程是通過液相外延法實現的，這種方法非常適合在單晶石榴石襯底上應用微米級功能涂層。為了確保系統長期功能，還在原始傳感器上沉積了一個附加鏡面和保護層。對于不同領域的應用，可以定制各種形狀和尺寸的傳感器。三、磁場可視化為了實現磁場的光學可視化，將磁光傳感器直接與磁性樣品材料接觸，并用偏振光源進行照明。光線穿過透明傳感器，被鏡面反射并再次通過傳感器。當經過非互易MO介質的雙倍程時，所述法拉第效應與雙層厚度成比例。由于不同旋轉角度取決于局部磁場強度，分析極化模塊會生成一個強度對比圖案，該圖案與磁性材料的磁場分布成比例。結果是一幅視覺圖像，說明了磁漂移場的二維交點。這種正常組件在X-Y平面上記錄和分析的圖 ...

膜通過分子束外延生長在500 μm取向藍寶石(0001)襯底上的12 nm Pt緩沖層上，采用電子光刻技術制備了厚度為15 nm的CoPt3點。它們具有較大的垂直磁晶各向異性和鐵磁行為，其特征是定義良好的平方磁滯回線，矯頑力場為±3.7 kOe。圓點的直徑可在0.2 ~ 1 μm范圍內變化。下面只給出1 μm點的結果。圖1實驗配置能成像納米結構的形貌以及磁化的動力學。圖1為泵脈沖激勵后直徑為1μm的CoPt3點在不同時間延遲下的微分磁化圖像。注意，在當前的測量中，激發不是固定在點的中心，而是在成像過程中與探針光束一起移位。圖a、b和c的序列表明，可以監測磁點磁化的空間動態。了解更多詳情，請訪問 ...

膜通過分子束外延生長在沉積在500 um取向藍寶石(0001)襯底上的12 nm Pt緩沖層上，通過電子光刻制成的圓盤的直徑為0.2 ~ 1m，圓盤之間的距離為0.5 ~ 2um。圖2圖2(a)表示時間的變化泵浦激勵密度為4 mJ cm?2，外加磁場設置為3.5 kOe，使靜態磁化達到飽和。插圖描繪了超快磁化動力學的詳細視圖。圖2(b)表示類似的曲線，但激發密度為8 mJ cm?2。初始退磁發生在泵浦脈沖期間，對應于自旋的激光加熱，發生在電子的熱化過程中由于探針脈沖持續時間為180秒，這里的熱化過程沒有得到解決。注意，對于zui大激勵密度[圖2(b)]，初始退磁完成。然后再磁化發生在兩個主要步 ...

說明: 1,外延照明模式是指從樣品的一側進行照明和檢測;上海昊量光電作為Asphericon在中國大陸地區的代理商，為您提供專業的選型以及技術服務。對于非球面透鏡以及非球面光束整形鏡有興趣或者任何問題，都歡迎通過電話、電子郵件或者微信與我們聯系。如果您對非球面光束整形鏡有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.arouy.cn/details-1888.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、光學元件等，涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、 ...

橢偏儀在位表征電化學沉積的系統搭建（一）-基本原理利用橢偏儀可以精確測量薄膜的厚度和光學常數，其測量原理基于不同偏振光(S，P)與材料的作用。如圖1-1所示的單層薄膜模型中，所測的薄膜在襯底上，zui上層為空氣，薄膜兩側介質都是半無限大，且薄膜上下表面皆是理想光滑表面，三種介質皆為均勻、各向同性介質。在實際測量過程中，單層模型的三種介質通常指的是空氣、待測薄膜和基底。圖1-1 光波在多層膜上的反射與透射光波在單層膜上的反射和透射示意圖如圖1-1所示。定義入射光波矢量E在垂直于入射面上的分量為P光，在入射面上的分量為S光。由折射定律及菲涅耳定律知、、的關系為：上述式子中，n1是空氣的折射率(1. ...

橢偏儀在位表征電化學沉積的系統搭建（二）-在位監控原理1.橢偏儀的在位監控半導體工藝比如CMOS的制作過程，會涉及到結構或者厚度的監控。例如在光刻前后，或者沉積與腐蝕過程，需要控制薄膜的厚度。而橢偏譜可以快速且無損傷進行測量，并且其測試精度可以達到原子級別，因此廣泛應用于半導體制備工藝的在位監控中。比如，典型的32nmCMOS制做過程中大概會需要100次厚度的測試控制，而其中就有80次厚度測試需要利用橢偏譜對其厚度進行監控。通常要解構薄膜的厚度，會涉及到有效介質模型近似和Drude+Lorentz Oscillator模型的使用。利用橢偏儀不僅可以得到厚度信息，還可以得到薄膜的光學性質等信息， ...

，對于分子束外延生長的單層和雙層InSe，價帶zui大值和zui小值的能量分離為~ 100 meV。這和的寬度在同一個數量級上PL(圖1、2a和2b)表明低能尾的極化減少可能是由于價帶的散射。如果您對磁學測量有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.arouy.cn/three-level-150.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、光學元件等，涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究、國防、量子光學、生物顯微、物聯傳感、激光制造等 ...

底鏡反射率。外延輸出鏡由AlGaInAs-AlInAs層對組成（反射率為99.5%），有源區由7個由拉伸-應變勢壘分隔的應變量子阱組成。這些激光器的混合后視鏡由3.5對CaF2-ZnS和金層（反射率=99.9%）組成。圖1為埋地式隧道結（BTJ）VCSEL的設計。該芯片安裝在具有本地連接器（LC）插座的發射器光學組件（TOSA）模塊中，該模塊包括光隔離器、監測二極管和50Ω撓性電路連接。在相應的電流和溫度范圍內，單模光譜顯示出超過40dB的側模抑制比。室溫下的帶寬超過10GHz，受到VCSEL內層內部寄生和熱效應的限制。但是，該帶寬可以實現12.5Gb/s的數據傳輸。2.線寬測量對被測1.33 ...

底鏡反射率。外延輸出鏡由InGaAlAs/InAlAs層對組成，有源區由7個由拉伸應變勢壘分隔的應變量子阱組成。這些激光器的混合后鏡由3.5對CaF2/ZnS和一層金組成。激光芯片及結構示意圖如圖1所示。BCB用作低介電常數鈍化，以實現高速運行。為了與商用收發模塊兼容，該芯片被安裝到TOSA模塊中，如圖1所示。圖1 1.3μm VCSEL原理圖激光芯片和TOSA為內嵌。如圖2所示，該器件在室溫下的單模輸出功率超過3mw，在80℃時的單模輸出功率約為0.6mW。TOSA模塊的光纖耦合效率通常在50%左右。圖2 L-I-V的特點閾值電流在20°C和80°C時保持恒定在2.7mA，因為這些光通信器件 ...

所采用分子束外延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。基本結構是先前發表的高速1.55um VCSEL結構，單片集成到一維陣列結構中，光刻定義的間距為250um。對于高帶寬的電信應用，保持較低的寄生電容是必不可少的。這導致如圖1所示的結構，具有10um厚的低介電常數鈍化苯并環丁烯，市售名稱為Cyclotene 3022-57。該裝置本身只有30um寬。芯片的p側觸點可以在設備的頂部和底部進行訪問，以實現各種安裝方式。在制造過程中，去除InP襯底，并集成電鍍金散熱器。頂部和底部鏡面分別由33.5對InGaAlAs-InAlAs和3.5對附加Au涂層的CaF2-ZnS組成。有源區包括七個由拉伸應變 ...