高光束質量光纖合束器技術研究（二）首先，建立基本的仿真模型。在光纖功率合束器輸入光纖束拉錐過程中光纖會發生延展和塌縮。延展指的是光纖長度伸長而橫截面積縮小的過程；塌縮指的是光纖熔融粘連的過程。在仿真過程中為了簡化模型，我們假定光纖先延展后塌縮。在塌縮過程中，輸入光纖束的橫截面會變成排布緊密的花瓣形，使得光纖芯徑縮小。如下圖1所示。圖中淺灰色部分是拉錐輸入光纖束外層低折射率玻璃套管，深灰色部分是輸入光纖之間的空氣間隙，白色部分則是輸入光纖圖1 輸入光纖束橫截面示意圖 （a）塌縮前 （b）塌縮后在仿真過程中我們設置輸入光纖芯徑和包層直徑分別為30μm和250μm，輸出光纖芯徑為50um，包層無限大 ...

成正相關，即高階模式下（光線以較大角度射入時路程較長）造成的模間色散高于低階模式（光線以較小角度射入路程較短）圖1.多模光纖模間色散多模光纖z多可同時容納17種光線傳播模式，其模間色散遠高于單模光纖。這是由于單模光纖具有單一的傳播模式，即光線沿著纖芯傳播（軸向模式）而不反射到包層邊界，因此沒有模間色散發生。然而，如果使用漸變折射率多模光纖，情況就不同了。雖然光線也以不同的模式傳播，但由于纖芯的折射率不均勻，光線路徑不再是直線而是曲線，光線的傳播速度也發生變化，因此可通過選擇合適的折射率分布大大降低模間色散。二、色度色散色度色散指光源中不同波長分量在光纖中的群速不同所引起的光脈沖展寬現象，包括材 ...

電流的增大，高階模被激發，脈沖平均波動達到平均值的21%，如圖4(a)所示。在增加收縮后，我們在相同的電流水平下重復相同的測量，結果顯著改善，如圖4(b)所示。平均脈沖值有所增加，其余脈沖波動低于平均值的2%，這與測量的信噪比一致。圖5是在0.83 a、0.88 a、0.92 a下采集的數據子集，說明了模式識別帶來的改善。左邊的直方圖（紅色）顯示了不穩定激光在200個平均脈沖內的150mw變化。在擾動和抑制高階側模后，平均脈沖之間的變化降至15 mW以下，如圖右側（藍色）的直方圖所示。相應的標準偏差證實了脈沖穩定性至少提高了10倍，單個脈沖功率也平均增加了250 mW。圖6zui后，我們測量了 ...

向強度分布，高階模式與增益曲線的重疊較小。這導致較低的側模放大，從而導致較高的側模抑制比（SMSR）。MEMS的BTJ直徑和相應的曲率半徑（RoC）的適當組合，即使與標準的不可調諧VCSELs相比，孔徑尺寸更大，也可以保證基本的橫向模式發射。底部DBR由3.5對氟化物和硫化物相間的介電層組成，折射率對比度為Δn≈1。半VCSEL經過處理并嵌入鍍金基板中。金和上述介質DBR的組合使整個調諧范圍內的反射率幾乎達到100%。圖1 MEMS-VCSEL的示意圖。采用表面微加工的方法，在BCB半VCSEL上沉積了11.5對SiNx/SiOy對組成的MEMS-DBR。微機電系統可以通過電熱驅動來調節發射波 ...

模式，而其它高階模均截止的光纖。根據對階躍型多模光纖的模式分析，對給定的工作波長λ通過恰當地設計選擇階躍光纖的物理結構參數（芯徑2a，纖芯與包層折射率n1,n2），達到調整光纖的波導常數（歸一化頻率）V值，使之滿足如下條件：從而實現光纖中只有基模HE11（或標量模LP01）單一模式傳輸，而臨近的高次模TE01模、TM01模、HE21模（標量模LP11模）均截止。V值的選取不同，將影響光纖芯、包層中所占的光功率，如V=2.405，芯、包層功率比為0.84：0.16；V=1時，芯包功率比為0.3：0.7。即V值越小，轉移到包層中的光功率越多。因而實際的單模光纖其歸一化工作頻率的選擇一般在2.0-2 ...