沖燒蝕形貌記錄結(jié)語：通過1030 nm飛秒激光對(duì)YAG晶體的燒蝕測(cè)試，可以了解單脈沖和多脈沖燒蝕閾值的變化規(guī)律。為YAG的飛秒激光加工處理提供了驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。通過飛秒激光的燒蝕實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了飛秒激光在處理YAG這種特殊 ...

0eV） 的帶隙可調(diào)諧性、極低的缺陷密度和高缺陷容限、低電壓損耗以及光子回收，使它們對(duì)光伏應(yīng)用具有吸引力。近年來，實(shí)驗(yàn)室規(guī)模的PSCs經(jīng)歷了功率轉(zhuǎn)換效率的巨大提升，達(dá)到25%以上，這在晶體硅基太陽能電池效率的范圍內(nèi)。然而，由于工藝的可轉(zhuǎn)移性和鈣鈦礦薄膜質(zhì)量的下降，PSC的效率正在從實(shí)驗(yàn)室規(guī)模下降到大規(guī)模鈣鈦礦太陽能組件（PSM），這限制了商業(yè)化，從而限制了PSC的實(shí)際應(yīng)用。薄膜的激光圖案化及其在PSM單片串聯(lián)互連中的應(yīng)用。證明無論鈣鈦礦層堆棧的詳細(xì)配置如何，基于激光的圖案化的成功都是基于精確控制的能量輸入。由于目標(biāo)始終是產(chǎn)生定義明確的劃線，而不會(huì)因激光能量過多而對(duì)材料進(jìn)行意外修改，因此由于鈣鈦 ...

子阱(QW)帶隙的近紅外脈沖調(diào)制QCL不同，我們比較了在室溫下光子能量低于和高于0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW帶隙的兩種不同的近紅外泵對(duì)QCL傳輸?shù)恼{(diào)制。當(dāng)光子能量高于QW帶隙時(shí)，電子將從價(jià)帶被激發(fā)到導(dǎo)帶，然后通過帶間躍遷放松回價(jià)帶。當(dāng)泵浦光子能量低于QW帶隙時(shí)，由于光子沒有足夠的能量，將不會(huì)發(fā)生帶間躍遷。相反，在傳導(dǎo)帶較低的子帶中的電子將被激發(fā)到較高的子帶或連續(xù)區(qū)。直接測(cè)量諧振中紅外脈沖的傳輸變化提供了有關(guān)QCL增益調(diào)制的信息。圖1(a)顯示了我們實(shí)驗(yàn)裝置的原理圖。利用由Ti:藍(lán)寶石振蕩器、Ti:藍(lán)寶石再生放大器、光學(xué)參量放大器(OPA)和自制差頻發(fā)生器(DFG)組成的 ...

外光源，通過帶隙工程設(shè)計(jì)，由于其緊湊的尺寸，提供了有前途的應(yīng)用。工作范圍大，輸出功率大。盡管Fabry-Perot型QC激光器具有高產(chǎn)量和高成本效益，但由于端面的波長(zhǎng)無關(guān)反射率，其光譜輸出相對(duì)較寬。此外，隨著注入電流的增加，由于腔內(nèi)空間和光譜燒孔等非線性，譜寬一般會(huì)增加一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。然而，在各種應(yīng)用中，如醫(yī)學(xué)中的激光輔助手術(shù)或防御對(duì)策中，需要窄帶，高功率操作的QC激光器。在QC激光器中，通過多種方法實(shí)現(xiàn)ji端光譜窄化到單模工作，包括將分布式反饋（DFB）光柵集成到激光腔中，利用外腔（EC）或通過單片耦合腔設(shè)計(jì)。具有深蝕刻光子帶隙反射鏡（PBGM）和高反射分布式布拉格反射鏡（DBRs）的QC激 ...

遷移率、可調(diào)帶隙、強(qiáng)光吸收率和柔韌性。其中，MoS2具有可調(diào)諧的帶隙，這使得它比石墨烯具有更廣泛的應(yīng)用。隨著層數(shù)的減少，MoS2的帶隙從塊狀的1.29eV增加到單層的1.9eV，并變?yōu)橹苯?span style="color:red;">帶隙。由于原子薄二硫化鉬的直接帶隙和強(qiáng)激子性質(zhì)，觀察到強(qiáng)烈的光-物質(zhì)相互作用。此外，這種材料在原子厚度上表現(xiàn)出優(yōu)異的機(jī)械柔韌性。這些特性使二硫化鉬在光電應(yīng)用，特別是光電探測(cè)器方面表現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢(shì)。近年來，人們利用微機(jī)械剝離和化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備MoS2薄膜的光電探測(cè)器進(jìn)行了大量的研究。然而，微機(jī)械剝離的成品率低和可擴(kuò)展性差阻礙了MoS2光電探測(cè)器的實(shí)際應(yīng)用。CVD被認(rèn)為是合成大面積MoS2薄膜有前途的 ...

.8 ev的帶隙能量，由于量子限制效應(yīng)，其強(qiáng)烈依賴于膜厚度。這導(dǎo)致了相關(guān)研究工作者對(duì)二維氧氯鉍（Bi2O2X:X=S，Se，Te）族的研究興趣的增加。然而，迄今為止，很少研究2D Bi2O2Te，它是Bi2O2Se的表親材料，由具有I4/mmm空間群（a=3.98?，c=12.70?）的四方結(jié)構(gòu)組成，其中平面共價(jià)鍵合氧化物層（Bi2O2）夾在具有相對(duì)弱靜電相互作用的Te方形陣列之間（如下圖）。由于Te元素的活性特性，通過CVD方法制備2D Bi2O2Te材料仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)，因此在生長(zhǎng)過程中需要Bi前驅(qū)體和Te源的蒸發(fā)溫度的巨大差異。Te和Se的不同電負(fù)性很可能賦予Bi2O2Te比Bi2O2Se ...

lAs材料的帶隙偏移，而MWIR激光器需要高應(yīng)變生長(zhǎng)以改善電子約束，從而提高電流注入效率。這種MWIR設(shè)計(jì)方法的缺點(diǎn)是需要高偏置電壓，這反過來又有助于產(chǎn)生更大的熱功率。LWIR范圍內(nèi)的典型工作電壓（7-10 V）明顯低于MWIR范圍（10-15 V），從而使應(yīng)用工程更具容忍度。LWIR激光器的典型能帶結(jié)構(gòu)如圖3所示與InP匹配的InGaAs/InAlAs晶格的帶偏移估計(jì)為βECB = 0.52 eV，激光發(fā)射波長(zhǎng)為λ = 9.1 μm（對(duì)應(yīng)βEL = 0.136 eV）。考慮到激光頂部水平應(yīng)在遠(yuǎn)離傳導(dǎo)帶連續(xù)體(例如,至少βEConf = 0.1 eV低于樂隊(duì)抵消),為了Max化粒子數(shù)反轉(zhuǎn),并考 ...