展示全部
本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。光刻半導(dǎo)體芯片二氧化硅的主要步驟包括涂布光致抗蝕劑、套準(zhǔn)掩模板并曝光、用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護(hù)的二氧化硅層，以及去除已感光的光致抗蝕劑層。在光刻系統(tǒng)中，激光的指向穩(wěn)定非常重要，會直接影響光刻的圖形準(zhǔn)確性和一致性。影響光束指向穩(wěn)定的主要因素有三個，分別是激光器本身的位置偏移，處于不同基座上的激光器和照明系統(tǒng)之間的振動差異性以及傳輸過程中的光學(xué)系統(tǒng)的擾動。這些擾動會對光刻的質(zhì)量造成嚴(yán)重影響。首先，激光指向的穩(wěn)定性對于確保圖形的精確刻蝕至關(guān)重要。在光刻 ...
柯西系數(shù)如果光致抗蝕劑的柯西系數(shù)不可用–使用類似光致抗蝕劑的柯西系數(shù)作為起點(diǎn)。步驟 2：創(chuàng)建膠片堆棧Filmstack 代表物理樣本的模型- 它定義了基材和材料層。如果3000nm 的光刻膠沉積在Si 晶圓上，薄膜疊層將是Si 襯底/3000nm PR。這里PR 將是步驟1 中定義的光刻膠材料。步驟 3. 進(jìn)行測量測量實(shí)際上是一個兩步過程：數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)分析。它們由 TFCompanion 軟件透明地處理。在第1次測量期間，可能會也可能不會得到完美的結(jié)果——需要調(diào)整膠片疊層。如果光刻膠的厚度足夠厚（> 1um），可以從厚膜（基于FFT）算法開始。一旦確定了厚度，就可以使用曲線擬合（Mar ...
或 投遞簡歷至: hr@auniontech.com
