固體源分子束外延（MBE）或氣源MBE生長的波長為9.1和4-6 um的QC激光器已經證明了室溫連續波（CW）操作，這是緊湊型非低溫激光源的重要里程碑。金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）zui近引起了人們的研究興趣，因為它是工業界第1選擇的技術，并且在QC激光器的商業化方面有前景。據報道，MOCVD是一種高性能的QC激光生長技術，首先采用低閾值脈沖操作，zui近，MOCVD生長的7.2 m QC激光器和MOCVD生長的5.1 m應變QC激光器使用埋藏異質結構設計進行室溫連續操作。在這封信中，我們報告了一個mocvd生長的室溫連續波QC激光器異質結構。該激光器被加工成雙通道脊狀波導，頂部鍍有厚厚 ...

局，僅改變了外延特性，我們可以推斷出更高的應變和模態增益偏移明顯提高了差分增益，從而將K因子從0.4ns降低到0.3ns，從而提高了阻尼極限。盡管在室溫下增加了阻尼偏移，但調制性能，特別是在較高溫度下，明顯優于參考激光器。圖4 導出了新設計與參考設計的k因子比較低阻尼和高帶寬是通過降低k系數和適度的阻尼偏移來實現的，適用于所有相關的工作溫度。高溫操作所研究的VCSEL不是針對某一固定溫度下的峰值性能設計的，而是針對非冷卻運行進行了優化，具有優越的恒定性能。在參考設計中，8GHz調制帶寬似乎是85℃時的極限。如圖3(b)所示，3dB帶寬現在在85℃時高達10GHz。此外，對于經典的分布式反饋激光 ...

所采用分子束外延法在InP襯底上生長了所研究的激光器。高速1.55umVCSEL結構是其他高速器件的改進版本，具有優化的有源區域、失諧、鏡像反射率和摻雜水平。激光芯片的示意圖如圖1所示。BCB用作低介電常數鈍化，以實現高速運行。外延輸出鏡由32對無基波吸收的InGaAlAs和InAlAs組成。為了在高溫下實現高速運行和足夠的增益，有源區由7個厚度為6納米的重應變InAlGaAs量子阱組成。在接近臨界層厚度的邊緣處，將應變調整為壓縮應變的2.5%（擬晶）。這將提高增益和差分增益，從而實現低閾值電流和高弛豫振蕩頻率。模式增益偏置針對高溫行為進行了優化。因此，可以得到負T0值，即該器件在60℃散熱器 ...

設計，加上對外延結構、臺面尺寸和鍵合板電容等性能的精心優化，有助于Max限度地提高高達18 GHz的射頻性能。結合低閾值電流，器件能夠以28 Gb/s或更高的速率直接調制。VCSEL輸出處的光學眼圖如圖1 (b)所示。接下來，28gb /s NRZ-OOK信號通過標準單模光纖（SMF）的幾個線軸發射，即超過1公里，2公里，5公里和10公里的SMF。注意，鏈接中沒有使用DCF。分別傳輸1公里、2公里、5公里和10公里后，每個光纖線軸輸出處的光學眼圖如圖2 (c)-(f)所示。我們可以觀察到，由于CD誘導的啁啾激光信號的相位到幅度轉換，在傳輸到2公里后，眼睛的開口明顯減小，并且在更遠的傳輸距離（5 ...

現高速運行。外延輸出鏡由無基吸收的InGaAlAs-InAlAs層對組成。為了在高溫下實現高速運行和足夠的增益，有源區域由七個重應變量子阱（每個6納米寬）組成，并具有針對高溫行為優化的模式增益偏移。因此，可以得到負T0值，即在較高溫度下閾值電流較低。這種效應是由于增益和腔模的紅移隨溫度的不同而引起的。圖1 高速1.55-um VCSEL的截面示意圖插圖：制作好的VCSEL器件圖片因此，利用這一效應可以改善VCSEL器件的高溫性能。InP是一種良好的熱導體，由n包層組成，通過更好地冷卻有源區域，也有助于實現高溫操作。這些激光器的混合后鏡由3.5對CaF2-ZnS和一層金組成。孔徑為6um的器件在 ...

器通過分子束外延MBE和MOCVD兩種方法生長的量子微電子管的室溫連續工作結果令人鼓舞，但進一步的性能有望使量子微電子管更適合實際應用系統。在所有需要改進的器件參數中，特別需要更低的閾值電流密度，因為它可以使器件消耗更少的總功率，并有可能提高壁插效率。我們報告了5.07 um的mocvd生長QC激光器，具有BH再生結構和下行安裝，其室溫連續波閾值電流密度低于所有這些先前報道的結果。本文提出的QCL結構是通過低壓MOCVD生長的。有源區域結構與文獻中報道的設計非常相似，但對波導結構進行了一些修改，如下所述。一個周期的層序為：從注入層阻擋層厚度開始，以納米為單位：4.0/1.26/ 1.3/ 4. ...

oS2的面內外延生長；因此，獲得具有致密結構的高質量單層是非常有益的。二維過渡金屬二硫族化物（2D TMDs）是一系列具有原子薄層結構的貴金屬半導體。由于其非凡的電學、化學、熱學和機械性能，2D TMDs具有發展成為電路中下一代電子元件的巨大潛力，如晶體管、存儲器、二極管等，以合理的成本生產高質量單層TMD的可擴展和可控技術對其工業應用至關重要。然而，晶圓規模和高質量的2DTMD生長在實踐中仍然是一個巨大的挑戰。化學氣相沉積（CVD）被認為是一種很有前途的制備可控層數的晶片級TMD膜的方法，很多研究針對生長溫度、前驅體、晶種、反應增強等等生長因素進行了探討。然而，在不同的實驗室中，MoS2的尺 ...

要幾個獨立的外延生長和復雜的鍵合過程。HCG-VCSELs在極化控制、高速數據傳輸和高波長調諧速度方面具有廣闊的應用前景；但廣泛的可調性仍然是一個研究課題。另一方面，與電泵浦VCSEL相比，光泵浦可調諧VCSEL自然具有更短的腔，表現出非常寬的調諧范圍。然而，直接調制是不可能的。通過采用表面微加工技術，我們已經為上一代VCSEL（未針對高速應用進行優化）展示了創紀錄的102nm單模連續調諧。表面微加工消除了晶圓鍵合的需要，而是使用沉積的介電DBR反射鏡，這一方面帶來了更好的對準精度和更好的均勻性控制，另一方面促進了二維陣列的經濟高效的批量生產。利用外部加熱電流電熱驅動MEMS DBR實現寬調諧 ...

在銅散熱片的外延側安裝。此外，還制作了具有埋置異質結構波導和固定腔長1.9 mm的激光器，在其背面涂覆高反射率涂層，并將外延面向上安裝。圖3圖2a顯示了臺面樣品在80k和300k下的電致發光光譜。與預期相反，本設計中的超強耦合對增益譜寬沒有明顯的負面影響，如果有的話。輻射躍遷展寬與z佳可比常規設計相似。在非激光平臺樣品上的電子傳輸特性（電流-電壓特性）表征表明，與具有相似波長和片狀摻雜密度的典型高性能傳統設計相比，我們的超強耦合設計在大溫度范圍內具有更高的Max工作電流密度和更低的差分電阻（補充圖S1）。代表性激光光譜如圖2b所示；激光波長在低溫下為4.5 mm，在室溫下為4.7 mm。圖4激 ...

首創的分子束外延（MBE）進行的初始材料開發工作近年來已擴展到更標準的工業平臺，用于材料生長，金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）mocvd生長的QC激光器已經迅速達到了與mbegrow設備相當的RT性能，并且在RT后不久就顯示出連續運行MOCVD生長的qcl在中波紅外（MWIR）13和長波紅外（LWIR）波長下的高功率連續工作已經被證明。盡管qcl具有巨大的前景，但直到z近，復雜的結構和制造qcl的困難使這些設備僅僅是實驗室工具。z近的進展主要是為了提高MWIR的電光轉換效率，這極大地促進了技術從實驗室到工業的轉移。我們團隊的研究成果在功率輸出和插拔效率方面取得了飛躍，z終可以實現這些設備的現 ...